一种平面振膜结构的制作方法



1.本发明属于平面振膜耳机技术领域,具体而言,涉及一种平面振膜结构。


背景技术:



2.平面振膜耳机技术是一项耳机发声技术。该技术将音圈和振膜一体化处理,振膜放置于磁场中,通过音圈中的电流信号变化在磁场中带动振膜同步运动而产生声音。
3.平面振膜是将线圈部分与振动膜层结合在一起的振膜结构,其中,线圈部分和振动膜层是单独制作然后贴合组装在一起。目前,平面振膜上的线圈部分主要是单面设计,即,在振动膜层的其中一表面上贴合有一线圈部分,由于耳机的空间有限,这种线圈部分单面设计方式,导致导电线圈中的导线长度有限及线圈部分中的导电线圈的圈数也有限,从而导致振动膜层需要较高的电压驱动才能有理想的声音输出,从而导致喇叭的效率不高。


技术实现要素:



4.为了解决现有技术存在的问题,本发明旨在提供一种平面振膜结构,以实现增加导线的长度及导电线圈绕线的圈数。
5.为达到上述技术目的及效果,本发明通过以下技术方案实现:一种平面振膜结构,包括振膜本体和设置在所述振膜本体上的导电线圈,所述振膜本体至少设置有一组及所述导电线圈设置有两组,且两组所述导电线圈分别设置在对应的所述振膜本体上,并且两组所述导电线圈通过导电介质导通。
6.进一步的,所述振膜本体设置一组,所述导电线圈设置在所述振膜本体的上下表面。
7.进一步的,还包括有一个带折环振膜,其中一组所述导电线圈与所述带折环振膜接触。
8.进一步的,所述振膜本体设置两组,每组所述振膜本体上均设置有一组所述导电线圈。
9.进一步的,所述导电线圈相对设置,且所述导电线圈之间通过绝缘胶隔开。
10.进一步的,所述振膜本体相对设置,且振膜本体之间通过绝缘胶隔开。
11.进一步的,所述振膜本体的材质为pet或pen或pei或tpu。
12.进一步的,所述振膜本体的表面镀有金属层,并通过激光将所述金属层刻成逐层扩展排列的所述导电线圈。
13.进一步的,所述导电线圈上分别开设有贯穿其上下端面的接触孔。
14.进一步的,所述振膜本体为方型。
15.本发明的有益效果如下:1、本发明通过增加导线线圈的方式,实现了增加导线的长度及导电线圈绕线的圈数,提高了导电线圈的阻值,提升了喇叭的效率,实现喇叭更高的声压级及声学效率。
16.2、本发明通过在振膜本体上镀金属后,通过激光刻出导电线圈,有效的提升了导
电线圈与振膜本体的连接强度的同时,实现了在振膜本体刻出更长且绕设更多圈数的导电线圈。
17.上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
18.此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本技术的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:图1为本发明平面振膜第一实施例结构示意图;图2为本发明平面振膜第一实施例俯视图;图3为本发明图2中c-c剖视图;图4为本发明平面振膜第二实施例中单组振膜本体和单组导电线圈连接示意图;图5为本发明平面振膜第二实施例第一种连接示意图;图6为本发明平面振膜第二实施例第一种连接俯视图;图7为本发明图6中a-a剖视图;图8为本发明平面振膜第二实施例第二种连接示意图;图9为本发明平面振膜第二实施例第二种连接俯视图;图10为本发明图9中b-b剖视图;图11为本发明第一实施例方型结构与带折环振膜连接示意图;图12为本发明新型第一实施例圆形结构与带折环振膜连接示意图。
19.图中标号说明:1、振膜本体;2、导电线圈;3、导电介质;4、绝缘胶;5、带折环振膜;201、接触孔。
具体实施方式
20.下面将参考附图并结合实施例,来详细说明本发明。
21.需要说明,本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、上端、下端、顶部、底部
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
22.第一实施例参见图1-3所示,一种平面振膜结构,包括振膜本体1和设置在所述振膜本体1上的导电线圈2,所述导电线圈2中的电流信号变化在磁场中带动所述振膜本体1同步运动产生声音,所述振膜本体1设置有一组及所述导电线圈2设置有两组,且两组所述导电线圈2分别设置在所述振膜本体1的上下表面,并且两组所述导电线圈2通过导电介质3导通,实现增加导线的长度及导电线圈绕线的圈数。
23.第二实施例参见图4-10所示,与第一实施例不同的是,所述振膜本体2和所述导电线圈2分别设置有两组,每组所述振膜本体1上均设置有一组所述导电线圈2,两组所述导电线圈2通过导电介质3导通,实现增加导线的长度及导电线圈绕线的圈数;使用时,继续参见图5-7所
示,两组所述电线圈2相对设置,且所述导电线圈2之间通过绝缘胶4隔开并黏连为一体;或者,继续参见图8-10所示,两组所述振膜本体1相对设置,且振膜本体1之间通过绝缘胶4隔开并黏连为一体,此时,设置在所述振膜本体1上的所述导电线圈2均位于两组所述振膜本体1黏连为一体后的上下端面。
24.其中,在第一实施例和第二实施例中,所述振膜本体1的外形为方型,但不仅限与方型,也可以为其它形状,例如:圆形、椭圆等;而所述振膜本体1为高分子材料,例如:pet、pen、pei、tpu等;但不仅限于高分子材料,也可以为陶瓷、石墨等材料。
25.此外,用于将所述导电线圈2连通的所述导电介质3可以是导电银浆、焊接、电阻焊接、导线连接等,而接触点可以采用光滑平面连接,也可以在所述导电线圈2上开设孔连接,以增加接触面积,因此,只要能实现所述导电线圈2之间的连通即可;在本实施方式中,继续参见图3、图4、图7、图10所示,两组所述导电线圈2上分别开设有贯穿其上下端面的接触孔201,且两组所述导电线圈2上的所述接触孔201均一一对应,并且对应的所述接触孔201均连通;而对应连通的所述接触孔201中分别设置有所述导电介质3,所述导电介质3分别与所述接触孔201的孔壁接触,从而实现所述导电线圈2的导通;进而实现增加导线的长度及导电线圈绕线的圈数的目的。
26.另外,需要说明的是,所述导电线圈2是通过激光刻在所述振膜本体1上,具体为,将所述振膜本体1上需要设置所述导电线圈2的表面镀上金属后,通过激光将所述金属层刻成逐层扩展排列的所述导电线圈2,有效的提升了所述导电线圈2和所述振膜本体1连接强度,避免了所述导电线圈2从所述所述振膜本体1上脱落,以及有效的提升了所述振膜本体1表面的利用率,实现导线导线的长度及导电线圈绕线的圈数的增加。
27.继续参见图1-3所示,第一实施例中,通过所述振膜本体1的上下表面分别设置有一组所述导电线圈2,即可单独作为平面振膜使用;参见图11-12所示,也可与一个带折环振膜5组合使用,即,作为球顶部分复合到所述带折环振膜5上,具体为,将其中一组所述导电线圈2与所述带折环振膜5接触,这样不仅解决了所述导电线圈2不能做折环的缺陷,而且多层所述导电线圈2的设计方式又能有较大的驱动力。
28.以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征:


