刻蚀(ETCH)工艺的基础知识

刻蚀(ETCH)工艺的基础知识
何谓蚀刻(Etch)?
答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:
答:(1)干蚀刻(2)湿蚀刻
蚀刻对象依薄膜种类可分为:
答:poly, oxide, metal
半导体中一般金属导线材质为何?
答:金身线(W)/铝线(A1)/铜线(Cu)
何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)?
答:Oxide etch and nitride etch
半导体中一般介电质材质为何?
答:氧化硅/氮化硅
何谓湿式蚀刻
答:利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除
何谓电浆Plasma?
答:电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离 子,
负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.
何谓干式蚀刻?
答:利用plasma将不要的薄膜去除
何谓Under-etching(蚀刻不足)?
答:系指被蚀刻材料,在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
何谓Over-etching(过蚀刻)
答:蚀刻过多造成底层被破坏
何谓Etch rate (蚀刻速率)
答:单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
何谓Seasoning (陈化处理)
答:是在蚀刻室的清净或更换零件后,为要稳定制程条件,使用仿真(dummy)晶 圆
进行数次的蚀刻循环。
Asher的主要用途:
答:光阻去除
Wet bench dryer 功用为何?
答:将晶圆表面的水份去除
列举目前Wet bench dry方法:
答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) I PA Vapor Dry
何谓 Spin Dryer
答:利用离心力将晶圆表面的水份去除
何谓 Mar agon i Dryer
答:利用表面张力将晶圆表面的水份去除
何谓 IPA Vapor Dryer
答:利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
测Particle时,使用何种测量仪器?
答:Tencor Surf scan
测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?
答:膜厚计,测量膜厚差值
何谓AEI
答:After Etching Inspection 蚀刻后的检查
AEI 口检Wafer须检查哪些项口 :
答:(1)正面颜是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle (3)刻号是否正确
金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?
答:清机防止金属污染问题
金属蚀刻机台asher的功用为何?
答:去光阻及防止腐蚀
金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?
蚀刻工艺答:因为金属线会溶于硫酸中
"Hot Plate”机台是什幺用途?
答:烘烤
Hot Plate烘烤温度为何?
答:90~120 度 C
何种气体为Poly ETCH主要使用气体?
答:C12, IIBr, IIC1
用于Al金属蚀刻的主要气体为
答:C12, BC13
用于W金属蚀刻的主要气体为
答:SF6
何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?
答:C4F8, C5F8, C4F6
硫酸槽的化学成份为:
答:H2SO4/H2O2
AMP槽的化学成份为:
答:XII40II/II202/II20
UV curing是什幺用途?
答:利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
"UV curing”用于何种层次?
答:金属层
何谓EMO?
答:机台紧急开关
EMO作用为何?
答:当机台有危险发生之顾虑或己不可控制,可紧急按下
湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?
答:(1)警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2)机械手臂危险.严禁打开此门 (3
)化学药剂危险.严禁打开此门
遇化学溶液泄漏时应如何处置?
激光绣花机答:严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻泄漏管路.
遇IPA槽着火时应如何处置??
答:立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组
BOE槽之主成份为何?
答:HF ()与NH4F (氟化铉).
BOE为那三个英文字缩写?
答:Buffered Oxide Etcher 。
有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?
答:当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出
电浆的频率一般13. 56 MHz,为何不用其它频率?
答:为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如
380〜420KHz ,1
3. 56MIIz, 2. 54GIIz 等
何谓 ESC (electrical static chuck)
答:利用静电吸附的原理,将Wafer固定在极板(Substrate)上
Asher主要气体为
ir测试
答:02
Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?
答:温度
简述TURBO PUMP原理
答:利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR
热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何?
答:将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地
简述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理?
答:藉由氮气之度好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化
ORIENTER之用途为何?
答:搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题
简述EPD之功用
答:侦测蚀刻终点;End point detector利用波长侦测蚀刻终点
何谓MFC?
烘手机答:mass flow controler气体流量控制器;用于控制 反应气体的流量
卧式冷室压铸机GDP为何?
答:气体分配盘(gas distribution plate)
GDP有何作用?
答:均匀地将气体分布于芯片上方
何,谓 isotropic etch?
答:等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等
何谓 anisotropic etch?
答:非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少
何谓etch选择比?
答:不同材质之蚀刻率比值
何谓AEI CD?
答:蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)
何谓 CD bias?
门襟衬衫答:蚀刻CD减蚀刻前黄光CD
简述何谓田口式实验计划法?
答:利用混合变因安排辅以统计归纳分析
何谓反射功率?
答:蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值 反
射掉,此反射之量,称为反射功率
Load Lock之功能为何?
答:Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿 度的 影响.
厂务供气系统中何谓Bulk Gas ?
答:Bulk Gas为大气中普遍存在之制程气体,如N2, 02, Ar等.
厂务供气系统中何谓Inert Gas?
答:Inert Gas为一些特殊无强烈毒性的气体,如NII3, CF4, CIIF3, SF6等.
厂务供气系统中何谓Toxic Gas ?
答:Toxic Gas为具有强烈危害人体的毒性气体,如SiII4, C12, BC13 等.
机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理?
答将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作
冷却器的冷却液为何功用?
答:传导热
Etch之废气有经何种方式处理?
答:利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽
何谓RPM?
答:即Remote Power Module,系统总电源箱.
火灾异常处理程序
答:(1)立即警告周围人员.(2)尝试3秒钟灭火.(3)按下EM0停止机台.(4) 关
闭VMB Valve并通知厂务.(5)撤离.
一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序
答:(1)警告周围人员.(2)按Pause键,暂止Run货.(3)立即关闭VMB阀, 并通
知厂务.(4)进行测漏.
高压电击异常处理程序
答:(1)确认安全无虑下,按EMO键(2)确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3)处理 受 伤人员
T/C (传送Transfer Chamber)之功能为何?
答:提供一个真空环境,以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送Wafer,节省时间.
机台PM时需佩带面具否
答:是,防毒面具
机台停滞时间过久run货前需做何动作
答:Seasoning (陈化处理)
何谓日常测机
答:机台日常检点项目,以确认机台状况正常
何谓 WAC (Waferless Auto Clean)
答:无wafer自动干蚀刻清机

本文发布于:2024-09-25 11:21:10,感谢您对本站的认可!

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