一种碳化硅外延生长源管路系统的制作方法

1.本发明涉及碳化硅外延片生产设备技术领域，具体涉及一种碳化硅外延生长源管路系统。

背景技术：

2.c/si(通入外延生长反应腔中气体中总的c元素与总的si元素之比)是碳化硅外延生长最关键的参数之一，c/si会影响碳化硅外延层的掺杂浓度及缺陷的形成。因此需要生长出高质量的碳化硅外延薄膜，就需要稳定地控制整个碳化硅外延生长过程中外延生长反应腔中的c/si。虽然中国文献cn114855279a(申请日：2022年06月14日)公开了一种碳化硅外延生长管路系统，但该技术方案以及现有技术的碳化硅外延生长管路系统任然存在难以稳定控制整个碳化硅外延生长过程中，外延生长反应腔内的c/si的缺陷，进而影响碳化硅外延薄膜的质量。

技术实现要素：

3.针对现有技术的不足，本发明提供了一种碳化硅外延生长源管路系统，其主要解决的是碳化硅外延生长管路系统难以稳定控制整个碳化硅外延生长过程中，外延生长反应腔内的c/si，进而影响碳化硅外延薄膜的质量的技术问题。
4.为达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：一种碳化硅外延生长源管路系统，包括主载气管路、预混管路、碳源单元、硅源单元和掺杂源单元，主载气管路用于连通外延生长反应腔，预混管路连通主载气管路，碳源单元、硅源单元和掺杂源单元分别通过对应的碳源传输管路、硅源传输管路和掺杂源连通管路与预混管路连通，以使碳源、硅源、掺杂源先在预混管路中按预设比例进行预混形成预混生长源气体，而后再通入主载气管路中与主载气一同进入到外延生长反应腔中。
5.进一步，预混管路中通入有预混载气，预混载气为氢气。
6.进一步，预混管路上设置有用于控制预混载气流量的流量控制器。
7.进一步，预混管路上设置用于控制预混生长源气体压力的压力控制器。
8.进一步，主载气管路中通入氢气作为主载气，且主载气管路上设置有流量控制器和流量检测计。
9.进一步，掺杂源单元包括n型掺杂源单元和/或p型掺杂源单元，且n型掺杂源单元被配置为通过对应的n型掺杂源传输管路与预混管路连通，p型掺杂源单元被配置为通过对应的p型掺杂源传输管路与预混管路连通。
10.进一步，预混管路上设置有排空口。
11.进一步，硅源单元包括用于存储tcs液相源的tcs恒温鼓泡灌、与tcs恒温鼓泡灌连接的tcs鼓泡气进气管路和与硅源传输管路连通的tcs蒸汽出气管路，且tcs蒸汽出气管路上连接有一tcs稀释气进气管路，以使通过tcs稀释气进气管路输入的稀释气将tcs蒸汽出气管路输出的tcs饱和蒸汽稀释为tcs不饱和蒸汽。
12.进一步，tcs鼓泡气进气管路和tcs稀释气进气管路分别通过一流量控制器的控制通入氢气。
13.进一步，tcs鼓泡气进气管路和tcs稀释气进气管路之间设置有一可切换通断状态的第一连通管路。
14.上述技术方案具有如下优点或有益效果：
15.本发明所述的碳化硅外延生长源管路系统中，通过增加与主载气管路连通的预混管路，碳源、硅源、掺杂源在通入主载气管路前，会先在预混管路中按预设比例进行预混形成预混生长源气体，而后再通入主载气管路中与主载气一同进入到外延生长反应腔中，如此设计，可以保证碳源、硅源和掺杂源可同时混入主载气中并一同进入到外延生长反应腔中去，并保证在混入瞬间的c/si与此后外延生长过程中的c/si是一致的。如此，有利于提高碳化硅外延薄膜的质量。
附图说明
16.图1是本发明实施例的结构示意图。
17.标号说明：
18.1、主载气管路，2、预混管路，3、碳源单元，4、硅源单元，5、碳源传输管路，6、硅源传输管路，7、n型掺杂源单元，8、p型掺杂源单元，9n型掺杂源传输管路，10、p型掺杂源传输管路，41、tcs恒温鼓泡灌，42、tcs鼓泡气进气管路，43、tcs蒸汽出气管路，44、tcs稀释气进气管路，45、第一连通管路。
具体实施方式
19.下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述。
20.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
