LED温图谱详解
LED 温图谱详解 NOTE: 温=实测温-折叠炕桌计算温(根
据相对温线) 结论：1. 根据实际测试的标可看出：不在
温线上面的坐标点，可以通过相对温线的方式求出该点温. 2.向下延长各个相对温线，基本交汇在一点(X:0. 33 Y: 0. 20). 依此点坐标：2500K相对温线与 X轴的夹角约为 30度. 25000K相对温线与2500K相对温线之间的夹角约为 90度.
250000K相对温线与2019K相对温线之间的夹角约为 100度. 具体见上图所示.3. 根据上图白光坐标分布图与相对温线
的关系，现在许多分光参数表是根据温方式划分各个 BIN等级
(标分布图是参照早期日亚白光标分布图制作 ).这样分当然具
有一定的好处。
4. 工厂标分布图所对应的的温范围为 ：4000K~16000K.
5.采用白光计算机(T620)测试出的温值与根据相对温线所计 算出的温值有一定的差别，机台测试出的温值只能做一个参考 值.根据相对温线所计算出的温值与机台测试的温值之间的 差别详见上表 温值. 相关温8000-4000K的白光LED的
文章报告和分析了 8000K、6400K、5000K和4000K四种温 的白光LED的发射光谱、 品质和显性等特性， 它们与工作条 件密切相关。
随着正向电流IF的增加，品 坐标x和y值逐渐减小， 温增大，发生漂移，而光通量呈亚线性增加， 光效逐渐下降。
由于在白光LED中发生光转换过程， 产生光吸收的辐射传递， 致使白光中InGaN芯片的蓝EL光谱的形状和发射峰发生变化。
白光LED的特性在很大程度上受InGaN蓝光LED麦饭石床垫芯片性能的 制约。
人们可以实现8000-4000K四种温白光LED，显指数高， 且制作的白光LED的容差可以达到很小， 实现优质的白光照明光 源。 从上世纪90年代末到现在，白光发光二极管的出现和快速发 展，引起人们极大的热情， 白光LED具有低压、低功耗、高可靠, 长寿命及固体化等优点。
其量大的吸引力和期望是作为继白炽灯泡、 荧光灯及高强度气
体放电灯（HID）后的第四代照明新光源具有庞大的照明市场和显著 的节能前景的光源，是符合环保、节能要求的绿照明光源。 因此，受到日美和欧洲各国政府和商家的重视， 他们制定发展
规划和目标， 且大集团公司在技术和资金上进行联合和重组。
2003 年6月我国政府也推出半导体照明工程 ，以期大力推动 我国白光LED的发展。
尽管短短的几年来， 白光LED的研发和应用取得举世瞩目的
成绩，但目前还存在诸多问题， 只能用于一些特殊的领域中。
我们注意到，目前普通的白光LED与用作照明光源白光LED的
概念是有质的差异， 并不是越白 越好。
人们对用作照明的白光光源有着严格的要求， 国际和我国早已
照明光源有六个严格的标准温区：
6400K、5000K、4000K 3450K镭射贴、2900K 及 2700K 及其相应的 域，照明光源的品质参数是相互关联的。
必须同时得到满中，方可称为合格的照明光源。
尽管目前作为照明光源白光 LEDs还没有国际CIE标准及中国 的国家标准，但是应当参照国际CIE和中国国家标准来要求和指导 白光LEDs新照明光源的发展和应用。
迄今有关不同温度，高显性白光LED的品质和光谱特性 报道欠缺。
本文按照国家照明光源标准， 报告和分析所研发的8000-4000K
不同温的白光LED的发射光谱、 品质及光电特性。
1 、 实现相关温原理和实验从市场上可以很方便地购得
多家公司提供的不同等级的In GaN蓝光LED芯片。
这些芯片样品可分为发射波长 455-460nm、460-465nm及
465-470nm 光强一般在40mcd以上。
蓝芯片尺寸大多为320X320um左右。
依据发光学光转换和度学原理，采用蓝光LED芯片和可被蓝 光有效激发的荧光粉有机组合成白光 LED技术实现白光。
荧光粉选择是多样性的，可以是一种黄荧光粉或黄和红 混合荧光粉。
调控各发光颜强度比， 实现各种温的白光。
将含有荧光粉的优质高透过率树脂胶仔细涂覆在蓝芯片周围，
