可调滤波器及可调滤波器的制备方法与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种可调滤波器及可调滤波器的制备方法。

背景技术：

2.目前可调滤波器被广泛的应用在光通信，光传感及光计算机领域中，在波分复用的过程中，可调滤波器在一段连续的波长信号中提取特定波长的光信号，可用于光纤光栅的波长解调系统。
3.目前，法布里-珀罗(fabry-perot，fp)腔可调滤波器作为一种滤波器结构，由两块反射镜组成谐振腔，当腔长越小时，自由光谱范围(free spectral range，fsr)越大；当镜面反射率越高时，透射光谱的半波宽(full width at half maxima，fwhm)越小，滤波性能越好。其中，兼容半导体工艺加工硅片得到的微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)fp滤波器具有可调范围大，扫描频率高，集成度高，可大批量生产等优势。
4.然而，由于硅片的提拉工艺，导致表面粗糙度高，镀膜后的光学性能较差。

技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术实施例提供了一种可调滤波器及可调滤波器的制备方法，以提高可调滤波器的滤波性能。
6.第一方面，本技术实施例提供了一种可调滤波器，包括：
7.第一基底，所述第一基底包括：第一硅层和第二硅层，所述第一硅层和所述第二硅层之间设有二氧化硅层；所述第一硅层内包括凹槽，所述凹槽内填充有玻璃；所述第二硅层上包括相对设置的环形凹槽以形成悬臂梁、以及通过刻蚀所述第一硅层形成的浮岛；所述悬臂梁上的所述第二硅层的表面还依次设有氧化物层、第一金属层、压电电极、第二金属层；
8.玻璃层，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第一硅层键合。
9.在一可选的实施方式，所述浮岛上的所述第二硅层的表面上设置增透膜。
10.在一可选的实施方式中，所述玻璃层的第一表面设有第一高反膜、所述第一硅层的表面上设有第二高反膜；
11.所述第一高反膜上与所述浮岛相对设有金属防键合层。
12.在一可选的实施方式中，所述第一硅层外围与所述玻璃层的所述第一表面通过键合胶水键合。
13.在一可选的实施方式中，所述第一基底为soi晶圆硅片。
14.第二方面，本技术实施例还提供了一种可调滤波器的制造方法，包括：
15.提供第一基底，所述第一基底包括第一硅层和第二硅层；
16.刻蚀所述第一硅层形成凹槽、并释放刻蚀后露出的二氧化硅层，其中，所述二氧化
硅层位于所述第一基底中所述第一硅层和所述第二硅层之间；
17.将所述第一硅层与玻璃进行键合、并加热所述第一基底以使所述玻璃处于熔融状态填充所述凹槽；
18.减薄抛光在所述凹槽外的玻璃、以形成所述玻璃嵌入所述凹槽内；
19.对所述第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空；
20.所述悬臂梁上的所述第二硅层的表面上依次设置氧化物层、第一金属层、压电电极、第二金属层；
21.将玻璃层与所述第一硅层键合。
22.在一可选的实施方式中，所述对所述第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空之后，所述方法还包括：
23.在所述浮岛上的所述第二硅层的表面上设置增透膜。
24.在一可选的实施方式中，所述将玻璃层与所述第一硅层键合之前，所述方法还包括：
25.在所述玻璃层的表面上镀第一高反膜；
26.在所述第一高反膜上镀金属防键合层、通过剥离工艺对所述金属防键合层图形化；
27.在所述第一高反膜上涂键合胶水、并通过光刻对所述键合胶水图形化；
28.所述将玻璃层与所述第一硅层键合，包括：
29.采用图形化的所述键合胶水，将所述玻璃层和所述第一硅层键合。
30.在一可选的实施方式中，所述方法还包括：
31.在所述第一硅层的表面上镀第二高反膜；
32.所述采用图形化的所述键合胶水，将所述玻璃层和所述第一硅层键合，包括：