21.请参照附图1，附图1中，流量控制器以mfc表示，压力控制器以epc表示，流量检测计以fm表示，排空口以vent表示，阀件以v表示，本发明提供一种碳化硅外延生长源管路系统，包括主载气管路1、预混管路2、碳源单元3、硅源单元4和掺杂源单元，主载气管路1用于连通外延生长反应腔，预混管路2连通主载气管路1，碳源单元3、硅源单元4和掺杂源单元分别通过对应的碳源传输管路5、硅源传输管路6和掺杂源连通管路与预混管路2连通，以使碳源、硅源、掺杂源先在预混管路2中按预设比例进行预混形成预混生长源气体，而后再通入主载气管路1中与主载气一同进入到外延生长反应腔中。
22.请参照附图1，其中一种较优实施例中，主载气管路1中通入氢气作为主载气，且主载气管路1上设置有流量控制器和流量检测计。本实施例中，优选地，主载气管路1被配置为分流形成一个主路(中间)和两个旁路(两边)，主载气管路1的前端设置有一用于控制主载气流量的流量控制器mfc01，主路上设置有流量检测计fm02，而两旁路上分别设置有fm01和fm03。
23.请参照附图1，其中一种较优实施例中，预混管路2上设置用于控制预混生长源气
体压力的压力控制器。预混管路2优选为由两根预混管道组成，其一预混管道与主路连通，并在该预混管道上设置有压力控制器epc11，另一预混管道同时与两旁路连通，并在该预混管道上设置压力控制器epc12。其中一种较优实施例中，预混管路2中通入有预混载气，预混载气为氢气。预混管路2的两预混管道上分别设置有用于控制预混载气流量的流量控制器mcf11和mfc12。
24.请参照附图1，其中一种较优实施例中，掺杂源单元包括n型掺杂源单元7和/或p型掺杂源单元8，且n型掺杂源单元7被配置为通过对应的n型掺杂源传输管路9与预混管路2连通，p型掺杂源单元8被配置为通过对应的p型掺杂源传输管路10与预混管路2连通。本实施例中，优选地，n型掺杂源传输管路9中设置有分别控制两路管道流量的流量控制器mfc41、mfc42、mfc43和mfc44。p型掺杂源传输管路10中设置有分别控制两路管道流量的流量控制器mfc53和mfc54。n型掺杂源传输管路9上设置有一排空口(vent)，且该排空口处设置有一压力控制器epc41，p型掺杂源传输管路10上设置有一排空口(vent)，且该排空口处设置有一压力控制器epc51。
25.请参照附图1，其中一种较优实施例中，预混管路2上设置有排空口(vent)。
26.请参照附图1，其中一种较优实施例中，碳源传输管路5上设置有分别控制两路管道流量的流量控制器mfc31和mfc32。硅源传输管路6上设置有分别控制两路管道流量的流量控制器mfc23和mfc24。硅源传输管路6上设置排空口(vent)，且该排空口处设置有一压力控制器epc21。
27.请参照附图1，其中一种较优实施例中，优选地，硅源单元4包括用于存储tcs液相源的tcs恒温鼓泡灌41、与tcs恒温鼓泡灌41连接的tcs鼓泡气进气管路42和与硅源传输管路6连通的tcs蒸汽出气管路43，且tcs蒸汽出气管路43上连接有一tcs稀释气进气管路44，以使通过tcs稀释气进气管路44输入的稀释气将tcs蒸汽出气管路43输出的tcs饱和蒸汽稀释为tcs不饱和蒸汽。
28.请参照附图1，其中一种较优实施例中，tcs鼓泡气进气管路42和tcs稀释气进气管路44分别通过一流量控制器mfc21和mfc22的控制通入氢气。本实施例中，优选地，tcs稀释气进气管路中氢气的流量为tcs鼓泡气进气管路中氢气流量的0.3～0.5倍。
29.请参照附图1，其中一种较优实施例中，tcs鼓泡气进气管路42和tcs稀释气进气管路44之间设置有一可切换通断状态的第一连通管路45，该第一连通管路45上设置有阀v26。
30.请参照附图1，其中一种较优实施例中，优选地，p型掺杂源单元8包括用于存储tma液相源的tma恒温鼓泡灌、与tma恒温鼓泡灌连接的tma鼓泡气进气管路和与p型掺杂源传输管路10连通的tma蒸汽出气管路，且tma蒸汽出气管路上连接有一tma稀释气进气管路，以使通过tma稀释气进气管路输入的稀释气将tma蒸汽出气管路输出的tma饱和蒸汽稀释为tma不饱和蒸汽。
31.请参照附图1，其中一种较优实施例中，tma鼓泡气进气管路和tma稀释气进气管路分别通过一流量控制器mfc51和mfc52的控制通入氢气。本实施例中，优选地，tma稀释气进气管路中氢气的流量为tma鼓泡气进气管路中氢气流量的0.3～0.5倍。
32.请参照附图1，其中一种较优实施例中，tma鼓泡气进气管路和tma稀释气进气管路之间设置有一可切换通断状态的第二连通管路，该第二连通管路上设置有阀v26。
