一种复合型压电薄膜及其制备方法、谐振器与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种复合型压电薄膜及其制备方法、谐振器。

背景技术：

2.射频声波器件如薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic wave resonator，fbar)对压电薄膜的应力和晶体质量有极高的要求。应力方面：在沉积压电薄膜的过程中，由于压电薄膜和下层薄膜的晶格失配以及热膨胀系数的差距，压电薄膜在腔室里沉积完成并降温后会产生内部的残余应力：压应力或者拉应力，应力值从-2000mpa到+2000mpa不等。而当压电薄膜应力过大时，压电薄膜会沉积完成后直接形成裂痕。除此之外，在fbar器件进行释放工艺后，薄膜下方悬空且压电薄膜形成凸状或凹状，压电薄膜应力过大也会引起器件的整体翘曲，薄膜甚至断裂，直接导致fbar谐振器失效。
3.现有技术为了降低压电薄膜内部的应力，则通常会采用物理气相沉积法(physical vapor deposition，pvd)在底部金属电极上低温沉积压电薄膜，但是在低温条件下生长的压电薄膜呈现多晶态，压电薄膜的多晶态不仅会存在晶格失配的情况，还会降低压电薄膜的质量，从直接影响fbar的性能，使得fbar谐振器的q值较低，且机电转换效率降低。

技术实现要素：

4.本技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种复合型压电薄膜及其制备方法、谐振器，能够制备一种同时满足高质量和低应力要求的压电薄膜层。
5.为实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：
6.本技术实施例的一方面，提供一种复合型压电薄膜制备方法，方法包括：
7.在单晶衬底上高温沉积第一压电薄膜层以得到第一晶圆，第一压电薄膜层为单晶压电薄膜层；
8.获取第一压电薄膜层的应力值；
9.根据第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数；
10.根据低温沉积的工艺参数在第一压电薄膜层上低温沉积第二压电薄膜层，以使得到的复合型压电薄膜的目标应力值小于第一压电薄膜层的应力值。
11.可选的，获取第一压电薄膜层的应力值包括：根据单晶衬底的厚度、单晶衬底的泊松比、单晶衬底的杨氏模量、第一压电薄膜层的厚度、单晶衬底的曲率半径以及第一晶圆的曲率半径确定第一压电薄膜层的应力值。
12.可选的，其中，σ为第一压电薄膜层的应力值，es为单晶衬底的杨氏模量，vs为单晶衬底的泊松比，ts为单晶衬底的厚度，tf为第一压电薄膜层的厚度，rs为单晶衬底的曲率半径，rf为第一晶圆的曲率半径。
13.可选的，低温沉积的工艺参数包括偏置功率。
14.可选的，根据第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数包括：
15.根据第一压电薄膜层的应力值、低温沉积的沉积材料、低温沉积的目标厚度以及低温沉积的目标应力值，确定偏置功率。
16.可选的，偏置功率为10w至600w。
17.可选的，高温沉积为金属有机化合物化学气相沉积法；和/或，低温沉积为物理气相沉积法。
18.可选的，第一压电薄膜层的厚度为10nm至900nm；第二压电薄膜层的厚度为10nm至3000nm。
19.本技术实施例的另一方面，提供一种复合型压电薄膜，采用上述任一种的复合型压电薄膜制备方法制备。
20.本技术实施例的再一方面，提供一种谐振器，包括上述任一种的复合型压电薄膜。
21.本技术的有益效果包括：
22.本技术提供了一种复合型压电薄膜及其制备方法、谐振器，方法包括：在单晶衬底上通过高温沉积第一压电薄膜层，以此得到第一晶圆，并且通过高温沉积的方式能够使得第一压电薄膜层为单晶压电薄膜层，从而保证压电层的高质量；然后根据第一压电薄膜层的应力值来确定低温沉积的工艺参数，以此根据低温沉积的工艺参数在第一压电薄膜层上通过低温沉积第二压电薄膜层时，便可以利用第二压电薄膜层来平衡第一压电薄膜层的应力，从而降低整个复合型压电薄膜的整体应力，避免复合型压电薄膜的应力过大出现裂纹或翘曲等，实现在单晶衬底上制作同时满足高质量和低应力的压电薄膜层。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
24.图1为本技术实施例提供的一种复合型压电薄膜制备方法的流程示意图；
25.图2为本技术实施例提供的一种复合型压电薄膜制备方法的状态示意图之一；
26.图3为本技术实施例提供的一种复合型压电薄膜制备方法的状态示意图之二；
