南京理工大学
硕士学位论文
姓名：夏磊
申请学位级别：硕士
专业：通信与信息系统
指导教师：赵建中
20100601
硕．｛：论文基于ＧａＮ器件射频功率放大电路的设计
摘要
崩解剂
本文主要是基于氮化镓（ＧａＮ）器件射频功率放大电路的设计，在Ｓ波段频率范围内，应用ＣＲＥＥ公司的氮化镓（ＧａＮ）高电子迁移速率晶体管（ＣＧＨ４００１０和ＣＧＨ４００４５）进行的宽带功率放大电路设计。 电梯线束主要工作有以下几个方面：
首先，设计功放匹配电路。在２．７ＧＨｚ＇～３．５ＧＨｚ频带范围内，对中间级和木级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构，使用ＡＤＳ软件对其进行仿真优化，设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下：通带宽度为８００ＭＨｚ，在通带范围内的增益ｄＢ（Ｓ（２，１））＞１０ｄＢ、驻波比ＶＳＷＲＩ＜２、ＶＳＷＲ２＜２，３ｄＢ输出功率压缩点分别大于４０ｄＢｍ、４６ｄＢｍ，效率大于４０％。
大蒜剥皮器
其次，设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能，借助Ｏｒｃａｄ模拟电路仿真软件，设计出满足要求的电源电路。
主动防御
电力网桥最后，分别运用ＡｕｔｏＣＡＤ和ＡｌｔｉｕｍＤｅｓｉｇｎｅｒＳｕｍｍｅｒ０８制图
软件，绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板，并通过对硬件电路的调试，最终使得整体电路满足了设计性能的要求。关键词：功率放大电路，高电子迁移速率晶体管，宽带匹配
Ａｂｓｔｒａｃｔ硕士论文
Ａｂｓｔｒａｃｔ
功ｅｍａｉｎｗｏｒｋｏｆｔｈｉｓｔｈｅｓｉｓｉｓｄｅｓｉｇｎｉｎｇａＲＦｐｏｗｅｒｃｉｒｃｕｉｔｗｈｉｃｈｉｓｂａｓｅｄｏｎＧａＮｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓ．Ａｂｒｏａｄｂａｎｄｍａｔｃｈｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄｉｎ
沥青透水混凝土Ｓ－ｂａｎｄ．ｎｅｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｕｓｅｄｉｎｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｓ
ａｒｅｈｉｇｈｅｌｅｃｔｒｏｎｍｏｂｉｌｉｔｙｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＨＥＭＴ）（ＣＧＨ４００１０ａｎｄＣＧＨ４００４５）ｏｆＣＲＥＥｃｏｍｐａｎｙ．
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