一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片

1.本技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片。

背景技术：

2.目前，rram(阻变式存储器)的应用越来越广泛。在对rram存储单元进行写操作的过程中，存储单元的阻值是随时变化的，流过存储单元的电流值也在不停地变化；如果处在阻值减小、电流变大的过程中，则相应的大电流会导致存储数据出现误翻转，甚至有可能造成器件的永久损坏。
3.然而，在现有的写操作过程，对用于写入数据的脉冲信号的参数调节机制的灵活性不足，容易折损阻变存储器的使用寿命。

技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片，能够灵活的调节写入数据所用的脉冲信号，以提高阻变存储器的使用寿命。
5.本技术实施例的第一方面，提供一种阻变存储器的存储控制方法，包括：
6.利用写操作脉冲信号，对阻变存储器的目标存储单元执行写操作；
7.判断所述写操作是否成功，若所述写操作失败，则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。
8.在一些实施方式中，所述判断所述写操作是否成功，包括：
9.获取所述目标存储单元内被写入的实际数据，以及获取所述写操作的目标数据对应的目标范围；
10.判断所述实际数据是否落入所述目标范围内，若所述实际数据未落入所述目标范围内，则判定所述写操作失败。
11.在一些实施方式中，若所述写操作失败，则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，包括：
12.若所述写操作失败，则判断所述写操作对应的循环时长是否超时；
13.若所述写操作对应的循环时长未超时，则调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值；
14.若所述写操作对应的循环时长已经超时，则确定所述目标存储单元的寿命耗尽。
15.在一些实施方式中，所述调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前，包括：
16.获取所述目标存储单元的存储特性参数；
17.所述调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值，包括：
18.根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值。
19.在一些实施方式中，所述根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前，包括：
20.获取脉冲调节参数；
21.根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，在所述脉冲调节参数中选择目标脉冲参数；
22.按照所述目标脉冲参数，调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。
23.在一些实施方式中，所述根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值，包括：
24.根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值；或，
25.根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，减小所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值；或，
26.根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长，以及减少所述写操作脉冲信号的所述脉冲幅值；或，
27.根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，减小所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长，以及增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲幅值。
28.本技术实施例的第二方面，提供一种阻变存储器的存储控制电路，包括：
29.存储控制状态机，用于控制执行如第一方面所述的阻变存储器的存储控制方法的步骤。
30.在一些实施方式中，所述阻变存储器的存储控制电路，还包括：
31.数据传输接口，用于向所述存储控制状态机传输目标数据；
32.脉冲参数提供模块，用于向所述存储控制状态机提供脉冲调节参数。
33.在一些实施方式中，所述脉冲参数提供模块包括：
34.配置数据接口，用于连接外部数据总线，所述配置数据接口用于通过所述外部数据总线向所述存储控制状态机传输所述脉冲调节参数；
35.非易失存储器，用于存储所述脉冲调节参数；
36.所述存储控制状态机通过多路选择器分别与所述配置数据接口和所述非易失存储器电连接。
37.本技术实施例的第三方面，提供一种存储芯片，包括：
38.阻变存储器和如第二方面所述的阻变存储器的存储控制电路，所述阻变存储器的存储控制电路与所述阻变存储器电连接。
