显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术：

2.低温多晶氧化物(ltpo，low temperature poly-oxide)薄膜晶体管由于具有低温多晶硅(ltps，low temperature poly-silicon tft)薄膜晶体管的高迁移率，又具有氧化物薄膜晶体管的低漏电流、高刷新率的特点，被广泛应用。在显示器件的制备过程中，为了防止水氧入侵，会设置底切结构将公共层断开，但在应用低温多晶硅氧化物薄膜晶体管的显示器件中，由于显示器件的膜层数量较多，导致制备底切结构时需要进行深孔刻蚀，工艺难度较高，容易对薄膜晶体管的性能产生影响，从而影响显示。
3.所以，现有采用低温多晶硅氧化物薄膜晶体管的显示器件存在底切结构的深孔刻蚀工艺难度较高所导致的薄膜晶体管的性能较差的技术问题。

技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法，用以缓解现有采用低温多晶硅氧化物薄膜晶体管的显示器件存在底切结构的深孔刻蚀工艺难度较高所导致的薄膜晶体管的性能较差的技术问题。
5.本技术实施例提供一种显示面板，该显示面板包括功能附加区、主显示区和位于所述功能附加区与所述主显示区之间的过渡区；其中，所述显示面板包括：
6.衬底；
7.驱动电路层，设置于所述衬底一侧；
8.发光功能层，包括公共层和像素电极层，所述公共层设置于所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧；
9.其中，所述驱动电路层包括设置于所述过渡区的底切部，所述底切部包括一金属层和一有机层，所述有机层位于所述衬底和所述金属层之间，所述金属层的横向端在横向方向上比所述有机层的横向端延伸得更远，所述公共层被所述底切部断开。
10.在一些实施例中，所述驱动电路层还包括第一源漏极层、第二源漏极层、第一平坦化层和第二平坦化层，所述第一源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述衬底之间，所述第一平坦化层设置于所述第一源漏极层和所述第二源漏极层之间，所述第二源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，所述第二源漏极层包括所述金属层，所述第一平坦化层包括所述有机层，在所述过渡区，所述第二源漏极层的横向端在横向方向上比所述第一平坦化层的横向端延伸得更远。
11.在一些实施例中，所述驱动电路层还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一源漏极层远离所述第一平坦化层的一侧，位于所述底切部所处区域内的所述绝缘层的厚度，小于位于所述显示区内的所述绝缘层的厚度。
12.在一些实施例中，所述驱动电路层还包括：
13.第一半导体层，设置于所述衬底一侧；
14.第一栅极绝缘层，设置于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧；
15.第一栅极层，设置于所述第一栅极绝缘层远离所述第一半导体层的一侧；
16.第二栅极绝缘层，设置于所述第一栅极层远离所述第一栅极绝缘层的一侧；
17.第二栅极层，设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极层的一侧；
18.第一层间绝缘层，设置于所述第二栅极层远离所述第二栅极绝缘层的一侧；
19.第二半导体层，设置于所述第一层间绝缘层远离所述第二栅极层的一侧；
20.第三栅极绝缘层，设置于所述第二半导体层远离所述第一层间绝缘层的一侧；
21.第三栅极层，设置于所述第三栅极绝缘层远离所述第二半导体层的一侧；
22.第二层间绝缘层，设置于所述第三栅极层远离第三栅极绝缘层的一侧；
23.其中，所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层、所述第三栅极绝缘层和所述第二层间绝缘层从所述显示区延伸至所述过渡区，所述底切部设置于所述第二层间绝缘层远离所述衬底的一侧。