33.采用图形化的所述键合胶水，通过所述第一高反膜和所述第二高反膜，将所述玻璃层和所述第一硅层键合。
34.在一可选的实施方式中，所述对所述第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空之前，所述方法还包括：
35.在所述第一硅层上增加金属保护层并图形化；
36.所述对所述第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空之后，所述方法还包括：
37.去除所述金属保护层。
38.本技术提供了一种可调滤波器及可调滤波器的制备方法，其中，可调滤波器包括：第一基底，第一基底包括：第一硅层和第二硅层，第一硅层和第二硅层之间设有二氧化硅层；第一硅层内包括凹槽，凹槽内填充有玻璃；第二硅层上包括相对设置的环形凹槽以形成悬臂梁、以及通过刻蚀第一硅层形成的浮岛；悬臂梁上的第二硅层的表面还依次设有氧化物层、第一金属层、压电电极、第二金属层，玻璃层，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面与第一硅层键合。由于玻璃的表面粗糙度低，镀膜后的光学性能好，所以使用硅作
为机械元件，玻璃作为光学元件构成的可调滤波器，能够提升可调滤波器的滤波性能。
39.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
40.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
41.图1为本技术实施例提供的可调滤波器的立体结构图；
42.图2为本技术实施例提供的可调滤波器的剖面图；
43.图3为本技术实施例提供的可调滤波器的俯视图；
44.图4为本技术实施例提供的可调滤波器的正视图；
45.图5为本技术另一实施例提供的可调滤波器的俯视图；
46.图6为本技术实施例提供的可调滤波器的制备方法的流程示意图一；
47.图7为本技术实施例提供的可调滤波器的制备方法的流程示意图二；
48.图8-图10为本技术实施例提供的第一基底的正视图；
49.图11-图14为本技术另一实施例提供的第一基底的正视图；
50.图15为本技术实施例提供的玻璃层的正视图；
51.图16为本技术另一实施例提供的可调滤波器的正视图；
52.图17为本技术实施例提供的封装后的可调滤波器的立体图；
53.图18为本技术实施例提供的封装后的可调滤波器的俯视图。
54.附图标记：
55.10-第一基底；20-玻璃层；11-第一硅层；12-第二硅层；13-二氧化硅层；21-第一表面；22-第二表面；
56.110-玻璃；111-金属保护层；120-环形凹槽；121-悬臂梁；122-浮岛；123-氧化物层；124-第一金属层；125-压电电极；126-第二金属层；127-增透膜；128-第二高反膜；210-第一高反膜；211-金属防键合层；212-键合胶水。
具体实施方式
57.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
58.因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
59.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、等指示的方位或位置
关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常的位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
60.针对现有技术中硅片表面粗糙度高，镀膜后的光学性能差的问题，本技术提供了一种可调滤波器及可调滤波器的制备方法，使用硅作为机械元件，玻璃作为光学元件构成的可调滤波器，能够提升可调滤波器的滤波性能。
61.下面结合几个具体实施例对本技术提供的可调滤波器进行说明。
62.图1为本技术实施例提供的可调滤波器的立体结构图，图2为本技术实施例提供的可调滤波器的剖面图，图3为本技术实施例提供的可调滤波器的俯视图，图4为本技术实施例提供的可调滤波器的正视图。
