（⽂/观察者⽹吕栋）6⽉20⽇，紫光集团发布消息，由长江存储实施的国家存储器基地项⽬⼆期（⼟建）在武汉东湖⾼新区开⼯，规划产能20万⽚/⽉，达产后与⼀期项⽬合计⽉产能将达30万⽚。 不容忽视的是，⾏业龙头三星近期也在闪存领域动作频频。6⽉1⽇，其宣布在韩国平泽扩产NAND闪存，该公司在西安的闪存芯⽚项⽬也在持续扩⼤投资，计划建成全球规模最⼤的闪存芯⽚制造基地。 观察者⽹注意到，受上述消息影响，今天A股早盘，光刻胶、半导体、国产芯⽚等板块纷纷⾛强。个股⽅⾯，瑞芯微、北⽅华创、中微公司、北京君正、华特⽓体、华峰测控等集成电路概念股均⼤幅上涨。 打猎机
A股半导体板块今⽇股价信息
⼀期主要实现技术突破
紫光集团介绍，长江存储国家存储器基地项⽬由紫光集团、国家集成电路基⾦、湖北省科投集团和湖北省集成电路基⾦共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯⽚⼯⼚，总投资240亿美元。
其中，项⽬⼀期于2016年底开⼯建设，进展顺利，32层、64层存储芯⽚产品已实现稳定量产。
在开⼯仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国表⽰，国家存储器基地项⽬⼀期开⼯建设以来，从⼀⽚荒芜之地变成了⼀座世界领先的存储器芯⽚⼯⼚，实现了技术⽔平从跟跑到并跑的跨越。
有源音箱电路图在64层闪存量产7个⽉后，长江存储今年4⽉宣布新的研发进展，其跳过96层，成功研制出业内已知型号产品中最⾼单位⾯积存储密度，最⾼I/O传输速度和最⾼单颗NAND闪存芯⽚容量的128层闪存。
谈及量产时间，长江存储当时向观察者⽹表⽰，配合前述产能，128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。
西南证券6⽉21⽇分析指出，长江存储⼀期主要实现技术突破，并建成10万⽚⽉产能，计划将于2020年底满产，考虑到国外⼚商扩产情况，届时长江存储市全球占率将达5%左右。高山林>礼花发射器
“2018年长江存储突破32层3D闪存，与国外差距3-4年；2019年其实现64层技术量产，与国外差距缩⼩⾄2年；今年4⽉，长江存储128层QLC 3D闪存研制成功，若128层年底实现量产，则与三星、海⼒
虚拟地震台网⼠、美光等国外⼚商技术差距缩⼩⾄1年，⼀期的技术突破任务已基本完成。”该券商分析称。
华创证券分析称，存储器是信息系统的基础核⼼芯⽚，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造⼯艺，也是中国进⼝⾦额最⼤的集成电路产品。近些年内存、固态硬盘、显卡价格屡现上涨，根源在于存储芯⽚掌握在少数国外⼚家⼿中。国产化将降低国内半导体产品成本，并提升上游设备公司订单。
6⽉9⽇，基于⼆季度数据，SEMI（国际半导体产业协会）调整2021年全球晶圆⼚设备开⽀规模的预测值，由此前预估的657亿美元上调⾄创纪录的677亿美元，预计同⽐增长率为24%。其中，存储器⼯⼚的设备开⽀规模最⼤，预计达到300亿美元。
纸币识别器
前述券商统计数据显⽰，截⾄今年6⽉20⽇，国内⼚商在长江存储中标数量排名依次为：北⽅华创（中标56台）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半导体（18）、华海清科（11）、精测电⼦（8）、沈阳拓荆（5）、中科飞测（3）、睿励（2），覆盖刻蚀、沉积、检测、清洗、CMP多个领域。
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