(19)中华人民共和国国家知识产权局小麦磨粉机
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910155838.0
(22)申请日 2019.03.01
(71)申请人 西安交通大学
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
(72)发明人 刘明 胡忠强 周子尧 王志广
王立乾 关蒙萌 段君宝
(74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任
公司 61200
代理人 徐文权
(51)Int.Cl.
H01L 43/08(2006.01)
铜管焊接H01L 43/02(2006.01)
H01L 43/12(2006.01)
H01L 43/10(2006.01)
(54)发明名称
(57)摘要
一种磁阻传感器结构及其制造方法，包括基
离子风机aryang底、缓冲层、相变结构、绝缘层和导电材料电极； 博物馆展柜制作
变结构和绝缘层，绝缘层设置在相变结构的两
侧，且绝缘层高于相变结构；两个绝缘层顶部之
间设置有导电材料电极；相变结构包括铁磁层、
相变材料和非磁层。本发明将使用相变材料作为
非磁性隔离层，由于室温下绝缘的相变材料在电
流作用下可转变为导电材料，使磁阻传感器可在
GMR与TMR两种效应间可控翻转，实现对磁阻传感
器线性测量范围的动态调控。权利要求书2页 说明书5页 附图2页CN 109888088 A 2019.06.14
C N 109888088
A
权 利 要 求 书1/2页CN 109888088 A
声音定位1.一种磁阻传感器结构，其特征在于，包括基底(5)、缓冲层(4)、相变结构(3)、绝缘层
(2)和导电材料电极(1)；缓冲层(4)设置在基底(5)的上表面，缓冲层(4)上设置有相变结构
(3)和绝缘层(2)，绝缘层(2)设置在相变结构(3)的两侧，且绝缘层高于相变结构(3)；两个绝缘层(2)顶部之间设置有导电材料电极(1)；相变结构(3)包括铁磁层、相变材料和非磁层。
2.一种磁阻传感器结构的制造方法，其特征在于，基于权利要求1所述的一种磁阻传感器结构，包括以下步骤：
步骤1，提供Si基底，并对Si基底进行预处理；
步骤2，利用光刻技术在基底上形成第一预定义图形；
步骤3，采取磁控溅射薄膜生长技术在基底上生长磁性结构长条，此磁性长条由多层薄膜结构叠加溅射形成，由基底开始依次为：底层导电材料电极/缓冲层/非磁层/铁磁层/相变材料/铁磁层/缓冲层，其中非磁层/铁磁层/相变材料/铁磁层为相变结构；
步骤4，通过先光刻，后刻蚀然后去胶的微加工工艺，在基底上形成第二预定义图形，其被光刻胶保护的部分未受到刻蚀的影响，该图形周围的部分仅剩底层电极/缓冲层/铁磁层三部分，而组成相变结构的铁磁/相变/铁磁结构层被刻蚀清除，仅余导电材料与磁性材料构成导电的磁阻层；
步骤5，利用光刻技术在基底形成第三预定义图形；
步骤6，在磁阻层上沉积绝缘材料形成绝缘层：即利用磁控溅射薄膜生长技术，在处理好的基底上生长绝缘层SiO2材料；
步骤7，丙酮清洗后去除多余薄膜，利用光刻使绝缘层与磁阻层上形成第四预定义图形；
步骤8，利用磁控溅射薄膜生长技术，生长导电材料做电极；
步骤9，丙酮清洗，去除多余薄膜，形成磁阻传感器结构。
3.根据权利要求2所述的一种磁阻传感器结构的制造方法，其特征在于，步骤1所述的对Si基底进行预处理包括：利用丙酮、酒精和去离子水分别超声清洗5min，之后用N2吹干，在烘箱内保持115℃烘20min。90DYW1
4.根据权利要求2所述的一种磁阻传感器结构的制造方法，其特征在于，步骤2中包括以下步骤：
1)在Si基底上滴加光刻胶后，在匀胶机上先以600转速率旋转10s使得光刻胶覆盖Si 片，再以4000转速率旋转40s使得光刻胶厚度均匀；
2)将旋涂光刻胶的Si基底放入烘箱内，以115℃加热20min，使得光刻胶完全固化；
3)经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行紫外线曝光；
4)显影，去除多余的光刻胶，在Si基底上留下第一预定义图形。
5.根据权利要求4所述的一种磁阻传感器结构的制造方法，其特征在于，光刻胶的型号为APR-3510P。
6.根据权利要求2所述的一种磁阻传感器结构的制造方法，其特征在于，步骤3中利用磁控溅射薄膜生长技术，在处理好的基底上生长薄膜层，去除第一层光刻胶，得到磁性长条材料。
7.根据权利要求2所述的一种磁阻传感器结构的制造方法，其特征在于，步骤4中包括：
2
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