63.参考图1-图4，可调滤波器包括：第一基底10，第一基底10包括：第一硅层11和第二硅层12，第一硅层11和第二硅层12之间设有二氧化硅层13。
64.第一硅层11内包括凹槽，凹槽内填充有玻璃110。
65.第二硅层12上包括相对设置的环形凹槽120以形成悬臂梁121、以及通过刻蚀第一硅层11形成的浮岛122，悬臂梁121上的第二硅层12的表面还依次设有氧化物层123、第一金属层124、压电电极125、第二金属层126。
66.玻璃层20，包括相对设置的第一表面21和第二表面22，第一表面21与第一硅层11键合。
67.在一些实施例中，第一基底10可以为soi晶圆，第一硅层11可以为sio晶圆的顶层硅，第二硅层12可以为soi晶圆的底层硅，顶层硅和底层硅之间设有二氧化硅层13。
68.环形凹槽120、悬臂梁121、浮岛122的轴线重合，环形凹槽120的直径可以小于浮岛122的直径。
69.其中，玻璃层20和第一硅层11之间形成法布里-珀罗(fabry-perot，fp)空腔，第一硅层11外围和玻璃层20的第一表面21通过键合胶水212键合，键合胶水可以涂在玻璃层20的第一表面21上，且位于第一表面21的两侧，键合胶水例如可以为光敏bcb键合胶水。
70.氧化物层123可以为二氧化硅层，第一金属层124可以为材料为ti、pt、mo、au、al、ag等的一种或多种，第二金属层126可以为ti、pt、mo、au、al、ag等的一种或多种，压电电极125可以为锆钛酸铅压电陶瓷(piezoelectric ceramic transducer，pzt)、铌镁酸铅、氮化铝等。
71.在一些实施例中，可以使用光刻和深硅刻蚀刻蚀第一硅层11，以形成凹槽，并露出二氧化硅层13，并采用(hf)或缓冲氧化物刻蚀液(buffered oxide etch，boe)释放露出的二氧化硅层13，并将玻璃填充到凹槽内；还可以使用光刻和深硅刻蚀刻蚀第二硅层12形成相对设置的环形凹槽120，以形成悬臂梁121，并按照光刻第二硅层12光刻时使用的光刻掩膜在第一硅层11进行刻蚀，并使用hf或boe腐蚀二氧化硅层13，释放悬臂梁121以使浮岛122悬空。
72.然后，可以在悬臂梁121上的第二硅层12的表面依次设置氧化物层123、第一金属层124、压电电极125和第二金属层126，其中，还可以在除悬臂梁上的第二硅层12和浮岛上的第二硅层12外的第二硅层12的表面依次设置氧化物层123、第一金属层124、压电电极125
和第二金属层126。
73.在一种使用场景中，准直透镜输出准直光后进入可调滤波器的空腔并发生谐振，谐振后的反射光沿原路返回，进入准直透镜中，当对改变压电电极的电压时，悬臂梁121发生形变使浮岛122上下移动，即可更换选择的反射波长，采用玻璃(即熔融石英)构成的镜面，可以有效降低镜面表面的粗糙度，提高反射率，随着镜面反射率的加大，滤波系统的半波宽(full width at half maxima，fwhm)随之降低，分辨率随之变高，从而提升了可调滤波器的滤波性能。
74.参照图3，浮岛122上的第二硅层12的表面上设置增透膜127，增透膜127(anti-reflection，ar)材料可以为氟化镁、二氧化硅、氧化铝等，增透膜用于增加透射率，减少光的损耗。
75.其中，玻璃层20的第一表面21设有第一高反膜210、第一硅层11的表面上设有第二高反膜128，第一高反膜210上与浮岛122相对设有金属防键合层211。
76.金属防键合层211用于防止第一基底10的第一硅层11和玻璃层20粘连吸附在一起，以使玻璃层20和第一硅层11之间能够形成fp空腔。
77.在一些实施例中，金属防键合层211可以包括：铬(cr)和金(au)，由于cr是黏附层，au的粘附性较差，因此可以先镀cr再镀au。
78.第一高反膜210和第二高反膜128可以为tio2/(sio2/tio2)*2或ta2o5(sio2/ta205)*5等，其中，多层介质膜材料包括sio2、ta2o5、tio2等h(lh)*n结构(n为1-13)。
