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卤化氰的制造方法、氰酸酯化合物及其制造方法、以及树脂组合物[

专利名称：卤化氰的制造方法、氰酸酯化合物及其制造方法、以及树脂组合物

专利类型：发明专利

发明人：片桐诚之，菅野裕一，池野健人，津布久亮，德住启太，有井健治，小林宇志，十龟政伸，马渕義则，加藤祯启

申请号：CN201380055999.3

甘汞电极申请日：20131025

公开号：CN104755422A

公开日：

20150701rs232 ttl

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明的课题在于，提供在氰酸酯化合物制造中抑制了副反应的卤化氰的有效制造方法、以及以高产率得到高纯度的氰酸酯化合物的制造方法。一种卤化氰的制造方法，其具备如下的卤化氰制造工序，即，该卤化氰制造工序通过使卤素分子接触含有氰化氢和/或金属的水溶液，从而使前述氰化氢和/或前述金属与前述卤素分子在反应液中进行反应而得到卤化氰，在该卤化氰制造工序中，前述氰化氢或前述金属的用量是相对于1摩尔前述卤素分子超过1摩尔的用量，且将未反应氰化氢或未反应金属的物质量记作(A)摩尔、将生成的卤化氰的物质量记作(B)摩尔时，在(A):(A)+(B)处于0.00009:1～0.2:1之间的状态下结束反应。

申请人：三菱瓦斯化学株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

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本文发布于:2024-09-23 05:21:20，感谢您对本站的认可！

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