39.本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片，在写操作失败的情况下，通过同步调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，可以实现脉冲持续时长和脉冲幅值的适应性调节，相对于现有技术的写操作过程，对于写操作脉冲信号的调节变得更为精准，可以对目标存储单元使用匹配度更高的写操作脉冲信号进行写操作，目标存储单元使用更适合的写操作脉冲信号，不容易发生寿命折损，可以变相提高存储单元的使用寿命。
附图说明
40.图1为本技术实施例提供的一种阻变存储器的存储控制方法的示意性流程图；
41.图2为本技术实施例提供的一种写操作脉冲信号的示意图；
42.图3为本技术实施例提供的另一种阻变存储器的存储控制方法的示意性流程图；
43.图4为本技术实施例提供的一种阻变存储器的存储控制电路的示意性结构框图；
44.图5为本技术实施例提供的另一种阻变存储器的存储控制电路的示意性结构框图；
45.图6为本技术实施例提供的又一种阻变存储器的存储控制电路的示意性结构框图；
46.图7为本技术实施例提供的一种存储芯片的示意性结构框图。
具体实施方式
47.为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
48.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
49.相对于主流的flash(闪存)存储器，rram具有高密度、结构简单、功耗低以及读写速度快，并且与标准cmos工艺的兼容性好，被认为是值得优先发展，加快产业化生产进程的新型存储技术。在对rram存储单元进行写操作的过程中，存储单元的阻值是随时变化的，流过存储单元的电流值也在不停地变化；如果处在阻值减小、电流变大的过程中，则相应的大电流会导致存储数据出现误翻转，甚至有可能造成器件的永久损坏。然而，在现有的写操作过程，对用于写入数据的脉冲信号的参数调节机制的灵活性不足，容易折损阻变存储器的使用寿命。
50.有鉴于此，本技术实施例提供一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片，能够灵活的调节写入数据所用的脉冲信号，以提高阻变存储器的使用寿命。
51.本技术实施例的第一方面，提供一种阻变存储器的存储控制方法，图1为本技术实施例提供的一种阻变存储器的存储控制方法的示意性流程图。如图1所示，本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制方法，包括：
52.s100：利用写操作脉冲信号，对阻变存储器的目标存储单元执行写操作。需要说明的是，阻变存储器可以包括多个存储单元，目标存储单元是当前写操作的存储地址对应的存储单元，目标存储单元可以是一个存储单元，也可以是两个或两个以上的存储单元，多个
存储单元可以形成存储阵列，具体需要根据目标数据的容量以及存储单元的容量来确定存储单元的数量，目标数据是待写入的数据，本技术实施例不作具体限定。写操作是向目标存储单元存储目标数据的过程，写操作是通过写操作脉冲信号将目标数据写入目标存储单元的过程。
53.s200：判断写操作是否成功，若写操作失败，则调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。若一次写操作失败，则需要对写操作脉冲信号进行调节，直至写操作成功。步骤s100与步骤s200可以形成一个写操作的循环，当写操作成功时，循环停止。示例性的，图2为本技术实施例提供的一种写操作脉冲信号的示意图。如图2所示，在一个写操作的循环内，第一次写操作对应的写操作脉冲信号ck1的脉冲持续时长为200ns，在第一次写操作失败后，调节写操作脉冲信号ck1的脉冲持续时长为200ns+1
×
100ms，即300ns，脉冲幅值也相应增大，利用调节后的写操作脉冲信号进行第二次写操作；在第二次写操作失败后，调节写操作脉冲信号ck1的脉冲持续时长为200ns+2
×
100ms，脉冲幅值也相应增大，利用调节后的写操作脉冲信号进行第三次写操作；在第三次写操作失败后，调节写操作脉冲信号ck1的脉冲持续时长为200ns+3
×
100ms，脉冲幅值也相应增大，利用调节后的写操作脉冲信号进行第四次写操作，直至写操作成功，循环结束。需要说明的是，脉冲幅值代表的是电压值，脉冲幅值的增大幅度未作具体示例。需要说明的是，在写操作的循环中，第一次写操作使用的写操作脉冲信号的参数使用的是试探性的参数，主要用于试探目标存储单元所适合的脉冲信号参数的调节范围，可以更利于调节到合适的脉冲信号参数，脉冲信号参数包括脉冲持续时长和脉冲幅值，且参考图2所示，写操作脉冲信号是单个脉冲，即图2所示的ck1。需要说明的是，存储单元的使用寿命是由使用次数以及每次使用(写操作)的脉冲信号的强度所决定的，如果写操作的脉冲信号强度过大也会对存储单元造成寿命的折损。需要说明的是，图2所示的写操作脉冲信号的调节幅度只是示意性的，不作为本技术的具体限定。