33.请参照附图1，可以理解的是，本实施例中，相比于现有技术的碳化硅外延生长管
路系统，增加了预混管路2，本技术人经过大量研究发现，为了提高碳化硅外延薄膜的质量，必须稳定地控制外延生长反应腔中的c/si，而要稳定控制该c/si，则主要需要解决以下问题：在碳化硅开始生长时的如何保证c源与si源同时通入碳化硅外延腔体中。因此，本实施例中，优选地，通过增加与主载气管路1连通的预混管路2，碳源、硅源、掺杂源在通入主载气管路1前，会先在预混管路2中按预设比例进行预混形成预混生长源气体，而后再通入主载气管路1中与主载气一同进入到外延生长反应腔中，如此设计，可以保证碳源、硅源和掺杂源可同时混入主载气中并一同进入到外延生长反应腔中，并保证在混入瞬间的c/si与此后外延生长过程中的c/si是一致的。如此，有利于提高碳化硅外延薄膜的质量。
34.此外，当含有c元素或si元素的生长源为液态时，由于气体在鼓泡中是以气泡的方式不连续鼓出，虽然管道中会有压力控制器来稳定恒温鼓泡罐中的压力，但恒温鼓泡罐中的流量及压力仍然不可避免地会有波动。同时由恒温鼓泡罐中鼓出的为饱和蒸汽，一旦管道预冷或压力变化，饱和蒸汽就会冷凝为液态。因此，本技术人研究发现，为了保证各液态生长源能够稳定供应，进一步稳定控制外延生长反应腔中的c/si。优选地，就需要保证各液态生长源能够从恒温鼓泡器中稳定鼓出相应的生长源气体，并且不会再管道中重新冷凝为液态。因此，本实施例中，优选地，在硅源单元4和p型掺杂源单元8中分别设置有用于稀释饱和蒸汽用的稀释气进气管路，通过稀释气进气管路将各恒温鼓泡灌内输出的饱和蒸汽态的生长源稀释为不饱蒸汽态生长源，以免相应的生长源气体在后续的传输管路中预冷或受压力变化影响而再次冷凝为液态。
35.请参照附图1，在外延生长开始前，预混管路2中的气体都通向预混管路2的排空口(vent)，以稳定预混管道2中的气体流量。开始外延生长时，切换预混管路2的开关状态，将预混管路2中稳定流量的预混生长源气体通入主载气管路1中并随主载气一同进入外延生长反应腔内。完成切换后，各生长源的流量可根据需要继续进行调整。完成外延生长后，切换预混管路2的开关状态，将预混管路2中气体通入预混管路2的排空口(vent)。停止气态生长源通向预混管路2，对于液态生长源单元管道：停止向恒温鼓泡罐中通入氢气，但仍然保持稀释氢气的通入，同时预混管路2仍然保持有预混载气的流量，以对各管道进行吹扫，防止管道残留的生长源冷凝为液态对后续外延生长造成影响。
36.下面结合附图1对该碳化硅外延生长源管路系统的使用方式进行具体说明：
37.实施例一
38.请参照附图1，步骤一：在外延生长开始前，设定主载气h2的流量控制器mfc01＝80slm，并调整流量检测计fm01、fm02、fm03前端的阀v01、v02、v03，将fm01、fm02、fm03的流量比例调整25:50:25。并设置mfc11＝1slm、mfc12＝1slm、epc11＝500mbar、epc12＝500mbar，开启阀v11、v12，关闭阀v13、v14。设置mfc21＝500sccm、mfc22＝1000sccm、epc21＝1200mbar、mfc23＝600sccm、mfc24＝600sccm，开启阀v21、v22、v23、v24、v25、v27，关闭阀v26。设置mfc31＝160sccm、mfc32＝160sccm，开启阀v31、v32。设置mfc41＝500sccm、mfc42＝1500sccm、epc41＝1200mbar、mfc43＝40sccm、mfc44＝20sccm，开启阀v41、v42、v43、v44、v45。设置mfc51＝500sccm、mfc52＝1500sccm、epc51＝1200mbar、mfc53＝500sccm、mfc54＝300sccm，开启阀v51、v52、v53、v54、v56、v57，关闭阀v55。同时对外延生长反应腔进行加热，并将外延生长反应腔压力设定为150mbar，待外延生长反应腔温度上升至1600℃后，保持5min。
39.步骤二：开始外延生长，开启阀v13、v14，关闭阀v11、v12，保持其他流量控制器、压力控制器及阀的状态不变，保持外延生长反应腔温度、压力不变。该步骤时间为10min。
