压电超声换能器（PMUT）简单介绍
作者：王蕾硕 孙文斌
来源：《科学与财富》2020年第33期
超声波换能片
摘 要：本文介绍了什么是压电超声换能器，压电超声换能器的优点及其作用，以及实际生活中的应用，以及结构设计中两种常见的薄膜结构的分析，对其核心技术MEMS（微电子技术）也有所概括。 关键词：PMUT; MEMS ;氮化铝薄膜
一.MEMS技术部分
微细加工技术（MEMS）基于平面技术，其中两个主要方面的关键微制作技术：圆盘级工艺（包括圆片键合）和图形转移（包括各向异性和各向同性刻蚀），图形转换包括两步：光学曝光过程和物理/化学方法形成图形的过程。
㈠圆片级工艺
①衬底：可选择单晶硅，单晶石英，玻璃，熔（非晶）石英，砷化镓
②圆片清洗：
1.强氧化剂（如7：3混合的浓硫酸和双氧水）去除所有有机污染。 2.用比例5：1：1的水，双氧水和氢氧化铵组成的混合溶液去除无机剩余物污染，这一步会产生薄氧化层，如有必要则用HF去除。
3.用6：1：1的水，盐酸和双氧水混合溶液去除各种离子型污染。
③硅片氧化：硅可以表面形成一层高质量的氧化物（在纯氧，850-1150度进行），随着氧化层增长，氧化速度越来越慢。
④局部氧化：硅片局部覆盖氮化硅时该区域不会氧化，其他部分会覆盖上氧化硅。
⑤掺杂：把少量杂质加到半导体晶体里替换原来位置原子的工艺，可改变材料的导电特性。
1.物理气相积淀PVD，主要是两个方法，蒸发（对金属表面用入射电子加热蒸发，气化原子流就会到达晶片）和溅射（等离子体辉光放电）。 2.化学气相积淀CVD：先驱材料导入加热反应炉，衬底表面的化学反应导致薄膜积淀。3.电积淀：电镀，是电化学过程。
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