三通截止阀
The document was prepared on January 2, 2021冷凝器设计
电介质刻蚀面临材料和工艺的选择
半导体加工中,在晶片表面形成光刻胶图形,然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转移到光刻胶下面的材料层上.这一工艺过程要求非常精确.但是,各种因素例如不断缩小的线宽、材料毒性以及不断变大的晶片尺寸等都会使实际过程困难得多. 甲醇控制器 Applied Materials公司电介质刻蚀部总经理Brian Shieh说：“前段FEOL和后段BEOL电介质刻蚀的要求各不相同,因此要求反应器基本功能具有很大的弹性,对于不同的要求都能够表现出很好的性能.”
烟花机械Dow Chemical公司新技术部总监Michael Mills说：“从目前和近期的发展来看,电介质刻蚀设备还不会出现很大问题.”
“目前的研究重点是双嵌入式工艺、低k材料和高纵宽比接触孔的刻蚀."Hitachi High Technologies America公司高级工艺经理Jason Ghormley说：“氧化硅刻蚀要求能够精确控制各向异性刻蚀过程,尽量减少侧壁钝化层,同时保证整体结构比较完美.这是氧化硅刻蚀的一个普遍问题,因为其工艺控制与化学反应相关.对于氧化硅刻蚀来说,在反应器中使用含硅材料是非常有用的,因为它能控制氟原子和含碳自由基的比例,有助于在垂直方向的刻蚀反应和控制侧壁钝化层之间取得平衡.”
后段和前段面临的问题
Shieh塑料静电分离机靠谱吗认为双嵌入式工艺是很复杂的应用,因为它涉及到各种各样的材料以及相应的整合问题,例如光刻胶或BARC对微通孔via的部分或全部填充、多层掩膜版的使用、硬掩膜层或金属掩膜层的使用等.他说：“我们需要的是一整套解决方案,不管用户的要求是什么,它都能很好地达到要求.方法之一是使刻蚀具有很宽的工艺窗口,能够提供经过优化的最佳工艺条件和很好的工艺控制能力,满足下一代材料和技术的要求.这些新功能可以同时解决前段FEOL和后段程控步进衰减器系统BEOL面临的各种问题.当然,对于FEOL和BEOL来说,也许还需要做一些很小的调整,但是其基本功能应该是一样的.”
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