24.在一些实施例中，位于所述底切部所处区域内的所述第二层间绝缘层的厚度，小于位于所述显示区内的所述第二层间绝缘层的厚度。
25.在一些实施例中，所述驱动电路层还包括第一源漏极层、第二源漏极层、第三源漏极层、第一平坦化层、第二平坦化层和第三平坦化层，所述第一源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述衬底之间，所述第一平坦化层设置于所述第一源漏极层和所述第二源漏极层之间，所述第二源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，所述第二平坦化层设置于所述第二源漏极层和所述第三源漏极层之间，所述第三源漏极层设置于所述第二平坦化层和所述第三平坦化层之间，所述第三源漏极层包括所述金属层，所述第二平坦化层包括所述有机层，在所述过渡区，所述第三源漏极层的横向端在横向方向上比所述第二平坦化层的横向端延伸得更远。
26.在一些实施例中，所述驱动电路层还包括缓冲层，所述有机层与所述缓冲层接触，所述金属层设置于所述有机层远离所述缓冲层的一侧。
27.在一些实施例中，所述驱动电路层包括源漏极层和设置于所述源漏极层上的平坦化层，所述平坦化层包括所述有机层，所述金属层设置于所述平坦化层远离所述衬底的一侧。
28.在一些实施例中，所述底切部环绕所述功能附加区设置，所述底切部包括多个底切子部，相邻底切子部沿环形方向交错设置。
29.同时，本技术实施例提供一种显示面板制备方法，该显示面板制备方法包括：
30.提供衬底，并在所述衬底上依次形成第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第一层间绝缘层、第二半导体层、第三栅极绝缘层、第三栅极层、第二层间绝缘层、第一源漏极层、第一平坦化层、第二源漏极层；
31.对所述第二源漏极层刻蚀形成金属层；所述金属层位于主显示区和功能附加区之间的过渡区内；
32.在所述第二源漏极层上依次形成第二平坦化层、像素电极层、像素定义层和支撑层；
33.采用化学蚀刻纵向刻蚀第一平坦化层，然后采用物理蚀刻横向刻蚀第一平坦化层
形成有机层，得到底切部；所述金属层的横向端在横向方向上比所述有机层的横向端延伸得更远；
34.在所述支撑层上形成公共层，得到显示面板；所述公共层被所述底切部断开。
35.有益效果：本技术提供一种显示面板及其制备方法；该显示面板包括功能附加区、主显示区和位于功能附加区和主显示区之间的过渡区；其中，显示面板包括衬底、驱动电路层和发光功能层，驱动电路层设置于衬底一侧，发光功能层包括公共层和像素电极层，公共层设置于像素电极层远离驱动电路层的一侧，其中，驱动电路层包括设置于过渡区的底切部，底切部包括一金属层和一有机层，有机层位于衬底和金属层之间，金属层的横向端在横向方向上比有机层的横向端延伸得更远，公共层被底切部断开。本技术通过在过渡区设置底切部，使底切部包括一金属层和一有机层，有机层位于衬底和金属层之间，则在形成底切部时，可以采用物理蚀刻的方式对有机层进行刻蚀，由于物理蚀刻只会对有机层的内壁刻蚀，不会刻蚀掉金属层，则可以得到底切部，公共层可以在底切部断裂，提高显示面板的水氧阻隔能力，且无需进行深孔刻蚀，提高薄膜晶体管的性能。
附图说明
36.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
37.图1为现有显示器件的第一种示意图。
38.图2为现有显示器件的第二种示意图。
39.图3为本技术实施例提供的显示面板的第一种示意图。
40.图4为本技术实施例提供的显示面板的第二种示意图。
41.图5为本技术实施例提供的显示面板制备方法的流程图。
42.图6为图5中的显示面板制备方法的各步骤对应的显示面板的过渡区的部分的第一种结构示意图。
43.图7为图5中的显示面板制备方法的各步骤对应的显示面板的过渡区的部分的第二种结构示意图。
具体实施方式
44.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