79.其中，h为高折射率、l为低折射率，n为n组，tio2为二氧化钛，sio2为二氧化硅，ta2o5为五氧化二钽。
80.图5为本技术另一实施例提供的可调滤波器的俯视图，参照图5，玻璃层20的第一表面21设有第一高反膜210，第一高反膜210上与浮岛122相对设有金属防键合层211。
81.在上述实施例的基础上，本技术还提供了一种用于制备上述可调滤波器的制备方法，下面结合以下几个具体实施例进行说明。
82.图6为本技术实施例提供的可调滤波器的制备方法的流程示意图一，如图6所示，该方法可以包括：
83.s100、提供第一基底。
84.s200、刻蚀第一硅层形成凹槽、并释放刻蚀后露出的二氧化硅层。
85.其中，第一基底包括第一硅层和第二硅层，第一基底可以为soi晶圆，第一硅层可以为sio晶圆的顶层硅，第二硅层可以为soi晶圆的底层硅，二氧化硅层位于第一基底中第一硅层和所述第二硅层之间。
86.在本步骤中，可以采用光刻及深硅刻蚀刻蚀第一硅层形成凹槽，以形成凹槽，并露出二氧化硅层，采用(hf)或boe和二氧化硅层进行反应，以释放刻蚀后露出的二氧化硅层。
87.s300、将第一硅层与玻璃进行键合、并加热第一基底以使玻璃处于熔融状态填充凹槽。
88.s400、减薄抛光在凹槽外的玻璃、以形成玻璃嵌入凹槽内。
89.将第一硅层和玻璃键合，例如阳极键合，并加热第一基底，以使玻璃处于熔融状态填充凹槽，然后对凹槽外的玻璃进行减薄抛光，以形成玻璃嵌入凹槽内，即得到嵌入式玻璃
结构。
90.s500、对第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀第一硅层、腐蚀二氧化硅层，释放悬臂梁、使浮岛悬空。
91.s600、悬臂梁上的第二硅层的表面上依次设置氧化物层、第一金属层、压电电极、第二金属层。
92.s700、将玻璃层与第一硅层键合。
93.对第二硅层可以进行光刻及深硅刻蚀，刻蚀图形化悬梁臂，并刻蚀第一硅层，并使用hf或boe腐蚀二氧化硅层，以释放悬梁臂使浮岛悬空，在悬梁臂上的第二硅层的表面上依次设置氧化物层、第一金属层、压电电极、第二金属层，氧化物层可以为氧化硅层，例如，可以使用等离子体增强化学的气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)蒸镀二氧化硅并进行光刻，反应离子刻蚀(reactive ion etching，rie)刻蚀进行图形化，并在氧化物层上，使用磁控溅射或电子束蒸发镀第一层金属层并图形化，在第一层金属层上，使用磁控溅射蒸镀压电电极并图形化，在压电电极上，蒸镀第二层金属膜并图形化，之后，采用键合胶水，将玻璃层与第一硅层键合，其中，凹槽中填充的玻璃为第一玻璃片熔融填充的，玻璃层可以为第二玻璃片。
94.在一些实施例中，对第二硅层进行刻蚀之前，还可以减薄抛光第二硅层，以减少器件厚度。
95.在一可选的实施方式中，对第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀第一硅层、腐蚀二氧化硅层，释放悬臂梁、使浮岛悬空之后，方法还包括：
96.在浮岛上的第二硅层的表面上设置增透膜。
97.增透膜材料可以为氟化镁、二氧化硅、氧化铝等，增透膜用于增加透射率，减少光的损耗。
98.在一可选的实施方式中，对第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空之前，该方法还可以包括：
99.在第一硅层上增加金属保护层并图形化；
100.相应地，对第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放悬臂梁、使浮岛悬空之后，该方法还包括：去除金属保护层。
101.在刻蚀第一硅层、腐蚀二氧化硅层，释放悬梁臂使浮岛悬空之前，还可以在第一硅层上增加金属保护层，其中，可以使用磁控溅射或电子束蒸发镀金属保护层，以防止玻璃损坏、气体试剂腐蚀，并使用光刻和ibe离子束刻蚀金属保护层，以使金属保护层图形化，刻蚀第一硅层、腐蚀二氧化硅层，释放悬臂梁、使浮岛悬空之后，可以去除金属保护层，例如可以使用金腐蚀液及铬腐蚀液去除金属保护层。
