SM7075-12
特点
◆输入电压：85Vac~265Vac
◆拓扑结构支持：低成本BUCK、
BUCK-BOOST等方案
◆待机功耗小于60mW@220Vac ◆集成高压启动电路
◆集成高压功率开关
◆45KHz固定开关频率
◆内置抖频技术，提升EMC性能◆内置过温、过流、过压、欠压
等保护功能
◆内置软启动
◆内置智能软驱动技术（提高
EMC性能）
◆封装形式：TO252-2、TO251
夯实系数应用领域
立体巴士◆电磁炉、电饭煲、电压力锅等
小家电产品电源真空采血器
内部功能框图
HVDD
管脚说明
订购信息
yig滤波器
若无特殊说明，T A=25°C。
注1：最大输出功率受限于芯片结温，最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。在极限参数范围内工作，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。 注2：RθJA在T A=25°C自然对流下根据JEDEC JESD51热测量标准在单层导热试验板上测量。
应崇江注3：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由T JMAX，RθJA和环境温度T A所决定的。最大允许功耗为P D = (T JMAX-T A)/ RθJA或是极限范围给出的数值中比较低的那个值。
电气工作参数（注4、5）
若无特殊说明，T A=25°C。
注4：电气工作参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
注5：规格书的最小、最大参数范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。
注6：过温保护温度为芯片内部设定温度145°C。
功能表述
L
N
◆ 电路图说明
上图为典型的
BUCK-BOOST 电路，其中C1、C2、L1组成π型滤波，有益于改善EMI 特性；R1电阻为浪涌抑制元件；D1为整流二极管，构成半波整流电路。
输出部分L2为储能电感，D2为HVDD 供电二极管；D3为续流二极管，在芯片关断期间提供输出电流通路。
HVDD F_D3
F_D2HVDD OUT
V V V V V ≈-+=
其中，2
_D F V 为D2二极管的导通压降，3
_D F
V 为D3二极管的导通压降。
◆ HVDD 电压
当开关电源启动后，C2电容上的电压会通过芯片内部的高压启动MOS 管向芯片HVDD 电容C3充电，当C3电容电压达到11.5V ，内部高压启动MOS 管关闭，同时PWM 开启，系统开始工作。
当C3电容电压下降到9V 以下，关闭PWM 信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统重新启动，即是欠压保护。
控制部分
通过高压MOS 的电流I D 分成两个部分，其中一部分为I S ，这部分电流为芯片采样电流。I S 与I D 成比例关系：
S
ID D I •G =I
通过上图可知：0.23V R2)I (I FB S =∙+，由此可以得到：
FB S I -2
R
V 230=
I .
以上公式合并，可得到：
).(
FB ID D I -2
R V 230•G =I
从上式可以看出，I FB 电流大，I D 的电流就小；I FB 电流小，I D 的电流就大。当I FB 的电流大于(0.23V / R2)时，芯片会关闭PWM ，同时芯片会自动进入突发模式。
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