45.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
46.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
47.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
48.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
49.如图1、图2所示，现有显示器件包括电子元件设置区103、显示区101和位于电子元件设置区103和显示区101之间的过渡区102，从图1中可以看到，在过渡区102，以标号122表示显示器件的部分，以标号121表示位于显示器件中的底切结构的位置，从图2中可以看到，采用低温多晶氧化物薄膜晶体管的显示器件包括衬底11、阻挡层12、缓冲层13、第一绝缘层141、第二绝缘层142、第三绝缘层143、第四绝缘层144、第五绝缘层145、第一源漏极层146、第一平坦化层147、第二源漏极层148和第二平坦化层149(图2中未示出部分金属层)，为了提高显示器件的封装性能，会在过渡区102形成底切结构111，但从图2中可以看到，为了形成底切结构111，需要刻蚀掉第一绝缘层141至第二平坦化层149，并对衬底11、阻挡层12和缓冲层13进行刻蚀，刻蚀过程需要进行深孔刻蚀，工艺难度较高，容易对薄膜晶体管的性能产生影响，且对绝缘层的刻蚀过程也可能对薄膜结构的性能产生影响，从而影响显示。所以，现有采用低温多晶硅氧化物薄膜晶体管的显示器件存在底切结构的深孔刻蚀工艺难度较高所导致的薄膜晶体管的性能较差的技术问题。
50.本技术实施例针对上述技术问题，提供一种显示面板及其制备方法，用以缓解上述技术问题。
51.如图3、图4所示，本技术实施例提供一种显示面板，该显示面板2包括功能附加区203、主显示区201和位于所述功能附加区203与所述主显示区201之间的过渡区202；其中，所述显示面板2包括：
52.衬底21；
53.驱动电路层，设置于所述衬底21一侧；
54.发光功能层25，包括公共层253和像素电极层251，所述公共层253设置于所述像素电极层251远离所述驱动电路层的一侧；
55.其中，所述驱动电路层包括设置于所述过渡区202的底切部27，所述底切部27包括一金属层271和一有机层272，所述有机层272位于所述衬底21和所述金属层271之间，所述金属层271的横向端在横向方向上比所述有机层272的横向端延伸得更远，所述公共层253被所述底切部27断开。
56.本技术实施例提供一种显示面板，该显示面板通过在过渡区设置底切部，使底切部包括一金属层和一有机层，有机层位于衬底和金属层之间，则在形成底切部时，可以采用物理蚀刻的方式对有机层进行刻蚀，由于物理蚀刻只会对有机层的内壁刻蚀，不会刻蚀掉金属层，则可以得到底切部，公共层可以在底切部断裂，提高显示面板的水氧阻隔能力，且无需进行深孔刻蚀，提高薄膜晶体管的性能。
57.需要说明的是，在图4中，由于第二源漏极层244包括金属层271，因此，对于同一膜层，以标号244表示第二源漏极层，以标号271表示位于过渡区202的金属层；同理，第一平坦化层243包括有机层272，在图4中，以标号243表示第一平坦化层，以标号272表示位于过渡区202的有机层。
58.针对在显示面板中新增膜层会导致工艺较多，厚度增大的技术问题。在一种实施例中，如图4所示，所述驱动电路层还包括第一源漏极层242、第二源漏极层244、第一平坦化层243和第二平坦化层245，所述第一源漏极层242设置于所述第一平坦化层243和所述衬底21之间，所述第一平坦化层243设置于所述第一源漏极层242和所述第二源漏极层244之间，所述第二源漏极层244设置于所述第一平坦化层243和所述第二平坦化层245之间，所述第二源漏极层244包括所述金属层271，所述第一平坦化层243包括所述有机层272，在所述过渡区202，所述第二源漏极层244的横向端在横向方向上比所述第一平坦化层243的横向端延伸得更远。通过使第二源漏极层形成金属层，使第一平坦化层形成有机层，无需额外设置金属层和有机层，减少工艺步骤，避免深孔刻蚀，且金属层位于第二源漏极层、有机层位于第一平坦化层，避免新增金属层和有机层会增加显示面板的厚度。