54.现有技术中，在阻变存储器的存储单元处于不同的剩余使用寿命的情况下，对于写操作所需适当的脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值不同，例如，某一个存储单元的剩余使用寿命是1000次写操作，则能够成功写入该存储单元数据的脉冲信号的脉冲持续时长是300ms、脉冲幅值是5v；同一个存储单元在剩余使用寿命是50次写操作的情况下，则能够成功写入该存储单元数据的脉冲信号的脉冲持续时长是400ms、脉冲幅值是5.5v。若在写操作中使用的脉冲信号的脉冲持续时长不足和/或脉冲幅值不足，则会导致写操作失败，若在写操作中使用的脉冲信号的脉冲持续时长过长和/或脉冲幅值过大，则会折损存储单元的使用寿命。则按照现有技术的存储方式，对于写操作的脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值是固定不变的，或者只能单独调节脉冲持续时长或单独调节脉冲幅值，难以使得目标存储单元的写操作使用更适合的脉冲持续时长和脉冲幅值。例如，现有写操作所用的脉冲信号的脉冲持续时长固定以及脉冲幅值固定、脉冲持续时长可调以及脉冲幅值固定、脉冲持续时长固定以及脉冲幅值可调，写操作所用的脉冲信号难以实现更加灵活以及精细的调节。本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制方法，在写操作失败的情况下，同步调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，可以实现脉冲持续时长和脉冲幅值的适应性调节，写操作脉冲信号的调节变得更为精准，可以对目标存储单元使用匹配度更高的写操作脉冲信号进行写操作，目标存储单元使用更适合的写操作脉冲信号，不容易发生寿命折损，可以变相提高存储单元的使用寿命。
55.本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制方法，在写操作失败的情况下，通过同步调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，可以实现脉冲持续时长和脉冲幅值的适应性调节，相对于现有技术的写操作过程，对于写操作脉冲信号的调节变得更为精准，可以对目标存储单元使用匹配度更高的写操作脉冲信号进行写操作，目标存储单元使用更适合的写操作脉冲信号，不容易发生寿命折损，可以变相提高存储单元的使用寿命。
56.在一些实施方式中，判断写操作是否成功，可以包括：
57.获取目标存储单元内被写入的实际数据，以及获取写操作的目标数据对应的目标范围。示例性的，阻变存储器由高阻态转变为低阻态的过程通常定义为set(设置)过程，反之，由低阻态转变为高阻态为reset(复位)过程。一般情况下，对于刚制备完的器件缺陷较少，初始阻态较高，需要一个相对较大的电压来激发它后续的转变，这个过程定义为forming(初始化)过程。例如，目标数据可以包括0或1，其中，在目标数据包括0的情况下，写操作对应的是set循环，即由高阻态变为低阻态，目标存储单元完成写操作后且写操作是成功的情况下，阻值应该是小于或等于30ω，在目标数据包括1的情况下，写操作对应的是复位reset循环，即由低阻态变为高阻态，目标存储单元在完成写操作且写操作成功的情况下，阻值应该是大于30ω且小于或等于50ω。则目标数据0对应的目标范围是阻值小于等于30ω，目标数据1对应的目标范围是阻值大于30ω且小于或等于50ω。目标存储单元内被写入的实际数据则是目标存储单元在完成写操作后的阻值，阻值可以是通过测试读取得到，实际数据是无论写操作成功与否都会存在的阻值数据。
58.判断实际数据是否落入目标范围内，若实际数据未落入目标范围内，则判定写操作失败。例如，获取到的实际数据是25ω，目标数据0对应的目标范围是阻值小于或等于30ω，25ω＜30ω，则实际数据落入目标范围内，判定此次写操作成功；若获取到的实际数据是25ω，目标数据1对应的目标范围是阻值大于30ω且小于或等于50ω，25ω＜30ω，实际数据未落入目标范围内，则判定此次写操作失败。示例性的，图2所示的ck2阶段属于读取实际数据的时间段，即读取目标存储单元的阻值。
59.本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制方法，通过读取实际数据，比对实际数据与目标数数据对应的目标范围，以判断写操作是否成功，能够更精准的调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。
60.在一些实施方式中，若写操作失败，则调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，包括：
61.若写操作失败，则判断写操作对应的循环时长是否超时。容易理解的是，写操作循环不能够无限循环下去，可以通过设置预设循环时长来作为循环时长的限定时间，可以通过计时器对写操作对应的循环进行计时，若当前写操作对应的循环时长超出预设循环时长，则判定为超时，否则未超时。
62.若写操作对应的循环时长未超时，则调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。在写操作对应的循环时长未超时的情况下，可以继续调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，以继续对目标存储单元进行写操作。
63.若写操作对应的循环时长已经超时，则确定目标存储单元的寿命耗尽。在写操作对应的循环时长已超时的情况下，则在预设循环时长内都未能对目标存储单元成功完成写操作，说明目标存储单元已经无法写入数据，目标存储单元的剩余使用寿命耗尽。造成目标
存储单元的剩余使用寿命耗尽的情况可以有多种，例如目标存储单元损坏，或者目标存储单元已经到达使用寿命上限，本技术实施例不作具体限定。