27.图4为本技术实施例提供的一种复合型压电薄膜制备方法的状态示意图之三；
28.图5为本技术实施例提供的一种复合型压电薄膜制备方法的状态示意图之四；
29.图6为本技术实施例提供的一种复合型压电薄膜制备系统的结构示意图。
30.图标：110-单晶衬底；120-第一压电薄膜层；130-第二压电薄膜层；140-金属有机化合物化学气相沉积设备；150-应力实时检测系统；160-磁控溅射设备。
具体实施方式
31.下文陈述的实施方式表示使得本领域技术人员能够实践所述实施方式所必需的信息，并且示出了实践所述实施方式的最佳模式。在参照附图阅读以下描述之后，本领域技术人员将了解本公开的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解，
这些概念和应用属于本公开和随附权利要求的范围内。
32.应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
33.应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。
34.诸如“在
…
下方”或“在
…
上方”或“上部”或“下部”或“水平”或“垂直”的相关术语在本文中可用来描述一个元件、层或区域与另一个元件、层或区域的关系，如图中所示出。应当理解，这些术语和上文所论述的那些术语意图涵盖装置的除图中所描绘的取向之外的不同取向。
35.本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而且并不意图限制本公开。如本文所使用，除非上下文明确地指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”意图同样包括复数形式。还应当理解，当在本文中使用时，术语“包括”指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或者增添一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或上述各项的组。
36.除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应当理解，本文所使用的术语应解释为含义与它们在本说明书和相关领域的情况下的含义一致，而不能以理想化或者过度正式的意义进行解释，除非本文中已明确这样定义。
37.本技术实施例的一方面，提供一种复合型压电薄膜制备方法，如图1所示，方法包括：
38.s010：在单晶衬底上高温沉积第一压电薄膜层以得到第一晶圆，第一压电薄膜层为单晶压电薄膜层。
39.请参阅图2，提供单晶衬底110，由此，借助单晶衬底110能够提供较好的外延基础，便于提高后续形成的薄膜层的质量。
40.单晶衬底110可以是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底中的一种，本技术对其不做限制，可以根据实际需求合理选择。
41.请继续参阅图2，在高温环境下，直接在单晶衬底110上沉积形成第一压电薄膜层120，得到第一晶圆，一方面能够借助高温提高结晶质量使得沉积后的第一压电薄膜层120为质量较高的单晶压电薄膜层，从而提高后续复合型压电薄膜的性能，尤其在复合型压电
薄膜作为谐振器时，能够有效的提高谐振器的q值和机电转换效率，同时也能够减少第一压电薄膜层120的晶格失配；另一方面鉴于现有先在衬底上形成金属电极然后再形成压电薄膜层的方式中，因为金属电极的缘故会限制压电薄膜层的沉积必须为低温环境，否则容易导致金属电极在高温环境下氧化失效造成缺陷，本技术直接在单晶衬底110上通过高温沉积形成第一压电薄膜层120，接着再在第一压电薄膜层120(或后续的复合型压电薄膜)上沉积金属电极的方式能够有效避免上述限制和缺陷。
42.s020：获取第一压电薄膜层的应力值。
43.如图3所示，在得到第一晶圆后，由于第一压电薄膜层120采用高温沉积的方式形成，所以，不可避免的会使得单晶衬底上的第一压电薄膜层120的应力值较大，为了使得最终形成的复合型压电薄膜的应力值得到有效降低达到目标应力值，可以预先对第一晶圆中的第一压电薄膜层120进行应力测试，通过应力测试从而获取第一压电薄膜层120的应力值。需要理解的是，复合型压电薄膜的目标应力值，可以是预设值，该预设值的达成可以以第一压电薄膜层的应力值为基础通过调整低温沉积的工艺参数来使得最终形成的复合型压电薄膜的实际应力值满足预设值。
44.s030：根据第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数。
