摘ca3780 要
在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法.经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。一定程度上，干法刻蚀的水平决定了集成电路器件性能和生产规模.突变体
本课程设计主要讨论半导体制造工艺中非常重要的步骤--—刻蚀，详细描述了干法刻蚀的物理方法和化学方法以及基本原理,重点讲述干法刻蚀技术在半导体制造工艺中的应用和未来的发展。
程控步进衰减器系统
关键词：半导体制造，刻蚀，干法刻蚀，金属刻蚀
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www.pkk123第1章绪 论
在微电子学领域中,自1948年发明晶体管，随后出现集成电路，直到整个六十年代的二十年里,半导体器件光刻工艺中对各种材料均采用不同的实际进行腐蚀，惯称湿法腐蚀。然而,当器件集成度进入中规模。结构尺寸小于十微米时,惯用的湿法腐蚀由于毛细现象和各向同性的腐蚀性就难以保证精度和重复性，迫切需要寻新的技术途径。虽然人们早已认识到原子核游离基具有远强于分子的化学活性,但一直没有应用到对固体材料的腐蚀技术上。直至六十年代末才发现氧等离子体可用于去除残留碳化物，并成功地用于等离子体去胶工艺中。随后很快地发展了半导体器件工艺中的干法刻蚀技术。自七十年代初,以辉光放电产生的气体等离子体进行腐蚀加工。至今三十多年,经历了多样化的发展过程，使技术不断得到完善和创新.它的发展是与集成电路的高速发展有着密切关系的。反过来说，干法刻蚀的水平很大程度上决定了集成电路器件和生产规模。
广义而言,所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分
为湿式刻蚀（wet etching）和干式刻蚀（dry etching)两种技术。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(selectivity）。然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀.当刻蚀溶液做纵向刻蚀时,侧向的刻蚀将同时发生，进而造成底切（Undercut）现象，导致图案线宽失真，如下图所示。
图1-1 底切现象
自1970年以来，元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术（也叫等离子体刻蚀技术），人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。在现今的半导体集成电路或LCD制造过程中，要求精确地控制各种材料尺寸至次微米大小,而且还必须具有极高的再现性，电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成的技术，因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及TFT LCD Array制造中的主要技术之一。
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