64.在一些实施方式中，调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值之后，可以包括：
65.根据写操作对应的循环时长设置循环次数上限。在设置预设循环时长的基础上，还可以在循环的过程中设置循环次数上限，循环次数上限还可以是固化在电路结构中，本技术不作具体限定。
66.示例性的，图3为本技术实施例提供的另一种阻变存储器的存储控制方法的示意性流程图。如图3所示，本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制方法包括如下步骤：
67.s100：利用写操作脉冲信号，对阻变存储器的目标存储单元执行写操作。
68.s201：获取目标存储单元内被写入的实际数据，以及获取写操作的目标数据对应的目标范围。
69.s202：判断实际数据是否落入目标范围内。
70.若实际数据落入目标范围内，则写操作结束。
71.若实际数据未落入目标范围内，继续执行步骤s203，s203：判断目标数据是否包括0。
72.若目标数据不包括0，则继续执行步骤s204，s204：判断目标数据是否包括1。
73.若目标数据不包括1，则写操作结束，此种情况说明写操作的目标数据错误，可以进一步排查错误。
74.若目标数据包括0，则执行步骤s205，s205：判断set循环是否超时；若超时则判定目标存储单元寿命耗尽。
75.若目标数据包括1，则执行步骤s206,s206：判断reset循环是否超时；若超时则判定目标存储单元寿命耗尽。
76.若set循环未超时，则执行步骤s207，s207：调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值；之后执行步骤s208中的设置set循环的循环次数上限。
77.若reset循环未超时，则执行步骤s207，之后继续执行步骤s208中的设置reset循环的循环次数上限。
78.s208：设置set循环的循环次数上限/设置reset循环的循环次数上限。
79.s209：发送调节后的写操作脉冲信号。继续利用调节后的写操作脉冲信号继续执行步骤s100。
80.图3所示实施例只是示意性的，不作为本技术的具体限定。
81.在一些实施方式中，调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值之前，还可以包括：
82.获取目标存储单元的存储特性参数。存储特性参数可以包括目标存储单元的剩余使用寿命、上一次成功的写操作使用的写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值以及上一次成功写操作的循环次数等，存储特性参数可以表征目标存储单元当前的情况，本技术实施例不作具体限定。
83.调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，包括：
84.根据目标存储单元的存储特性参数，调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲
幅值。根据存储特性参数调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，可以根据目标存储单元的当前情况，精准的调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，以更快速的调节出适宜当前目标存储单元进行写操作的写操作脉冲信号，可以减少写操作循环次数，提高写操作效率，也能节省目标存储单元的使用寿命。
85.在一些实施方式中，根据目标存储单元的存储特性参数，调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前，包括：
86.获取脉冲调节参数。脉冲调节参数可以包括增大或减少脉冲持续时长的数值以及增大或减小脉冲幅值的幅度。例如，脉冲调节参数包括增大脉冲持续时长100ns，减小脉冲幅值0.5v，本技术实施例不作具体限定。
87.根据目标存储单元的存储特性参数，在脉冲调节参数中选择目标脉冲参数。脉冲调节参数可以有多组，每组都有关于脉冲时长的调节参数和脉冲幅值的调节参数，目标脉冲参数则是在多组脉冲调节参数中最为适宜的脉冲调节参数。
88.按照目标脉冲参数，调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。
89.本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制方法，脉冲调节参数可以是外部提供，内部选择，也可以是直接调节，能够精准调节写操作脉冲信号，减少存储单元的寿命折损。
90.在一些实施方式中，根据目标存储单元的存储特性参数，调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，可以包括：
91.根据目标存储单元的存储特性参数，增大写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。脉冲持续时长和脉冲幅值可以是同步增大的。
92.根据目标存储单元的存储特性参数，减小写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。脉冲持续时长和脉冲幅值可以是同步减小的。