59.具体的，在图4中，显示面板包括低温多晶氧化物薄膜晶体管，低温多晶氧化物薄膜晶体管会通过第二源漏极层与第一源漏极层连接，避免第一源漏极层与像素电极层连接时，需要深孔连接导致像素电极层出现断裂，从而导致显示不良，且第二源漏极层会降低第一源漏极层的阻抗；此时，可以通过第二源漏极层和位于第二源漏极层下的第一平坦化层分别形成金属层和有机层，避免增加显示面板的厚度，且减少单独形成金属层和有机层的工艺步骤，避免深孔刻蚀，提高显示面板的制备效率。
60.具体的，上述实施例以低温多晶氧化物薄膜晶体管为例进行了详细说明，但本技术实施例不限于此，例如在显示面板包括低温多晶硅薄膜晶体管或者氧化物薄膜晶体管时，显示面板也包括第一源漏极层、第二源漏极层和第一平坦化层，则也可以采用第一源漏极层和第一平坦化层分别形成金属层和有机层，从而避免增加显示面板的厚度，且可以减少显示面板的制备工艺，提高显示面板的制备效率。
61.在一种实施例中，所述驱动电路层还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一源漏极层远离所述第一平坦化层的一侧，位于所述底切部所处区域内的所述绝缘层的厚度，小于位于所述显示区内的所述绝缘层的厚度。在对显示面板形成底切部时，由于物理蚀刻会对有机层进行刻蚀，同时会对绝缘层进行刻蚀，则会使得有机层形成相对金属层横向内凹的形状，从而形成了底切部，而绝缘层会由于向下刻蚀，导致位于底切部内的绝缘层的厚
度小于位于显示区内绝缘层的厚度，绝缘层能够阻挡水氧从有机层入侵，提高了显示面板阻隔水氧的能力。
62.针对现有显示器件需要对驱动电路层中的各绝缘层进行刻蚀导致工艺步骤较多的技术问题。在一种实施例中，如图4所示，所述驱动电路层还包括：
63.第一半导体层231，设置于所述衬底21一侧；
64.第一栅极绝缘层232，设置于所述第一半导体层231远离所述衬底21的一侧；
65.第一栅极层233，设置于所述第一栅极绝缘层232远离所述第一半导体层231的一侧；
66.第二栅极绝缘层234，设置于所述第一栅极层233远离所述第一栅极绝缘层232的一侧；
67.第二栅极层235，设置于所述第二栅极绝缘层234远离所述第一栅极层233的一侧；
68.第一层间绝缘层236，设置于所述第二栅极层235远离所述第二栅极绝缘层234的一侧；
69.第二半导体层237，设置于所述第一层间绝缘层236远离所述第二栅极层235的一侧；
70.第三栅极绝缘层238，设置于所述第二半导体层237远离所述第一层间绝缘层236的一侧；
71.第三栅极层239，设置于所述第三栅极绝缘层238远离所述第二半导体层237的一侧；
72.第二层间绝缘层241，设置于所述第三栅极层239远离所述第三栅极绝缘层238的一侧；
73.其中，所述第一栅极绝缘层232、所述第二栅极绝缘层234、所述第一层间绝缘层236、所述第三栅极绝缘层238和所述第二层间绝缘层241从所述显示区201延伸至所述过渡区202，所述底切部27设置于所述第二层间绝缘层241远离所述衬底21的一侧。
74.具体的，对于设有低温多晶氧化物薄膜晶体管的显示面板，现有显示面板需要对第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第三栅极绝缘层和第二层间绝缘层进行刻蚀，以便于在衬底上形成底切结构，但这种方案会导致制备显示面板时的步骤较多，且对第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第三栅极绝缘层和第二层间绝缘层进行刻蚀会导致显示面板阻隔水氧的能力降低，且低温多晶氧化物薄膜晶体管在刻蚀过程中受工艺影响导致性能变差。