集成电路发展史
11集成电路的发展历史1—-1。1世界集成电路的发展历史 1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑； 1950年:结型晶体管诞生； 1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； 1951年:场效应晶体管发明； 1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史； 1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺; 1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； 1963年：F。M.Wanlass和C。T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95％以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 1964年：Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍; 1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路, 并研制出第一块门阵列（50门)； 1967年：应用材料公司(Applied Materials）成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司; 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现; 1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明; 1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； 1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； 1978年:64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临; 1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后,IBM基于8088推出全球第一台PC； 1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世; 1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM; 1985年:80386微处理器问世，20MHz；苯胺的制备
1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（ULSI)阶段；
1989年：1Mb DRAM进入市场；
1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0。8μm工艺；
楔形塞尺>按摩文胸 1992年：64M位随机存储器问世；
1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺；
1995年:Pentium Pro， 133MHz，采用0.6-0。35μｍ工艺；
1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺；
1999年:奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0。18μm工艺；
2000年: 1Gb RAM投放市场；
2000年：奔腾4问世,1。5GHz，采用0.18μｍ工艺；
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0。13μｍ工艺。c型钢是怎么做成的
1—-1.2我国集成电路的发展历史
镀锌钢管连接方式我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：
1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；
1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；
1990年—2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。
1——2 集成电路产业现状
1——2。1世界集成电路产业现状
90年代 ASIC、ULSI和巨大规模集成GSI等代表更高技术水平的IC不断涌现，并成为IC应用的主流产品.1 G DRAM （集成度2。2？109，芯片面积700mm2，特征尺寸0.18μm，晶片直径200mm) ,2000年开始商业化生产，2004年达到生产顶峰.集成电路的规模不断提高,CPU（P4)己超过4000万晶体管，DRAM已达Gb规模。集成电路的速度不断提高，采用0.13μm CMOS工艺实现的CPU主时钟已超过2GHz,实现的超高速数字电路速率已超过10Gb/s，射频电路的最高工作频率已超过6GHz。由于集成电路器件制造能力按每3年翻两番，即每年58％的速度提升，而电路设计能力每年只以21％的速度提升,电路设计能力明显落后于器件制造能力,且其鸿沟(gap）呈现越来越变宽的趋势.工艺线建设投资费用越来越高。目前一条8英寸0。35μm工艺线的投资约20亿美元，但在几年内一条12英寸0．09μm工艺线的投资将超过100亿美元。如此巨额投资已非单独一个公司，甚至一个发展中国家所能单独负担的。21世纪集成电路复杂度不断增加，系统芯片或称芯片系统SoC （System-on—Chip）成为开发目标、纳米器件与电路等领域的研究已展开。英特尔曾于2003年11月底展示了首个能工作的65纳米制程的硅片,Intel2004 年8月宣布，他们已经采用65纳米,生产出了70Mbit的SRAM.并计划于2005年正式进入商业化生产阶段。使用65纳米制程生产的芯片中门电路的数目是90纳米制程的1/3。SRAM（静态存储器）将用于高速
的存储设备，处理器中非常重要的缓存就是采用SRAM.Intel表示，通过采用第二代应变硅技术（ 应变硅技术是一种对晶体管沟道部分的硅施加应力使其变形，以此提高载流子迁移率的技术.借由加大硅原子间彼此的距离，电子便能够更加迅速地运行.而电子的运行速度越快,处理器的性能就越好.）可以将晶体管的性能提升了10%~15％，与90纳米工艺制造的晶体管相比，65纳米制程晶体管可以在同样的性能下减少4倍的漏电电流。未来将会有越来越多的产品采用65纳米工艺 Intel公司2004年底宣布首次成功开发出15纳米的晶体管。Intel的15纳米晶体管基于CMOS工艺，工作电压为0。8伏，每秒可进行2.63万亿次开关转换。Intel计划在2009年开发出基于15纳米晶体管的芯片,到时该公司开发出的处理器将达到20GHz甚至更高。
1——2。2我国集成电路产业现状
产业规模
目前，我国集成电路产业已具备了一定的发展基础,由8个芯片生产骨干企业、十几个封装厂、几十家设计公司、若干个关键材料及专用设备仪器制造厂组成的产业体初步形成，电路设计、芯片制造和电路封装三业并举，在地域上呈现相对集中的局势（苏浙沪、京津、粤闽地区）.2000年，我国集成电路产量为58。8亿块，与1999年相比，增长了41。7％，销售额近200亿元,增长75%,出口集成电路47。8亿块,出口金额19。8亿美元。
设计业
2000年，除独资公司外，我国集成电路设计公司的营销收入超过5亿元，其中营业收入过亿元的公司已有4家（华大、矽科、大唐微电子和士兰公司)，销售额超过1000万元的约10家。
我国年设计能力超过300种,以SRAM存储器为主的电路设计门数达到200万门，以逻辑电路为主的电路设计门数达到50万门。最高设计水平为0.25微米，主流设计技术在0。8—1.5微米之间。
芯片制造业
目前，我国集成电路芯片制造主要采用5-6英寸硅片、0。8—1微米技术.上海华虹NEC电子有限公司8英寸芯片生产线的建成投产，使我国集成电路生产技术已达到0。25微米的深亚微米技术水平。7个主干企业生产线的月投片量已超过17万片，其中6-8英寸大圆片的产量占了33％以上。投片量最大的上海先进半导体公司和上海华虹NEC公司已达到月投20000片。
封装业
2000年,我国集成电路封装业的销售收入超过130亿元，其中销售收入超过1亿元的有14家，全年封装电路近45亿块，其中年封装量超过5亿块的有5家.其中，Intel科技（中国)公司年封装量为12.5亿块,年销售额为33。5亿元；金朋（上海)公司年封装量为10。3亿块，年销售额为25。2亿元；深圳赛意法微电子公司年封装量为8。06亿块，年销售额为3.6亿元；江苏长电科技公司年封装量为5.07亿块，年销售额为4。1亿元；南通富士通电子公司年封装量为5.02亿块，年销售额为6.8亿元。
材料、设备、仪器
国内已经能提供6英寸生产线使用的主要材料（硅单晶、塑封料、金丝、化学试剂、特种气体等）、设备（单晶炉、外延炉、扩散炉、CVD、蒸发台、匀胶显影设备、注塑机）等、仪器(40MHz以下的数字测试设备、模拟测试设备及数模混合测试设备）等.
然而，与国内市场需求和发达国家相比,我国集成电路产业总体上还比较落后。产业规模生态浮床
较小。2000年全国半导体销售额仅占全球半导体销售总额的1.5%，大部分产品还要靠进口;创新能力弱，表现在大生产技术开发能力和产品设计开发能力弱，造成IP核库和工艺模块跟不上产品设计和委托加工的需要，CPU和DSP等高档产品国内还不能提供，工艺和开发人才缺乏。
我国骨干芯片制造企业的技术与生产能力
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