45.通过s020获得第一压电薄膜层120的应力值后，可以以第一压电薄膜层120的应力值为依据来调整和确定后续低温沉积第二压电薄膜层130的工艺参数，从而使得低温沉积的工艺参数与目标应力值对应起来，即在给定一个目标应力值后，可以根据当前的第一压电薄膜层120的应力值来确定低温沉积的工艺参数，由此，便于通过控制第二压电薄膜层130的工艺参数来在低温沉积第二压电薄膜层130时，使得最终形成的复合型压电薄膜的应力值满足目标应力值，目标应力值小于第一压电薄膜层120的应力值，由此达到应力降低的效果。
46.s040：根据低温沉积的工艺参数在第一压电薄膜层上低温沉积第二压电薄膜层，以使得到的复合型压电薄膜的目标应力值小于第一压电薄膜层的应力值。
47.请参阅图4所示，根据确定好的第二压电薄膜层130低温沉积的工艺参数，开始在第一压电薄膜层120上通过低温沉积第二压电薄膜层130，以此得到复合型压电薄膜。由此，一方面可以通过第一压电薄膜层120对第二压电薄膜层130提供晶体导向，提高第二压电薄膜层130的质量，另一方面还可以通过沉积第二压电薄膜层130的方式改变最终得到的复合型压电薄膜的应力值，使其降低并达到目标应力值。换言之，借助第二压电薄膜层130能够调整降低复合型压电薄膜的应力。由此，在单晶衬底110上能够形成复合型压电薄膜(复合型压电薄膜包括单晶衬底110、第一压电薄膜层120和第二压电薄膜层130)，利用第一压电薄膜层120来提高复合型压电薄膜的质量，利用第二压电薄膜层130来平衡第一压电薄膜层120的应力，从而降低复合型压电薄膜的整体应力，避免复合型压电薄膜的应力过大出现裂纹或翘曲等，实现在单晶衬底110上制作同时满足高质量和低应力的压电薄膜层。
48.可选的，通过s020获取第一压电薄膜层的应力值时，可以引入单晶衬底的厚度、单晶衬底的泊松比、单晶衬底的杨氏模量、第一压电薄膜层的厚度、单晶衬底的曲率半径(沉积第一压电薄膜层之前，单晶衬底的曲率半径)以及第一晶圆的曲率半径来确定第一压电薄膜层的应力值，由此，可以准确的得到第一压电薄膜层的应力值，从而使得后续低温沉积的工艺参数能够精确得出，以保证最终得到的复合型压电薄膜的应力值能够达到目标应力
值。
49.需要理解的是，单晶衬底的厚度、单晶衬底的泊松比、单晶衬底的杨氏模量和第一压电薄膜层的厚度可以预先给定，例如：在进行衬底选择时，可以根据实际的需求，选择单晶衬底的材质和厚度，当单晶衬底的材质确定后，对应的，单晶衬底的杨氏模量和泊松比都已确定，在此基础上，根据复合型压电薄膜所应用的谐振器要求，合理预先确定第一压电薄膜层的厚度，由此，实现预先给定单晶衬底的厚度、单晶衬底的泊松比、单晶衬底的杨氏模量和第一压电薄膜层的厚度。
50.而单晶衬底的曲率半径和第一晶圆的曲率半径，则分别可以对其进行测定，测定时可以采用现有仪器或现有测试方法。由此，便可以根据上述已经确定的参数来得出第一压电薄膜层的应力值。
51.具体的，第一压电薄膜层的应力值可以根据以下公式得出：
52.其中，σ为第一压电薄膜层的应力值，es为单晶衬底的杨氏模量，vs为单晶衬底的泊松比，ts为单晶衬底的厚度，tf为第一压电薄膜层的厚度，rs为沉积第一压电薄膜层之前单晶衬底的曲率半径，rf为第一晶圆的曲率半径。
53.可选的，根据第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数包括：根据第一压电薄膜层的应力值、低温沉积的沉积材料(杨氏模量、泊松比)、低温沉积的目标厚度、第一压电薄膜层的厚度以及低温沉积的目标应力值，确定偏置功率。
54.在根据第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数时，可以根据目标应力值与低温沉积工艺参数(偏置功率)的对应关系，结合第一压电薄膜层的应力值来确定。
55.其中，目标应力值与偏置功率的对应关系，可以通过目标应力值与偏置功率对应关系的数据库获取，该数据库内的数据可以通过多次试验得出，例如借鉴上述得出第一压电薄膜层的应力值的思路，在通过第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数以便于使得最终得到的复合型压电薄膜的应力值达到目标应力值时：便可以将上述公式套用(目标应力值为复合型压电薄膜，其与参数做适应性调整)于在已知目标应力值和五个参数的同时，反推复合型压电薄膜的曲率半径，以此根据复合型压电薄膜曲率半径确定第二压电薄膜层的低温沉积工艺参数(偏置功率)，进而得出偏置功率和目标应力值的关系，通过该思路进行多组试验即可得出前述数据库。