102.其中，金属保护层可以包括：铬(cr)和金(au)，由于cr是黏附层，au的粘附性较差，因此可以先镀cr再镀au。
103.图7为本技术实施例提供的可调滤波器的制备方法的流程示意图二，如图7所示，将玻璃层与第一硅层键合之前，方法还包括：
104.s800、在玻璃层的表面上镀第一高反膜。
105.s900、在第一高反膜上镀金属防键合层、通过剥离工艺对金属防键合层图形化。
106.s1000、在第一高反膜上涂键合胶水、并通过光刻对键合胶水图形化。
107.在玻璃层和第一硅层键合之前，还可以在玻璃层的表面上镀第一高反膜，并对第一高反膜光刻后，使用磁控溅射或电子束蒸发镀金属防键合层，以防止浮岛和底部粘连吸附，再使用剥离工艺对金属防键合层图形化，剥离工艺例如可以为lift-off剥离工艺，之后在第一高反膜上涂键合胶水，例如bcb键合胶水，并通过光刻使键合胶水图形化。
108.s700、将玻璃层与第一硅层键合，包括：
109.s710、采用图形化的键合胶水，将玻璃层和第一硅层键合。
110.在一可选的实施方式中，该方法还可以包括：
111.在第一硅层的表面上镀第二高反膜；
112.采用图形化的键合胶水，将玻璃层和第一硅层键合，包括：
113.采用图形化的键合胶水，通过第一高反膜和第二高反膜，将玻璃层和第一硅层键合。
114.在本步骤中，还可以在第一硅层的表面上镀第二高反膜，例如使用磁控溅射或离子束溅射或pecvd镀高反膜hr tio2/(sio2/tio2)*2或ta2o5(sio2/ta2o5)*5等，并采用图形化的键合胶水，通过第一高反膜和第二高反膜，将玻璃层和第一硅层键合，也即图形化的键合胶水在第一高反膜和第二高反膜之间。
115.下面结合图8-图15对本技术提供的可调滤波器的制备过程进行说明。
116.图8-图10为本技术实施例提供的第一基底的正视图，参照图8-图10，刻蚀第一硅层11形成凹槽，并释放二氧化硅层13，将第一硅层11和玻璃110键合，并加热第一基底10，使玻璃110处于熔融状态填充凹槽，并减薄抛光得到嵌入式玻璃结构。
117.图11-图14为本技术另一实施例提供的第一基底的正视图，参照图11-图14，在第一硅层11上增加金属保护层111并图形化，对第二硅层12进行刻蚀，图形化获取悬臂梁121，并刻蚀第一硅层11、腐蚀二氧化硅层13，释放悬臂梁121、使浮岛122悬空，在第一硅层11的表面上镀第二高反膜128。
118.图15为本技术实施例提供的玻璃层的正视图，参照图15，在玻璃层20的表面上镀第一高反膜210，并在第一高反膜210上镀金属防键合层211、通过剥离工艺对金属防键合层211图形化。
119.图16为本技术另一实施例提供的可调滤波器的正视图，参照图16，采用图形化的键合胶水212，将玻璃层20和第一硅层11键合，之后在悬臂梁121上的第二硅层12的表面上依次设置氧化物层123、第一金属层124、压电电极125、第二金属层126，并在浮岛122上的第二硅层12的表面上设置增透膜127(示意图可参见图4)。
120.在上述实施例的基础上，图17为本技术实施例提供的封装后的可调滤波器的立体图，图18为本技术实施例提供的封装后的可调滤波器的俯视图。
121.参照图17-图18，相同字母的电极分别通过引线连接形成回路，大写字母a、b为上电极，小写字母a、b为下电极，g为接地。
122.a和a、b和b分别为两个不同pzt驱动块的一组电极，且这两个pzt区块所加的电压方向不同。
123.对于可调滤波器，兼容同轴封装，封装工艺成熟，封装难度低，成本低。
124.应理解，上述可调滤波器的制备方法是为了制备出上述的可调滤波器。该可调滤波器的制备方法旨在能够有效提升可调滤波器的滤波能力，以提高半导体芯片的品质。本
方法未提及的层级，本领域技术人员可根据实际情况进行制备步骤的合理选择。
125.以上所述仅为本发明的可选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
