半导体器件常用型号参数
一、半导体二极管参数符号及其意义
Cj---结〔极间〕电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容船舶智能焊接技术
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度确实定变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流〔正向测试电流〕。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流〔平均值〕，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF〔AV〕---正向平均电流
IFM〔IM〕---正向峰值电流〔正向最大电流〕。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向
脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流〔浪涌电流〕
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEB10---双基极单结晶体管中放射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中放射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管把握极触发电流
IGD---晶闸管把握极不触发电流
IGFM---把握极正向峰值电流IR
〔AV〕---反向平均电流
IR〔In〕---反向直流电流〔反向漏电流〕。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作
电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流〔反向浪涌电流〕
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流〔反向测试电流〕。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向〔整流〕电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值〔品质因素〕δ
vz---稳压管电压漂移di/dt---
通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT〔AV〕---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---把握极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF〔r〕---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I 称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs) -- 串联电阻
Rth --- 热阻
R(th)ja --- 结到环境的热阻
Rz(ru) -- 动态电阻
R(th)jc -- 结到壳的热阻
r δ --- 衰减电阻高见光
r(th)-- 瞬态电阻
Ta - 环境温度
Tc-- 壳温
td-- 延迟时间
tf - 下降时间叉车轮辋
tfr --正向恢复时间
tg -- 电路换向关断时间
tgt -- 门极把握极开通时间
Tj -- 结温
Tjm-- 最高结温
ton -- 开通时间
toff -- 关断时间
tr -- 上升时间
trr -- 反向恢复时间
ts -- 存储时间
tstg-- 温度补偿二极管的贮成温度
a -- 温度系数
λp-- 发光峰值波长
△ λ --- 光谱半宽度
η---- 单结晶体管分压比或效率
VB -- 反向峰值击穿电压
Vc - 整流输入电压
VB2B1 -- 基极间电压
VBE10 - 放射极与第一基极反向电压
VEB-- 饱和压降
VFM-- 最大正向压降〔正向峰值电压〕
VF -- 正向压降〔正向直流电压〕
△VF -- 正向压降差
VDRM-- 断态重复峰值电压
VGT -- 门极触发电压
VGD -- 门极不触发电压
VGFM-- 门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF〔AV〕---正向平均电压
Vo---沟通输入电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压〔反向直流电压〕
VRM---反向峰值电压〔最高测试电压〕
V〔BR〕---击穿电压
Vth---阀电压〔门限电压〕
VRRM---反向重复峰值电压〔反向浪涌电压〕
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
静电纺丝装置
Vs---通向电压〔信号电压〕或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压〔稳流二极管〕
VL ---极限电压
二、双极型晶体管参数符号及其意义
Cc---集电极电容
Ccb---集电极与基极间电容
Cce---放射极接地输出电容
Ci---输入电容
Cib---共基极输入电容
Cie---共放射极输入电容
Cies---共放射极短路输入电容
Cieo---共放射极开路输入电容
Cn---中和电容〔外电路参数〕
Co---输出电容
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe---共放射极输出电容
Coeo---共放射极开路输出电容
Cre---共放射极反响电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容〔外电路参数〕
Cp---并联电容〔外电路参数〕
BVcbo---放射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE 结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB 结击穿电压BVces-
-
-基极与放射极短路CE 结击穿电压
BV cer---基极与放射极串接一电阻，CE 结击穿电压
www.52iiiD---占空比
fT---特征频率
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1 时的工作频率
hFE---共放射极静态电流放大系数
hIE---共放射极静态输入阻抗
hOE---共放射极静态输出电导
h RE---共放射极静态电压反响系数
hie---共放射微小信号短路输入阻抗
hre---共放射微小信号开路电压反响系数
hfe---共放射微小信号短路电压放大系数
hoe---共放射微小信号开路输出导纳
电线印字机IB---基极直流电流或沟通电流的平均值Ic--
-集电极直流电流或沟通电流的平均值IE---
放射极直流电流或沟通电流的平均值
Icbo---基极接地，放射极对地开路，在规定的VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---放射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与放射极之间的反向截止电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB 条件下，放射极与基极之间的反向截止电流
Icer---基极与放射极间串联电阻R，集电极与放射极间的电压VCE 为规定值时，集电极与放射极之间的反向截止电流
Ices---放射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与放射极之间的反向截止电流
Icex---放射极接地，基极与放射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE 下，集电极与放射极之间的反向截止电流
ICM---集电极最大允许电流或沟通电流的最大平均值。
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或沟通电流的最大平均值
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ISB---二次击穿电流
IAGC---正向自动把握电流
Pc---集电极耗散功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pi---输入功率
Po---输出功率
Posc---振荡功率
Pn---噪声功率
Ptot---总耗散功率
ESB---二次击穿能量
rbb ---基区扩展电阻〔基区本征电阻〕
rbb Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie---放射极接地，沟通输出短路时的输入电阻
roe---放射极接地，在规定VCE、Ic 或IE、频率条件下测定的沟通输入短路时的输出电阻RE---外接放射极电阻〔外电路参数〕
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