56.在一些实施方式中，在单一变量的情况下，目标应力值与偏置功率负相关。例如：在525um的晶圆上沉积750nm的aln薄膜，当偏置功率为280w时，应力值为-958mpa，状态为压应力；当偏置功率为350w时，应力值为-1553mpa，状态为压应力。
57.在一些实施方式中，高温沉积可以是金属有机化合物化学气相沉积法(metal-organic chemical vapor deposition，mocvd)。低温沉积可以是物理气相沉积法(physical vapor deposition，pvd)，例如磁控溅射工艺。
58.在一些实施方式中，低温沉积第二压电薄膜层130的工艺参数包括偏置功率，即偏置电压功率，偏置电压能够在衬底表面附近加一个电压，确定功率后，在偏压的作用下，溅射出来的离子获得动能，加速飞向第一压电薄膜层120并对第一压电薄膜层120进行轰击，留下一些结合紧密缺陷少的薄膜原子，提高成膜质量。加速粒子或加速中性原子以高能量冲击第一压电薄膜层120，除了作为杂质被第一压电薄膜层120捕获以外，第一压电薄膜层
120表面的原子也由内部移动埋入导致第一压电薄膜层120体积增大，从而改变第一压电薄膜层120内部应力。同时，沉积离子能量提高，对离子在第一压电薄膜层120表面迁移是有益的，离子能量提高，迁移率增加，薄膜的孔隙率减少，致密度提升。
59.在一些实施方式中，低温沉积第二压电薄膜层130的偏置功率为10w至600w，如此，能够有效的降低第一压电薄膜层120的应力，改善复合型压电薄膜的整体应力。
60.在一种实施方式中，如图2所示，以有机源三甲基铝(tmal)和氨气(nh3)为反应源，反应源tmal与nh3的比例在1：100至1：1500范围之内，氢气为载气，温度范围为900℃至1300℃，腔体压力为30mbar至500mbar的条件下，通过mocvd在单晶衬底110上沉积第一压电薄膜层120，第一压电薄膜层120的材质为aln。
61.接着，如图3所示，对第一压电薄膜层120的应力进行测试，并根据应力值确定磁控溅射工艺的偏置功率为10w至600w。
62.然后如图4所示，以铝靶材和氮气为反应源，ar作为轰击铝靶材的气体，在温度为25℃至600℃，腔体真空度小于7
×
10-7
torr的条件下，通过磁控溅射工艺在第一压电薄膜层120上形成第二压电薄膜层130，第二压电薄膜层130的材质为aln。从而得到aln复合型压电薄膜。
63.如图5所示，在形成aln复合型压电薄膜后，可以对aln复合型压电薄膜进行应力测试，由此，可以根据上述工艺将复合型压电薄膜整体应力控制在-100mpa至100mpa之间。例如获得(002)面半高宽值达到0.1
°
且应力值为-75mpa的aln复合型压电薄膜。相比于现有低温条件下生长的压电薄膜呈现多晶态，且其(002)面x射线摇摆曲线(x-ray rocking curve，xrc)的半高宽(the full width at half maximum，fwhm)一般大于1
°
，本技术的复合型压电薄膜的质量更高且应力更低。
64.在一种实施例中，单晶衬底110为蓝宝石衬底。当单晶衬底110为蓝宝石衬底时，第一压电薄膜层120的厚度为10nm至500nm。
65.在一种实施例中，当单晶衬底110为碳化硅衬底时，碳化硅衬底为正切。当单晶衬底110为碳化硅衬底时，第一压电薄膜层120的厚度为10nm至900nm。
66.在一种实施例中，当单晶衬底110为硅衬底时，硅衬底表面为(111)晶面。当单晶衬底110为硅衬底时，第一压电薄膜层120的厚度为10nm至250nm。
67.在一种实施例中，第二压电薄膜层130的厚度为10nm至3000nm。
68.本技术实施例的另一方面，提供一种复合型压电薄膜，采用上述任一种的复合型压电薄膜制备方法制备，由此，能够使得制备得到的复合型压电薄膜中的复合型压电薄膜具备较高的晶体质量以及较低的应力。复合型压电薄膜可以应用于谐振器，例如fbar，也可以是由谐振器构成的滤波器。
69.本技术实施例的另一方面，可以根据前述复合型压电薄膜制备方法对应提供一种复合型压电薄膜制备系统，如图6所示，包括用于传送第一晶圆的机械臂、金属有机化合物化学气相沉积设备140、应力实时检测系统150和磁控溅射设备160。例如：在金属有机化合物化学气相沉积设备140中，在单晶衬底110上高温沉积第一压电薄膜层120(单晶压电薄膜层)，在单晶衬底110上对第一压电薄膜层120沉积(高温沉积)完毕后该第一晶圆由机械臂传送进入应力实时检测系统150。应力实时检测系统150根据单晶衬底厚度、单晶衬底泊松比、单晶衬底杨氏模量、第一压电薄膜层厚度、单晶衬底沉积第一压电薄膜层前的曲率半径