40.步骤三：结束外延生长，停止对外延生长反应腔加热，并将压力设定为1000mbar。设定主载气h2流量控制器mfc01＝50slm。保持mfc11＝1slm、mfc12＝1slm、epc11＝500mbar、epc12＝500mbar，开启阀v11、v12，关闭阀v13、v14。设置mfc21＝1000sccm、mfc22＝1000sccm、epc21＝1200mbar、mfc23＝500sccm、mfc24＝500sccm，开启阀v22、v23、v24、v26、v27，关闭阀v21、v25。关闭mfc31、mfc32，关闭阀v31、v32。关闭mfc41、mfc42、epc41、mfc43、mfc44，关闭阀v41、v42、v43、v44、v45。设置mfc51＝1000sccm、mfc52＝1000sccm、epc51＝1200mbar、mfc53＝500sccm、mfc54＝500sccm，开启阀v52、v53、v54、v55、v57，关闭阀v51、v56。待外延生长反应腔体温度降低至1000℃以下后，关闭mfc11、mfc12、epc11、epc12、mfc21、mfc22、epc21、mfc23、mfc24、mfc51、mfc52、epc51、mfc53、mfc54，关闭阀v11、v12、v22、v23、v24、v26、v27、v52、v53、v54、v55、v57。即可将碳化硅外延片从外延生长反应腔中取出。
41.实施例二
42.请参照附图1，步骤一：在外延生长开始前，设定主载气h2的流量控制器mfc01＝120slm，并调整流量检测计fm01、fm02、fm03前端的阀v01、v02、v03，将fm01、fm02、fm03的流量比例调整25:50:25。并设置mfc11＝1slm、mfc12＝1slm、epc11＝600mbar、epc12＝600mbar，开启阀v11、v12，关闭阀v13、v14。设置mfc21＝100sccm、mfc22＝1000sccm、epc21＝1500mbar、mfc23＝300sccm、mfc24＝300sccm，开启阀v21、v22、v23、v24、v25、v27，关闭阀v26。设置mfc31＝30sccm、mfc32＝30sccm，开启阀v31、v32。设置mfc51＝500sccm、mfc52＝1500sccm、epc51＝1500mbar、mfc53＝800sccm、mfc54＝500sccm，开启阀v51、v52、v53、v54、v56、v57，关闭阀v55。同时对外延生长反应腔进行加热，并将外延生长反应腔压力设定为150mbar，待外延生长反应腔温度上升至1550℃后，保持10min。
43.步骤二：开始外延生长，开启阀v13、v14，关闭阀v11、v12，保持主载气h2的流量控制器mfc01＝120slm、mfc11＝1slm、mfc12＝1slm、epc11＝600mbar、epc12＝600mbar及各阀件开关状态不变，保持外延生长反应腔温度、压力不变。并在该步骤的前10min保持mfc21＝100sccm、mfc22＝1000sccm、epc21＝1500mbar、mfc23＝300sccm、mfc24＝300sccm、mfc31＝30sccm、mfc32＝30sccm、mfc51＝500sccm、mfc52＝1500sccm、epc51＝1500mbar、mfc53＝800sccm、mfc54＝500sccm不变，之后调整mfc21＝500sccm、mfc22＝1000sccm、epc21＝1500mbar、mfc23＝600sccm、mfc24＝600sccm、mfc31＝160sccm、mfc32＝160sccm、mfc51＝500sccm、mfc52＝1500sccm、epc51＝1500mbar、mfc53＝300sccm、mfc54＝200sccm(调整变化的时间为1min)，各流量控制器的流量调整完成后保持流量不变12min。
44.步骤三：结束外延生长，停止对外延生长反应腔加热，并将压力设定为1000mbar。设定主载气h2的流量控制器mfc01＝50slm。保持mfc11＝1slm、mfc12＝1slm、epc11＝600mbar、epc12＝600mbar，开启阀v11、v12，关闭阀v13、v14。设置mfc21＝1000sccm、mfc22＝1000sccm、epc21＝1500mbar、mfc23＝500sccm、mfc24＝500sccm，开启阀v22、v23、v24、v26、v27，关闭阀v21、v25。关闭mfc31、mfc32，关闭阀v31、v32。设置mfc51＝1000sccm、mfc52＝1000sccm、epc51＝1500mbar、mfc53＝500sccm、mfc54＝500sccm，开启阀v52、v53、v54、v55、v57，关闭阀v51、v56。待外延生长反应腔体温度降低至1000℃以下后，关闭mfc11、
