1单晶硅片 (企业标准)

太阳能级单晶硅片

1 范围

本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。

2 规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

3 术语和定义

3.1

本产品导电类型为p-型半导体硅片

导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。

3.2

杂质浓度

单位体积内杂质原子的数目。本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。

3.3

体电阻率

单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。一般来说，体电阻率为材料中平行

电流的电场强度与电流密度之比。符号为ρ，单位为Ω·cm 。

3.4

四探针

测量材料表面层电阻率的一种探针装置。排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。

3.5

寿命

晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。又称少数载流子寿命，简称少子寿命。寿命符号τ，单位为μs 。

3.6

孪晶

在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。

3.7

单晶

不含大角晶界或孪晶界的晶体。

3.8

直拉法（CZ）

本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。

3.9

对角线稀疏化

横穿圆片表面，通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交的直线长度。

3.10

硅片中心厚度

硅片中心点垂直于表面方向穿过硅片的距离为硅片中心厚度。

3.11

厚度允许偏差

硅片厚度的测量值与标称值的最大允许差值。

3.12

总厚度变化 (TTV)

在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测量的硅片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。

3.13

翘曲度

硅片中心面与基准片面之间的最大和最小距离的差值。翘曲度是硅片一种体性质而不是表面特性。

3.14

崩边

硅片边缘或表面未贯穿硅片的局部损伤区域，当崩边在硅片边缘产生时，其尺寸有径向深度和周边弦长给出。

3.15

缺角

上下贯穿硅片边缘的缺损。

3.16

裂纹、裂痕

延伸到硅片表面，有可能贯穿，也可能不贯穿整个硅片厚度的解理或裂纹或裂痕。

3.17

C角

单晶方棒四个角用滚磨机滚出圆弧形。

3.18

晶向

同一个格子可以形成方向不同的晶列，每一个晶列定义了一个反向，称为晶向。

3.19

晶向偏离度

晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。

4 技术要求

4.1 外观要求

外观要求见表1。智能sd卡

表1：外观要求

品等	要求
A等	表面清洁没有油污，不允许有裂纹、气孔、孪晶、未滚磨以及缺角的现象
B等	允许有轻微白、斑点及水印，不允许有裂纹、气孔、孪晶、未滚磨以及缺角的现象

4.2 规格尺寸及极限偏差

4.2.1 规格尺寸及极限偏差应符合表2、表3、表4规定。

表2：6寸单晶硅片规格尺寸及极限偏差

项目	指标
项目	A 等	B 等
中心厚度/（μm）	200±20	200±20
总厚度变化（TTV）/（μm）	≤30	≤40
边长/（mm）	125±0.5	125±0.5
对角线/（mm）	150±0.5	150±0.5
C角/（mm）	21±0.8	21±0.8
翘曲度/（μm）	≤200 um，且75-200um的占有率不允许超过1%	75≤翘曲度≤200
线痕/（μm）	﹤15	15≤深度≤20
边缘崩边	不允许	崩边深度≤0.5mm，长度≤0.8mm，Max为3个/片，不允许有“V”形缺口

表3：6.5寸单晶硅片规格尺寸及极限偏差

项目	指标
项目	A 等	B 等
中心厚度/（μm）	200±20	200±20
总厚度变化（TTV）/（μm）	≤30	≤40汽车智能防盗系统
边长/（mm）	125±0.5	125±0.5硅棒
对角线/（mm）	165±0.5	165±0.5
C角/（mm）	8.65±0.65	8.65±0.65
翘曲度/（μm）	≤200 um，且75-200um的占有率不允许超过1%	75≤翘曲度≤200
线痕/（μm）	﹤15	15≤深度≤20
边缘崩边	不允许	崩边深度≤0.5mm，长度≤0.8mm，Max为3个/片，不允许有“V”形缺口

表4：8寸单晶硅片规格尺寸及极限偏差

项目	指标
项目	A 等	B 等
中心厚度/（μm）	200±20	200±20
总厚度变化（TTV）/（μm）	≤30	≤40
边长/（mm）	156±0.5	156±0.5
对角线/（mm）	200±0.5	200±0.5
C角/（mm）	15.4±0.6	15.4±0.6
翘曲度/（μm）	≤200 um，且75-200um的占有率不允许超过1%	75≤翘曲度≤200
线痕/（μm）	﹤15	15≤深度≤20
边缘崩边	不允许	崩边深度≤0.5mm，长度≤0.8mm，Max为3个/片，不允许有“V”形缺口

4.2.2 单晶硅片对角线（Φ）、边长（W）、C角尺寸（C）见图1。

图1

4.3 理化指标

理化指标应符合表5规定。

表5：理化指标

	项目	指标
	项目	A等	B等
1	生长方式	CZ	CZ 工艺品加工设备
背心袋2	晶向	〈100〉	〈100〉
3	晶向偏离度/（°） ﹤	±1.5	±1.5
4	导电类型	P	P
5	掺杂剂	Boron（B）	Boron（B）
6	氧含量/（atoms/cm3） ≤	1.0×1018	1.0×1018
7	碳含量/（atoms/cm3） ≤	5.0×1017	5.0×1017
8	电阻率范围（ρ）/（Ω·cm）	1.0～3.0，3.0～6.0	1.0～3.0，3.0～6.0
9	少子寿命（τd）/（μs） ≥	10（钝化后）	10（钝化后）

4.4 单晶硅棒编号

单晶硅片从该编号的单晶硅棒切割出来，该单晶硅棒的编号含义如下。

□ □ □ □ □ □

晶棒位置

晶棒序号

该炉出炉的晶棒根数

出炉总数

炉号

年号

示例：单晶硅棒编号为090809322B表示该硅棒是2009年第8号炉出的第93炉的2根晶棒中的第2根晶棒，该截断晶棒在原出炉晶棒的B段，见图2。

头 A段 B段 C段尾

图2

5 试验方法

5.1 感官要求

在室温下，光线明亮的室内手感、目测检查。

5.2 规格尺寸

5.2.1 中心厚度和总厚度变化（TTV）

中心厚度和总厚度变化使用相应精度的千分表测量。

5.2.2 边长和对角线

边长和对角线使用相应精度的游标卡尺测量。

5.2.3 C角

C角使用90°角尺测量。

5.2.4 翘曲度

翘曲度使用塞尺测量。

5.2.5 线痕

线痕使用粗糙度测量仪测量。

5.2.6 崩边

崩边长度和深度使用相应精度的游标卡尺测量并目测。

5.3 理化指标

5.3.1 生长方式

生长方式由单晶硅棒生长炉而决定，因此检查单晶硅棒生长炉是否符合要求。

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