一、TFT-LCD产业现状及全球布局情况。
TFT-LCD生产厂家主要分布在韩国，，日本，中国大陆等。其中，韩国有SAMSUNG, LG.Philips LCD(LPL)； 台湾有AUO,CMO,CPT,QDI,HANNSTAR；日本有Sharp；中国大陆有SVA-NEC,BOE,CSOT；等等。行业内，韩国的SAMSUNG和LPL是最大的巨头，一直占据生产能力的前两位，现在都已经投产了7代和7.5代厂，这两位无论在notebook,monitor还是TV的应用领域都一直保持市场份额的前三位。
台湾的AUO最近合并了QDI,合并后成为了行业内第三大巨头，市场份额直追前两位。预测在不久的将来，形成三巨头并驾齐驱的局面，并且很有可能在notebook,TV应用方面占据第一。台湾的AUO,CMO等现在都已经投产了5代线，正在规划6代或者7代线的生产。日本的Sharp生产量不大，它主要生产TV用屏，并且产品主要为自己Sharp品牌而用。中国大陆的SVA-NEC现在已经投产了5代线，主要生产15"用屏。BOE也在投产5代线，但是产能没有SVA-NEC大。 全球的液晶面板生产线主要被5家企业掌控，分别是地区的友达光电、奇美电子，日本的夏普以及韩国的三星、lg-飞利浦。这些企业供应着全球主要液晶电视品牌厂家的面板 需求。已开通的大屏幕液晶生产线有夏普1条8代线；lpl1条7.5代线；三星2条7代线。 6条6代线，分别为夏普、LPL、友达、广辉、华映以及东芝、松下、日立合资的IPS alpha所拥有；奇美1条5.5代线。夏普已决定兴建第二条8代线，友达的第一条7.5代线已开始测试，很快会投产，奇美的7.5代线也在建设中。2007年将投入的有：三星电子的8代线，与奇美电子的7.5及6代生产线。 目前,夏普建有全球唯一一条第八代TFT-LCD生产线。具体情况分布如下：
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可见，TFT-LCD产业是资金密集型、技术密集型、产业链聚集型产业。其主要特点有以下几点：其一，产业线建设、产能增长、性能提升、成本下降的速度都极快，产品竞争极为激烈；其二，产业门槛高，进入困难，一旦进入想退出更难；其三，产品应用范围广，市场前景广阔，市场容量极大，技术应用比较成熟。TFT-LCD产业中有一个著名的理论叫微笑曲线。微笑曲线中间部分是面板是制造；左边是上游材料供给，属于全球性的竞争；右边是产品应用及营销，主要是当地性的竞争。微笑曲线两端朝上，在产业链中，高附加值部分体现在两端，即材料供给和销售，毛利率可以达到50%以上。处于中间环节的制造附加值最低，毛利率在-25%-+30%之间，获得的附加值最低，产业周期性波动较大。因此，但就TFT-LCD产业链盈利能力来讲，玻璃基板、液晶、背光源等上游材料公司具有显著的高附加值优势。具体TFT-LCD产业链分布情况如下图所示。 二、TFT-LCD制造工艺流程。
（一）TFT-LCD的基本构造与工作原理
从结构上来看，TFT-LCD就像是多层夹心面包，主要包括偏光片、玻璃基板、彩滤光片、透明电极、薄膜晶体管、液晶和背光源等。最外面的上下两层是两片偏光片，决定可以通过多少的光；里面上下两层是两片无钠的玻璃基板，在下面的玻璃基板上，通过淀积、光刻等工艺，形成一层薄膜晶体管（TFT），作为控制是否让光线通过的器件开关，在上面的玻璃基板上，经过镀膜、光刻等工艺，生成一层彩滤光片，通过TFT开关的控制，决定通过什么颜的光。再里面是上下两层透明电极（ITO），作为给液晶层施加电压的电极。
在两层ITO的夹层中，是“夹心面包”的“夹心”，也就是液晶，液晶是一种在光学性质上具有各向异性的粘稠液体，通过信号电压控制液晶像素处在选通态或是关闭态，同时各像素之间被TFT开关元件隔离，既防止了交叉干扰又保证了液晶响应速度满足于帧频速度，同时以存储信息大小来得到灰度级，目前灰度已可达到256级，可得到1670万种颜的全显示。如下图所示。
（二）TFT-LCD的生产工艺
从制造工艺上来看，TFT-LCD的生产工艺主要可以分为三个步骤，即薄膜晶体管（TFT）的制造、成盒（cell）工艺和模块工艺。TFT的制造工序分坚膜、清洗、Photo、刻蚀、脱膜、检测六大工序。坚膜工序是指 nfc天线
将Gate电极、Data(Source/Drain)电极、像素电极、绝缘膜、保护膜以及半导体膜, 以溅射
空气加温器或PECVD方法,使其在Glass(玻璃)上形成膜的工序。清洗工序是指将初期投入或工序中Glass或膜表面的污染、Particle事先除去，以免发生不良的工序，对确保膜与膜之间的黏着性有所帮助。Photo工序是指用膜上形成要制作形态的Mask通过光, 其形态从Mask移到感光剂(PR)的作业，包括感光剂涂屏(PR Coating)、曝光及显像等的工序。刻蚀工序是指对去除感光剂(PR)部分的膜, 利用物理、化学方法有选择地去除的工序。脱膜工序是指刻蚀工序后，去除为形成Pattern而留下的感光剂(PR)的工序，脱膜工序的必须条件是完全除去PR,下部膜不应有损伤，还要维持为进行下一工序的均匀的表面状态。检测工序是指调查/评价工序、半成品，产品的质量判定良或不良的工序。
成盒工艺是首先将洗净后的彩滤光片与TFT的阵列基板涂布上配向膜涂液，并摩擦定向。然后在TFT的阵列基板四周涂上封框胶，并散布5～10 穿孔塞焊 大小的间隔物于其上作支撑点，再将阵列基板与彩膜基板组合，以封框胶封合形成空的盒（Cell）。再以两种方式注入液晶，一种方式是先将此空的cell基板切断、裂片、取最终显示器产品所需尺寸大小，经检查后，以真空方式注入液晶材料并加以封合；另一种方法是先注入液晶，再进行裁切断片后再封合。
模块的制造工艺即是将TFT-LCD的panel面板与驱动电路（Drive IC）、印刷电路板连接，并装上背光源以及固定框架就完成了液晶显示模块（LCM）。制作工序包括以下几个环节：偏光板贴合、TAB贴合、PCB贴合、背光源组装、老化测试和包装。偏光板贴合是指利用Panel板和偏光板上的信息将上下偏光板分别贴附Panel板的上板和下板。
三、我司相关环节。碗公
我司目前作为供应商，从事参与的环节主要集中在ARRAY阵列这一环节。具体分下如下：
（一）PECVD
阵列工程使用外购的专用玻璃基板，充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积（CVD）的方法形成半导体膜或隔离膜，通过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤岛、源漏电极及引线、接触通孔、像素电极经光刻胶涂敷、光刻胶曝光、显影等光刻工艺并经湿法刻蚀、干法刻蚀后，剥离掉多余的光刻胶，再经热处理把半导体特性作均一化处理后即做成阵列玻璃基板。
（二）DRY-ETCH
广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比（selectivity）。然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时，侧向的刻蚀将同时发生，进而造成底切（Undercut）现象，导致图案线宽失真，如下图所示。
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