mfc12、epc11、epc12、mfc21、mfc22、epc21、mfc23、mfc24、mfc51、mfc52、epc51、mfc53、mfc54，关闭阀v11、v12、v22、v23、v24、v26、v27、v52、v53、v54、v55、v57。即可将碳化硅外延片从外延生长反应腔中取出。
45.实施例三
46.请参照附图1，步骤一：在外延生长开始前，设定主载气h2的流量控制器mfc01＝150slm，并调整流量检测计fm01、fm02、fm03前端的阀v01、v02、v03，将fm01、fm02、fm03的流量比例调整25:50:25。并设置mfc11＝1slm、mfc12＝1slm、epc11＝400mbar、epc12＝400mbar，开启阀v11、v12，关闭阀v13、v14。设置mfc21＝500sccm、mfc22＝1500sccm、epc21＝1000mbar、mfc23＝120sccm、mfc24＝120sccm，开启阀v21、v22、v23、v24、v25、v27，关闭阀v26。设置mfc31＝20sccm、mfc32＝20sccm，开启阀v31、v32。设置mfc41＝100sccm、mfc42＝900sccm、epc41＝1000mbar、mfc43＝300sccm、mfc44＝200sccm，开启阀v41、v42、v43、v44、v45。同时对外延生长反应腔进行加热，并将外延生长反应腔压力设定为80mbar，待外延生长反应腔温度上升至1650℃后，保持10min。
47.步骤二：开始外延生长，开启阀v13、v14，关闭阀v11、v12，保持主载气h2的流量控制器mfc01＝120slm、mfc11＝1slm、mfc12＝1slm、epc11＝400mbar、epc12＝400mbar及各阀件开关状态不变，保持外延生长反应腔温度、压力不变。并在该步骤的前10min保持mfc21＝500sccm、mfc22＝1500sccm、epc21＝1000mbar、mfc23＝120sccm、mfc24＝120sccm、mfc31＝20sccm、mfc32＝20sccm、mfc41＝200sccm、mfc42＝800sccm、epc41＝1000mbar、mfc43＝300sccm、mfc44＝200sccm不变，之后调整mfc21＝500sccm、mfc22＝1000sccm、epc21＝1000mbar、mfc23＝500sccm、mfc24＝500sccm、mfc31＝150sccm、mfc32＝150sccm、mfc41＝600sccm、mfc42＝400sccm、epc41＝1000mbar、mfc43＝600sccm、mfc44＝300sccm(调整变化的时间为30s)，各流量控制器的流量调整完成后保持流量不变40min。
48.步骤三：结束外延生长，停止对外延生长反应腔加热，并将压力设定为1000mbar。设定主载气h2的流量控制器mfc01＝50slm。保持mfc11＝1slm、mfc12＝1slm、epc11＝400mbar、epc12＝400mbar，开启阀v11、v12，关闭阀v13、v14。设置mfc21＝1000sccm、mfc22＝1000sccm、epc21＝1000mbar、mfc23＝500sccm、mfc24＝500sccm，开启阀v22、v23、v24、v26、v27，关闭阀v21、v25。关闭mfc31、mfc32，关闭阀v31、v32。关闭mfc41、mfc42、epc41、mfc43、mfc44，关闭阀v41、v42、v43、v44、v45。待外延生长反应腔体温度降低至1000℃以下后，关闭mfc11、mfc12、epc11、epc12、mfc21、mfc22、epc21、mfc23、mfc24，关闭阀v11、v12、v22、v23、v24、v26、v27。即可将碳化硅外延片从外延生长反应腔中取出。