1.一种平面振膜结构,包括振膜本体(1)和设置在所述振膜本体(1)上的导电线圈(2),其特征在于:所述振膜本体(1)至少设置有一组及所述导电线圈(2)设置有两组,且两组所述导电线圈(2)分别设置在对应的所述振膜本体(1)上,并且两组所述导电线圈(2)通过导电介质(3)导通。2.根据权利要求1所述的平面振膜结构,其特征在于:所述振膜本体(1)设置一组,所述导电线圈(2)设置在所述振膜本体(1)的上下表面。3.根据权利要求2所述的平面振膜结构,其特征在于:还包括有一个带折环振膜(5),其中一组所述导电线圈(2)与所述带折环振膜(5)接触。4.根据权利要求1所述的平面振膜结构,其特征在于:所述振膜本体(1)设置两组,每组所述振膜本体(1)上均设置有一组所述导电线圈(2)。5.根据权利要求4所述的平面振膜结构,其特征在于:所述导电线圈(2)相对设置,且所述导电线圈(2)之间通过绝缘胶(4)隔开。6.根据权利要求6所述的平面振膜结构,其特征在于:所述振膜本体(1)相对设置,且振膜本体(1)之间通过绝缘胶(4)隔开。7.根据权利要求1~6中任一项所述的平面振膜结构,其特征在于:所述振膜本体(1)的材质为pet或pen或pei或tpu。8.根据权利要求7所述的平面振膜结构,其特征在于:所述振膜本体(1)的表面镀有金属层,并通过激光将所述金属层刻成逐层扩展排列的所述导电线圈(2)。9.根据权利要求8所述的平面振膜结构,其特征在于:所述导电线圈(2)上分别开设有贯穿其上下端面的接触孔(201)。10.根据权利要求1所述的平面振膜结构,其特征在于:所述振膜本体(1)为方型。

技术总结


本发明公开了一种平面振膜结构,包括振膜本体和设置在所述振膜本体上的导电线圈,所述振膜本体至少设置有一组及所述导电线圈设置有两组,且两组所述导电线圈分别设置在对应的所述振膜本体上,并且所述两组导电线圈通过导电介质导通。本发明通过增加导线线圈的方式,实现了增加导线的长度及导电线圈绕线的圈数,提高了导电线圈的阻值,提升了喇叭的效率,实现喇叭更高的声压级及声学效率,其次,通过在振膜本体上镀金属后,通过激光刻出导电线圈,有效的提升了导电线圈与振膜本体的连接强度的同时,实现了在振膜本体刻出更长且绕设更多圈数的导电线圈。圈数的导电线圈。圈数的导电线圈。


技术研发人员:

孟献振 杜志煜

受保护的技术使用者:

苏州鸿声声学科技有限公司

技术研发日:

2022.09.20

技术公布日:

2022/12/12

本文发布于:2024-09-24 08:26:37,感谢您对本站的认可!

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