SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别

表面热电阻集飞行器SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别

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SRAM的全称是Static Rnadom Access Memory，翻译过来即静态随机存储器。这⾥的静态是指这种存储器只需要保持通电，⾥⾯的数据就可以永远保持。但是当断点之后，⾥⾯的数据仍然会丢失。由于SRAM的成本很⾼，所以像诸如CPU的⾼速缓存，才会采⽤SRAM。

DRAM

DRAM全称是Dynamic Random Access Memory，翻译过来即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使⽤电容存储，所以必须隔⼀段时间刷新(refresh)⼀次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

Flash

Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，⼜名闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位⽽是以固定的区块为单位，区块⼤⼩⼀般为256KB到20MB。

闪存是电⼦可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，EEPROM能在字节⽔平上进⾏删除和重写⽽闪存是按区块擦写，这样闪存就⽐EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。

由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输⼊输出程序)、PDA(个⼈数字助理)、数码相机中保存资料等。另⼀⽅⾯，闪存不像RAM(随机存取存储器)⼀样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

NOR Flash与NAND Flash

NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的⾮易失闪存技术。米黄石

发光棒

Intel于1988年⾸先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)⼀统天下的局⾯。

紧接着1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每⽐特的成本，有更⾼的性能，并且像磁盘⼀样可以通过接⼝轻松升级。

NOR Flash 的特点是芯⽚内执⾏（XIP ，eXecute In Place），这样应⽤程序可以直接在Flash闪存内

钢板桩引孔运⾏，不必再把代码读到系统RAM 中。NOR 的传输效率很⾼，在1~4MB的⼩容量时具有很⾼的成本效益，但是很低的写⼊和擦除速度⼤⼤影响到它的性能。

NAND的结构能提供极⾼的单元密度，可以达到⾼存储密度，并且写⼊和擦除的速度也很快。应⽤NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接⼝。通常读取NOR的速度⽐NAND稍快⼀些，⽽NAND的写⼊速度⽐NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。

DDR

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，⼈们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。⽽DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

SDRAM与DRAM相⽐多了⼀个同步接⼝，这个同步接⼝可以让SDRAM与计算机系统总线进⾏同步。

DDR内存是在SDRAM内存基础上发展⽽来的，仍然沿⽤SDRAM⽣产体系，因此对于内存⼚商⽽⾔，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的⽣产，可有效的降低成本。

⽬前DDR存储器已经发展到了DDR4，智能⼿机以及电脑上都有使⽤。

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