49.以上所述，实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中的单元技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，因此本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

技术特征：

1.一种碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：包括主载气管路(1)、预混管路(2)、碳源单元(3)、硅源单元(4)和掺杂源单元，主载气管路(1)用于连通外延生长反应腔，预混管路(2)连通主载气管路(1)，碳源单元(3)、硅源单元(4)和掺杂源单元分别通过对应的碳源传输管路(5)、硅源传输管路(6)和掺杂源连通管路与预混管路(2)连通，以使碳源、硅源、掺杂源先在预混管路(2)中按预设比例进行预混形成预混生长源气体，而后再通入主载气管路(1)中与主载气一同进入到外延生长反应腔中。2.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：预混管路(2)中通入有预混载气，预混载气为氢气。3.根据权利要求2所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：预混管路(2)上设置有用于控制预混载气流量的流量控制器。4.根据权利要求2所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：预混管路(2)上设置用于控制预混生长源气体压力的压力控制器。5.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：主载气管路(1)中通入氢气作为主载气，且主载气管路(1)上设置有流量控制器和流量检测计。6.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：掺杂源单元包括n型掺杂源单元(7)和/或p型掺杂源单元(8)，且n型掺杂源单元(7)被配置为通过对应的n型掺杂源传输管路(9)与预混管路(2)连通，p型掺杂源单元(8)被配置为通过对应的p型掺杂源传输管路(10)与预混管路(2)连通。7.根据权利要求1所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：预混管路(2)上设置有排空口。8.根据权利要求1至7任一项所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：硅源单元(4)包括用于存储tcs液相源的tcs恒温鼓泡灌(41)、与tcs恒温鼓泡灌(41)连接的tcs鼓泡气进气管路(42)和与硅源传输管路(6)连通的tcs蒸汽出气管路(43)，且tcs蒸汽出气管路(43)上连接有一tcs稀释气进气管路(44)，以使通过tcs稀释气进气管路(44)输入的稀释气将tcs蒸汽出气管路(43)输出的tcs饱和蒸汽稀释为tcs不饱和蒸汽。9.根据权利要求8所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：tcs鼓泡气进气管路(42)和tcs稀释气进气管路(44)分别通过一流量控制器的控制通入氢气。10.根据权利要求8所述的碳化硅外延生长源管路系统，其特征在于：tcs鼓泡气进气管路(42)和tcs稀释气进气管路(44)之间设置有一可切换通断状态的第一连通管路(45)。

技术总结

本发明公开一种碳化硅外延生长源管路系统，包括主载气管路、预混管路、碳源单元、硅源单元和掺杂源单元，主载气管路用于连通外延生长反应腔，预混管路连通主载气管路，碳源单元、硅源单元和掺杂源单元分别通过对应的碳源传输管路、硅源传输管路和掺杂源连通管路与预混管路连通，以使碳源、硅源、掺杂源先在预混管路中按预设比例进行预混形成预混生长源气体，而后再通入主载气管路中与主载气一同进入到外延生长反应腔中。本发明可以保证碳源、硅源和掺杂源可同时混入主载气中并一同进入到外延生长反应腔中去，并保证在混入瞬间的C/Si与此后外延生长过程中的C/Si是一致的。如此，有利于提高碳化硅外延薄膜的质量。于提高碳化硅外延薄膜的质量。于提高碳化硅外延薄膜的质量。