93.根据目标存储单元的存储特性参数，增大写操作脉冲信号的脉冲持续时长，以及减少写操作脉冲信号的脉冲幅值。
94.根据目标存储单元的存储特性参数，减小写操作脉冲信号的脉冲持续时长，以及增大写操作脉冲信号的脉冲幅值。脉冲持续时长和脉冲幅值可以是一个增大，另一个减小。
95.本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制方法，对于写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值的调节，具体可以根据存储特性参数，进行多样化的调节，能够精准调节写操作脉冲信号，减少存储单元的寿命折损。
96.本技术实施例的第二方面，提供一种阻变存储器的存储控制电路，图4为本技术实施例提供的一种阻变存储器的存储控制电路的示意性结构框图。如图4所示，本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制电路，包括：存储控制状态机300，用于控制执行如第一方面所述的阻变存储器的存储控制方法的步骤。需要说明的是，存储控制状态机300作为电路的硬件控制器，内部可以存储有控制程序，控制程序的执行可以实现第一方面所述的阻变存储器的存储控制方法。
97.阻变存储器的存储控制方法包括如下步骤：
98.利用写操作脉冲信号，对阻变存储器的目标存储单元执行写操作。
99.判断写操作是否成功，若写操作失败，则调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。
100.本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制电路，通过存储控制状态机300的控制，在写操作失败的情况下，通过同步调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，可以实现脉冲持续时长和脉冲幅值的适应性调节，相对于现有技术的写操作过程，对于写操作脉冲信号的调节变得更为精准，可以对目标存储单元使用匹配度更高的写操作脉冲信号进行写操作，目标存储单元使用更适合的写操作脉冲信号，不容易发生寿命折损，可以变相提高存储单元的使用寿命。
101.在一些实施方式中，图5为本技术实施例提供的另一种阻变存储器的存储控制电路的示意性结构框图。如图5所示，本技术实施例提供的阻变存储器的存储控制电路，还包括：数据传输接口400，用于向存储控制状态机300传输目标数据；脉冲参数提供模块500，用于向存储控制状态机300提供脉冲调节参数。目标数据可以是由外部上位机或者其他控制系统通过数据传输接口400传输至存储控制状态机300，存储控制状态机300可以用目标数据对阻变存储器执行写操作。脉冲调节参数可以存储在脉冲参数提供模块500内，存储控制状态机300可以在多个脉冲调节参数中选择当前写操作需要的目标脉冲参数，以实现写操作脉冲信号的调节。
102.在一些实施方式中，图6为本技术实施例提供的又一种阻变存储器的存储控制电路的示意性结构框图。如图6所示，脉冲参数提供模块500可以包括：配置数据接口510，用于连接外部数据总线spi，配置数据接口510用于通过外部数据总线spi向存储控制状态机300传输脉冲调节参数；非易失存储器520，用于存储脉冲调节参数。存储控制状态机300通过多路选择器600分别与配置数据接口510和非易失存储器520电连接。脉冲调节参数可以有两种途径提供给存储控制状态机300，一种是通过外部数据总线spi从外部系统或设备获取，另一种可以是通过非易失存储器520获取，中间可以通过多路选择器600进行选择。需要说明的是，非易失存储器520还可以用于存储目标存储单元的存储特性参数，可以通过多路选择器600提供给存储控制状态机300。多路选择器600对于配置数据接口510和非易失存储器520的选择可以是由存储控制状态机300控制，也可以是由用户的编程控制，本技术实施例不做具体限定。可以依据不同的应用场景，或者依据最优调节参数来选择配置数据接口510和非易失存储器520。需要说明的是，配置数据接口510可以是spi总线，也可以是uart串口等各种总线接口，本技术实施例不作具体限定。非易失存储器520可以是eeprom存储器件，还可以是反熔丝存储器件，或者其他非易失存储器阵列，本技术均不作具体限定。
103.本技术实施例的第三方面，提供一种存储芯片，图7为本技术实施例提供的一种存储芯片的示意性结构框图。如图7所示，本技术实施例提供的存储芯片，包括：阻变存储器1000和如第二方面所述的阻变存储器的存储控制电路，阻变存储器的存储控制电路与阻变存储器1000电连接。存储控制状态机300可以用目标数据对阻变存储器1000执行写操作。阻变存储器1000与阻变存储器的存储控制电路中的非易失存储器520连接，非易失存储器520可以用于获取阻变存储器1000的目标存储单元的存储特性参数。需要说明的是，非易失存储器520的容量小于阻变存储器1000的容量，主要用于存储各种参数。
104.本技术实施例提供的存储芯片，阻变存储器的存储控制电路在写操作失败的情况下，通过同步调节写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，可以实现脉冲持续时长和脉冲幅值的适应性调节，相对于现有技术的写操作过程，对于写操作脉冲信号的调节变得更为精准，可以对目标存储单元使用匹配度更高的写操作脉冲信号进行写操作，目标存储