126.另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

技术特征：

1.一种可调滤波器，其特征在于，包括：第一基底，所述第一基底包括：第一硅层和第二硅层，所述第一硅层和所述第二硅层之间设有二氧化硅层；所述第一硅层内包括凹槽，所述凹槽内填充有玻璃；所述第二硅层上包括相对设置的环形凹槽以形成悬臂梁、以及通过刻蚀所述第一硅层形成的浮岛；所述悬臂梁上的所述第二硅层的表面还依次设有氧化物层、第一金属层、压电电极、第二金属层；玻璃层，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第一硅层键合。2.根据权利要求1所述的可调滤波器，其特征在于，所述浮岛上的所述第二硅层的表面上设置增透膜。3.根据权利要求1所述的可调滤波器，其特征在于，所述玻璃层的第一表面设有第一高反膜、所述第一硅层的表面上设有第二高反膜；所述第一高反膜上与所述浮岛相对设有金属防键合层。4.根据权利要求1所述的可调滤波器，其特征在于，所述第一硅层外围与所述玻璃层的所述第一表面通过键合胶水键合。5.根据权利要求1所述的可调滤波器，其特征在于，所述第一基底为soi晶圆。6.一种可调滤波器的制造方法，其特征在于，包括：提供第一基底，所述第一基底包括第一硅层和第二硅层；刻蚀所述第一硅层形成凹槽、并释放刻蚀后露出的二氧化硅层，其中，所述二氧化硅层位于所述第一基底中所述第一硅层和所述第二硅层之间；将所述第一硅层与玻璃进行键合、并加热所述第一基底以使所述玻璃处于熔融状态填充所述凹槽；减薄抛光在所述凹槽外的玻璃、以形成所述玻璃嵌入所述凹槽内；对所述第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空；所述悬臂梁上的所述第二硅层的表面上依次设置氧化物层、第一金属层、压电电极、第二金属层；将玻璃层与所述第一硅层键合。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空之后，所述方法还包括：在所述浮岛上的所述第二硅层的表面上设置增透膜。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将玻璃层与所述第一硅层键合之前，所述方法还包括：在所述玻璃层的表面上镀第一高反膜；在所述第一高反膜上镀金属防键合层、通过剥离工艺对所述金属防键合层图形化；在所述第一高反膜上涂键合胶水、并通过光刻对所述键合胶水图形化；所述将玻璃层与所述第一硅层键合，包括：采用图形化的所述键合胶水，将所述玻璃层和所述第一硅层键合。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第一硅层的表面上镀第二高反膜；
所述采用图形化的所述键合胶水，将所述玻璃层和所述第一硅层键合，包括：采用图形化的所述键合胶水，通过所述第一高反膜和所述第二高反膜，将所述玻璃层和所述第一硅层键合。10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空之前，所述方法还包括：在所述第一硅层上增加金属保护层并图形化；所述对所述第二硅层进行刻蚀，图形化获取悬臂梁，并刻蚀所述第一硅层、腐蚀所述二氧化硅层，释放所述悬臂梁、使浮岛悬空之后，所述方法还包括：去除所述金属保护层。

技术总结

本申请提供了一种可调滤波器及可调滤波器的制备方法，其中，可调滤波器包括：第一基底，第一基底包括：第一硅层和第二硅层，第一硅层和第二硅层之间设有二氧化硅层；第一硅层内包括凹槽，凹槽内填充有玻璃；第二硅层上包括相对设置的环形凹槽以形成悬臂梁、以及通过刻蚀第一硅层形成的浮岛；悬臂梁上的第二硅层的表面还依次设有氧化物层、第一金属层、压电电极、第二金属层，玻璃层，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面与第一硅层键合。由于玻璃的表面粗糙度低，镀膜后的光学性能好，所以使用硅作为机械元件，玻璃作为光学元件构成的可调滤波器，能够提升可调滤波器的滤波性能。能。能。