以及衬底沉积第一压电薄膜层后得到的第一晶圆的曲率半径进行计算，从而对应输出第一压电薄膜层120的应力值。根据第一压电薄膜层120的应力值，在应力实时检测系统150中输入第二次薄膜沉积(低温沉积)的材料类型、第二压电薄膜层130的目标厚度以及目标应力值，应力实时检测系统150可输出低温沉积中磁控溅射的偏置功率大小p值，同时通过机械臂将该第一晶圆从应力实时检测系统150传入磁控溅射设备160。利用物理气相沉积法(低温沉积)在第一压电薄膜层120上沉积第二压电薄膜层130，沉积过程中根据应力实时检测系统150输出的偏置功率大小p值调整低温沉积的工艺参数，从而制备出复合型压电薄膜，并测试该复合型压电薄膜的实际应力值，使得复合型压电薄膜的实际应力值满足目标应力值，并小于第一压电薄膜层120的应力值。
70.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：

1.一种复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：在单晶衬底上高温沉积第一压电薄膜层以得到第一晶圆，所述第一压电薄膜层为单晶压电薄膜层；获取所述第一压电薄膜层的应力值；根据所述第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数；根据所述低温沉积的工艺参数在所述第一压电薄膜层上低温沉积第二压电薄膜层，以使得到的所述复合型压电薄膜的目标应力值小于所述第一压电薄膜层的应力值。2.如权利要求1所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述获取所述第一压电薄膜层的应力值包括：根据所述单晶衬底的厚度、所述单晶衬底的泊松比、所述单晶衬底的杨氏模量、所述第一压电薄膜层的厚度、所述单晶衬底的曲率半径以及所述第一晶圆的曲率半径确定所述第一压电薄膜层的应力值。3.如权利要求2所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，3.如权利要求2所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，其中，σ为所述第一压电薄膜层的应力值，e
s
为所述单晶衬底的杨氏模量，v
s
为所述单晶衬底的泊松比，t
s
为所述单晶衬底的厚度，t
f
为所述第一压电薄膜层的厚度，r
s
为所述单晶衬底的曲率半径，r
f
为所述第一晶圆的曲率半径。4.如权利要求1所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述低温沉积的工艺参数包括偏置功率。5.如权利要求4所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述根据所述第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数包括：根据所述第一压电薄膜层的应力值、所述低温沉积的沉积材料、所述低温沉积的目标厚度以及所述低温沉积的目标应力值，确定所述偏置功率。6.如权利要求4所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述偏置功率为10w至600w。7.如权利要求1至6任一项所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述高温沉积为金属有机化合物化学气相沉积法；和/或，所述低温沉积为物理气相沉积法。8.如权利要求1至6任一项所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述第一压电薄膜层的厚度为10nm至900nm；所述第二压电薄膜层的厚度为10nm至3000nm。9.一种复合型压电薄膜，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的复合型压电薄膜制备方法制备。10.一种谐振器，其特征在于，包括如权利要求9所述的复合型压电薄膜。

技术总结

本申请提供一种复合型压电薄膜及其制备方法、谐振器，涉及半导体技术领域，方法包括：在单晶衬底上通过高温沉积第一压电薄膜层，以此得到第一晶圆，并且通过高温沉积的方式能够使得第一压电薄膜层为单晶压电薄膜层，从而保证压电层的高质量；然后根据第一压电薄膜层的应力值来确定低温沉积的工艺参数，以此根据低温沉积的工艺参数在第一压电薄膜层上通过低温沉积第二压电薄膜层时，便可以利用第二压电薄膜层来平衡第一压电薄膜层的应力，从而降低整个复合型压电薄膜的整体应力，避免复合型压电薄膜的应力过大出现裂纹或翘曲等，实现在单晶衬底上制作同时满足高质量和低应力的压电薄膜层。薄膜层。薄膜层。