无线报警
系统实验12 Nand flash应用实验
1、实验目的
z了解nand flash存储器及K9F1208U0M nand flash器件。
z掌握S3C2410X对K9F1208U0M nand flash编程。
2、实验内容
z编写程序，实现向nand flash的某个块写数据，然后从这个块读出数据。 3、实验设备
z S3C2410开发板。
z ADS1.2集成开发环境，JTAG调试器。
z串口连接线。
4、实验原理
4．1 NAND flash的特点
NOR flash 和NAND flash是目前是市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor flash存储器的容量较小、写入速度慢。但是因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中常应用在程序代码的存储中。Nand flash的内部结构能够提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且写入和擦除的速度也很快。但Nand flash存储器需要特殊的接口来操作，因此它的随机读取的速度不及Nor flash。pigg
4．2 K9F1208U0M芯片介绍：
64M×8bit nand flash。
特点：
z编程电压：2.7V～3.6V。
z存储空间组织：（64M＋2M）×8bit。
数据空间：4planes×1kblocks×32pages×512MByte。
寄存器空间：4planes×1kblocks×32pages×16MByte。
z自动编程和擦除
页编程：（512＋16）Byte。
usb周边块擦除：（16K＋512）Byte。
528Byte 页读取操作。
z随机读取：12us。
z串行读取50ns。
z快速编程时间：
编程时间：200us（典型）。湿法炼锌
块擦除时间：2ms。
z命令/地址/数据复用I/O端口。
z硬件数据保护：当电源波动时，擦除或编程操作停止。
减速电动机z可靠性：
可经受100K次擦写。
数据可以保存十年。
z采用命令寄存器操作。
z采用唯一的ID号保护版权。4．2 K9F1208U0M引脚分布
4．3 K9F1208U0M引脚功能
4．4 K9F1208U0M存储单元组织结构
4.4 K9F1208U0M指令设置
4．5 K9F1208U0M存储单元分布
5、K9F1208U0M实现原理
橡胶还原剂5．1编程（写）流程图
写入操作以页为单位。写入必须在擦除之后，否则写入将出错。
页写入周期中包括3个步骤：写入串行数据输入指令（80h），然后写入4个字节的地址，最后串行写入数据（528Byte）。串行写入的数据最多为528byte，它们首先被写入器件内的页寄存器，接着进入一个内部的写入程序，将数据从页寄存器写入存储单元。串行数据写入完成后，需要写入“页写入确认”指令10h，这条指令将初始化器件内部写入操作。10h写入之后，nand flash的内部写控制器将自动执行内部写入和校验中必要的算法和时序，这时系统控制器就可以完成其他操作了。
内部写入操作开始后，器件自动进入“读状态寄存器”模式。在这种模式下，当/RE和/CE为低电平时，系统就可以读取状态寄存器。系统可以通过检测R//B的输出，或读取状态寄存器的状态位（I/O 6）来判断内部写入是否结束。当页写入操作完成后，要检测写状态位（I/O 0），判断是否写入成功。
编程流程图如下：
页编程时序图如下：
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