用常规的圭寸装工艺和环氧树脂圭寸装成常规 ①5mm子弹型和半球型白
光LED
白光LED的发射光谱，品技及其他光电特性由浙大三仪器 有限公司生产的型号为SPR-920D型光谱辐射分析仪测试记录。
该仪器配有一个0. 5m的积分球及直流电源。
所有实验均在室温下进行， 白光LED的发射光谱在正向电流
IF=20mA下测试。
2 、 不同温白光 LED的光谱特性 2 . 1 8000K 的白光
LED 7000-10000K白光呈现发蓝高温的白光。
在照明光源标准中没有这个标准。
它是不能有作普通家庭照明光源的。
这种高温发蓝的白光LED可以用于要求不严的特殊照明和指 示中，有一定用途。
图1给出相关温为8070K的半球①5白光LED的发射光 谱。
它是由InGaN蓝光LED的电致发光光谱和稀土 YAG:
Ce 体系黄荧光体被蓝光激发的光致发光光谱所组成， 两光谱
的本质是不同的。
这样构成相关温为8070K的发蓝的白光光谱，品坐标x=0. 2979, y=0. 2939， 在黑体轨迹的附近。
2 . 2 6400K的白光LED图2是在正向电流IF=20mA下的
车辆调度温为6450K的白光LED的发射光谱。
它是属于温为6400K的日光。
是目前照明光源使用的最广泛的温之一。
其光谱所组成。
和图1光谱相比， 黄成份的光谱增强， 温降低。
此时白光LED中的蓝光EL光谱和只有InGaN LED的蓝光光 谱相比是有差异的， 因为发生荧光体高效的吸收蓝光和光转换的辐
射传递。
而这种光吸收（激发）与荧光体的激发光谱密切相关。
由于这种荧光体光转换过程致使白 光LED中的蓝光光谱的能
量分布、发射峰以及半高宽等性质发生变化。
所涂覆的荧光粉越多， 蓝光谱变化越严重， 在低温的白光
LED中更为明显。
该白光LED的品坐标X=0. 3146 , Y=0. 3360 , 它们落 在CIE标准度图6400K标准温
的容差图的最内圈， 其容 差1.9 ,很满意，显指数Ra为82 ,完全符合照明光源的要 求。
2 . 3 5000K的白光LED温5118K的白光LED的发射光 谱（如图3所示），它属于标准温为5000K的中性白光。
光谱性质和上述相同， 只是光谱中的黄成份的比例增加。
该白光LED的品坐标X=0. 3422, Y=0. 3543, 其容差在 5000K标准温的域中为2. 1，很满意，Ra=81。
完全符合照明光源的光参数要求。
若要提高显指数Ra，需要增加光谱中的红成份， 可能牺牲
光效。
此外，在IF=20mA下，白光LED的光转换倍数高达4. 9倍。 这里所说的光转换倍数（B）定义是在某一正向电流IF和不同 的温下，是不同的。
2 . 4 4000K的白光LED迄今有关符合照明光源标准要求的
4000K白光LED光谱和品质的报告很少。
这是因为仅用稀土 YAG:
agv驱动器Ce 体系黄荧光体难以制作合乎要求的 Tc4000K的白光LED, 显指数低，品质差。
为此，需要加入适量的红荧光体，补足光谱中红成份。
图4为我们开发4019K白光LED的发射光谱，它属于标准的 温为4000K的冷白。
光谱中黄和橙成份增加， 相对光谱中蓝成份的比例进一步下降。
该白光LED的品坐标 X=0. 3810, Y=0. 3815,在标准4000K
温的容差的最内圈中， 其容差为0. 6 ,显指数Ra=82。纳米导光板
品质甚佳， 完全符合照明光的严格要求。
3 、白光LED的性质与IF的关系3 . 1品坐标 光源的
品坐标是一个重要参数。
图5给出5000K白光LED在不同正向电流IF驱动下的品 坐标X和Y值的变化曲线。
这条曲线给绘在标准6400K温的容差图中，具有直观动态 感。
其中纵坐标为Y值，横坐标为X值，而上横坐标为IF（ mA。 显然，随IF增加，品坐标X和Y值逐渐偏离，到IF=70， 80mA时，偏离非常严重。
3 . 2相关温 由上述品坐标X和Y值随IF的变化，
指明发生漂移， 这必然在相关温中也呈现反映。
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