OTP：一次性可编程（One Times Program：只能烧录一次程序）； 旋流沉砂器
FLASH芯片：即MASK，就是MCU在出厂的时候已经固化到里面去了，不能再写程序进去。编程芯片：将程序烧录进空白芯片里则叫编程芯片。所有FLASH芯片都是编程芯片。
目前芯片烧录主要有联机和脱机两种烧录方式
（1）脱机烧录是指烧录芯片时不需要使用电脑，只需将代码程序事先烧录进EPROM芯片里，然后
把这个写好程序的芯片作为母片再通过专用的沥青阻尼板
烧录设备将母片里的程序复制到我们要烧录的
空白芯片里以完成程序的烧录工作。
（2）联机烧录是指在烧录芯片时先在电脑中打开此芯片所对应的烧录软件，然后把烧录的程序载
入到烧录软件的BUFFER区内，最后通过编程
器将BUFFER区内的程序复制到要烧录的空白
永磁电机
设计芯片里以完成程序的烧录工作。
芯片属于静电敏感元件，因此必须要做好防静电措施。静电接电线应与大地连在一起，不能直接接在电源的地线上。静电接地系统的对地电阻应小于0.5欧姆。在烧录芯片时应使用镊子或是IC吸附器。
粉条生产线eMMC架构
eMMC (Embedded Multi Media Card) 为MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，同样的重要。 eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器——所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。
eMMC特点
eMMC目前是最当红的便携移动产品解决方案，目的在于简化终端产品存储器的设计。由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、镁光(Micron)等，当设计厂商在导入
时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。
柔性自动化生产线eMMC的设计概念，就是为了简化内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP 芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问
题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。
eMMC应用行业
eMMC现在的目标应用是对存储容量有较高要求的工业级及消费类电子产品。今年已大量生产的一些热门产品，如Palm Pre、Amazon Kindle II和Flip MinoHD，便采用了eMMC。
Smartcom品牌隶属于置富存储科技（深圳）有限公司旗下，其主要产品包括SSD固态硬盘、SD卡、CF 卡、DOM电子硬盘等，广泛应用于军工、通讯、网络安全、工业控制、铁路及各种应用领域。
Smartcom拥有强大的自主研发实力和高素质的专业团队，从核心控制芯片到整体电子盘皆为品牌自行研发、设计和生产制造，并能根据不同应用及客户需求，提供各式各样的客制化设计服务，在机构、安全数据保护机制、接头与认证标准等部分可根据不同需要进行客制化设计，优质的产品服务和
关键技术的掌握为品牌迅速赢得口碑和市场份额，并深获国际大厂的认可和肯定，和多家知名厂商签署了友好合作协议。
闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。 EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图2.2所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作
为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与漏极之间的隧道效应，将注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，擦除不能按字节擦除，而是全片或者分块擦除。随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)。虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。
NAND的效率较高，是因为NAND串中没有金属触点。NAND闪存单元的大小比NOR 要小(4F2：10F2)的原因，是NOR的每一个单元都需要独立的金属触点。NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，适合于存储连续的数据，如图片、音频或个人电脑数据。虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实现随机存取，但是，这样做需要额外的RAM存储空间。此外，跟硬盘一样，NAND器件存在坏的扇区，需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性。
存储单元面积越小，裸片的面积也就越小。在这种情况下，NAND就能够为当今的低成本消费市场提
供存储容量更大的闪存产品。NAND闪存用于几乎所有可擦除的存储卡。NAND的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出。这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计，就能从更小的密度移植到更大密度的设计上。中波塔
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