单元使用更适合的写操作脉冲信号，不容易发生寿命折损，可以变相提高存储单元的使用寿命。
105.显然，本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样，倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内，则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。

技术特征：

1.一种阻变存储器的存储控制方法，其特征在于，包括：利用写操作脉冲信号，对阻变存储器的目标存储单元执行写操作；判断所述写操作是否成功，若所述写操作失败，则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。2.根据权利要求1所述的阻变存储器的存储控制方法，其特征在于，所述判断所述写操作是否成功，包括：获取所述目标存储单元内被写入的实际数据，以及获取所述写操作的目标数据对应的目标范围；判断所述实际数据是否落入所述目标范围内，若所述实际数据未落入所述目标范围内，则判定所述写操作失败。3.根据权利要求1所述的阻变存储器的存储控制方法，其特征在于，若所述写操作失败，则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，包括：若所述写操作失败，则判断所述写操作对应的循环时长是否超时；若所述写操作对应的循环时长未超时，则调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值；若所述写操作对应的循环时长已经超时，则确定所述目标存储单元的寿命耗尽。4.根据权利要求1所述的阻变存储器的存储控制方法，其特征在于，所述调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前，包括：获取所述目标存储单元的存储特性参数；所述调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值，包括：根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值。5.根据权利要求4所述的阻变存储器的存储控制方法，其特征在于，所述根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前，包括：获取脉冲调节参数；根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，在所述脉冲调节参数中选择目标脉冲参数；按照所述目标脉冲参数，调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。6.根据权利要求5所述的阻变存储器的存储控制方法，其特征在于，所述根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值，包括：根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值；或，根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，减小所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值；或，根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长，以及减少所述写操作脉冲信号的所述脉冲幅值；或，根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，减小所述写操作脉冲信号的所述脉冲持
续时长，以及增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲幅值。7.一种阻变存储器的存储控制电路，其特征在于，包括：存储控制状态机，用于控制执行如权利要求1-6中任一项所述的阻变存储器的存储控制方法的步骤。8.根据权利要求7所述的阻变存储器的存储控制电路，其特征在于，还包括：数据传输接口，用于向所述存储控制状态机传输目标数据；脉冲参数提供模块，用于向所述存储控制状态机提供脉冲调节参数。9.根据权利要求8所述的阻变存储器的存储控制电路，其特征在于，所述脉冲参数提供模块包括：配置数据接口，用于连接外部数据总线，所述配置数据接口用于通过所述外部数据总线向所述存储控制状态机传输所述脉冲调节参数；非易失存储器，用于存储所述脉冲调节参数；所述存储控制状态机通过多路选择器分别与所述配置数据接口和所述非易失存储器电连接。10.一种存储芯片，其特征在于，包括：阻变存储器和如权利要求7-9中任一项所述的阻变存储器的存储控制电路，所述阻变存储器的存储控制电路与所述阻变存储器电连接。

技术总结

本申请公开一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片，涉及半导体技术领域，能够灵活的调节写入数据所用的脉冲信号，以提高阻变存储器的使用寿命。阻变存储器的存储控制方法，包括：利用写操作脉冲信号，对阻变存储器的目标存储单元执行写操作；判断所述写操作是否成功，若所述写操作失败，则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。