海思芯片TC 测试技术规范

海思TC(Temperature Cycling)测试技术规范

拟制：克鲁鲁尔

审核：

批准：

日期：2019-11-11

历史版本记录

筛片

适用范围:yig滤波器

该测试用来检查芯片是否会因为热疲劳失效。本规范适用于量产芯片验证测试阶段的TC(Temperature Cycling)测试需求。

简介：

该测试是为了确定芯片在高低温交替变化下的机械应力承受能力。这些机械应力可能导致芯片出现永久的电气或物理特性变化。

引用文件：

女儿墙泛水下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。

1. TC 测试流程

失效分析

功能、性能失效

物理损伤

注意：做TC 测试的芯片需经过PC(Preconditioning)预处理。

2. TC 测试条件胎盘提取液

水写布2.1 温度

温循的高低温条件如下表：

实际的高低温须参照Datasheet 说明，一般在“建议运行条件(Recommended Operating Conditions)”会给出建议运行的环境温度范围。例如进芯的ADP16F0X ：

温循温度示意图：

金属弹片

说明：

Ts(min)为温循最低温度

Ts(max)为温循最高温度

cycle time为温循周期

Ramp rate为温升率

建议Cycle周期0.5h，即2 cycles/hour。

建议温升率(Ramp rate)不超过15℃/min。 Ts(min)和Ts(max)的持续时间不低于1min。

2.2 循环次数

参考JESD47标准：

本文发布于:2024-09-20 20:32:07，感谢您对本站的认可！

标签：芯片规范测试文件温度建议机械

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