全息光刻图形质量的影响因素分析作者：马鹏鹏三相马达
来源：《速读·中旬》2019年第09期 物料周转箱
◆摘 ;要：本文對全息光刻技术进行简单介绍，并对影响全息光刻图形质量的印象因素进行了分析。 ◆关键词：全息光刻;影响;分辨率;图形质量
半导体器件发展速读非常快，特别是在器件方面，基本实现了3年下降60%～70%的线宽。以DRAM为代表的IC技术，线宽已经达到了0.13，在国际尖端项目中已经进入了50nm线
桥壳宽的程度，所以集成电路更新换代重要工艺的光刻技术在深度光刻和高分辨率的发展方向上发展，国际新型极端技术不断涌现。
一、全息光刻概述
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压铸机料筒的设计 全息光刻是一种在分辨率和曝光视场可以得到兼顾的光刻技术，采用离轴全内反射（TIR）全息光刻技术，达到了在150mmX150mm基片上印制0.12[μ]m的高分辨图像，此图像曝光波长为364nm，我们采用分布重复的方法进行再次曝光，还可以再次提高曝光视场。此外全息光刻结构比较简单，可以与传统微电子光刻工艺兼容，在声表面滤波器，光互联，大尺寸平板显示和有源矩阵液晶显示器技术方面有着广泛的应用。湖水净化
二、全息光刻耦合波理论分析
全息光刻包含有镜面全息光刻、聚焦全息光刻、全内反射全息光刻三类，目前来看全内反射全息光刻最有前景，且现如今发展势头最强。全息光刻采用波前共轭的全息方法，通过记录和再现两种方式实现，记录时同全内反射全息方式，把物体携带的信息用干涉方法记录在介质上，在通过显影和定影的方式成为券消息掩摸，再将其放回原处，在利用记 录参考光共轭在现照明光束照明全息掩模，在全息掩模衍射后形成实像，这是初始传统光掩模的再现像，用光致抗蚀制剂来实现介质记录，抗蚀制剂基片放在记录时物体所处的位置上，保持与全息掩膜的间距不变，实现传统光刻掩模上微细图形的信息精准的转到了抗蚀制剂基片上，因此，全息掩模的衍射效率和再现时是否精密复位是影响光刻图形质量的重要影响因素。
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