而本技术实施例可以采用第一平坦化层和第二源漏极层形成底切部，除形成过孔等必要刻蚀外，无需对第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第三栅极绝缘层和第二层间绝缘层进行额外的刻蚀，减少显示面板的工艺步骤，且完整的第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第三栅极绝缘层和第二层间绝缘层能够增加水氧入侵的路径，对水氧阻隔效果更好，提高了显示面板阻隔水氧的能力，且由于减少了刻蚀步骤，避免深孔刻蚀，降低了低温多晶氧化物薄膜晶体管受刻蚀影响的可能性，提高了显示面板中薄膜晶体管的器件稳定性。
75.具体的，如图4所示，所述显示面板2还包括缓冲层22，所述衬底21和所述缓冲层22从所述显示区201延伸至所述过渡区202，通过使衬底和缓冲层延伸至过渡区，无需对衬底和缓冲层进行刻蚀形成底切结构，增加水氧入侵的路径，对水氧阻隔效果更好，提高了显示
面板阻隔水氧的能力，且减少了刻蚀步骤，避免深孔刻蚀，降低了低温多晶氧化物薄膜晶体管受刻蚀影响的可能性，提高了显示面板中薄膜晶体管的器件稳定性。
76.在一种实施例中，位于所述底切部所处区域内的第二层间绝缘层的厚度，小于位于所述显示区内的所述第二层间绝缘层的厚度。在对显示面板形成底切部时，由于物理蚀刻会对有机层进行刻蚀，同时会对第二层间绝缘层进行刻蚀，则会使得有机层形成相对金属层横向内凹的形状，从而形成了底切部，而第二层间绝缘层会由于向下刻蚀，导致位于底切部所处区域内的第二层间绝缘层的厚度小于位于显示区内第二层间绝缘层的厚度，第二层间绝缘层能够阻挡水氧从有机层入侵，提高了显示面板阻隔水氧的能力。
77.在一种实施例中，所述驱动电路层还包括第一源漏极层、第二源漏极层、第三源漏极层、第一平坦化层、第二平坦化层和第三平坦化层，所述第一源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述衬底之间，所述第一平坦化层设置于所述第一源漏极层和所述第二源漏极层之间，所述第二源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，所述第二平坦化层设置于所述第二源漏极层和所述第三源漏极层之间，所述第三源漏极层设置于所述第二平坦化层和所述第三平坦化层之间，所述第三源漏极层包括所述金属层，所述第二平坦化层包括所述有机层，在所述过渡区，所述第三源漏极层的横向端在横向方向上比所述第二平坦化层的横向端延伸得更远。
78.具体的，对于设有第一源漏极层、第二源漏极层和第三源漏极层的显示面板，还可以采用第三源漏极层形成金属层，采用第二平坦化层形成有机层，则无需新增金属层和有机层，减少工艺步骤，避免深孔刻蚀，且金属层位于第三源漏极层、有机层位于第二平坦化层，避免新增金属层和有机层会增加显示面板的厚度。
79.在一种实施例中，所述驱动电路层还包括缓冲层，所述有机层与所述缓冲层接触，所述金属层设置于所述有机层远离所述缓冲层的一侧。在设置底切部时，还可以在刻蚀绝缘层后，在缓冲层上形成有机层和金属层，使金属层和有机层形成底切部，从而无需对缓冲层和衬底进行刻蚀，减少了工艺步骤，避免进行深孔刻蚀，提高薄膜晶体管的性能，且由于金属层和有机层设置在缓冲层上，其他膜层的高度大于金属层和有机层的高度，也不会增加显示面板的厚度。
80.具体的，上述实施例以有机层和金属层设置在缓冲层上为例进行了详细说明，但本技术实施例不限于此，例如可以将底切部设置在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第三栅极绝缘层和第二层间绝缘层中的任一层上，在此不再赘述。
81.在一种实施例中，所述驱动电路层包括源漏极层和设置于所述源漏极层上的平坦化层，所述平坦化层包括所述有机层，所述金属层设置于所述平坦化层远离所述衬底的一侧。在显示面板包括源漏极层和平坦化层时，可以使平坦化层形成有机层，然后在有机层上形成金属层，并对平坦化层进行刻蚀得到底切部，从而无需对缓冲层和衬底进行刻蚀，减少了工艺步骤，避免进行深孔刻蚀，提高薄膜晶体管的性能，且由于有机层采用平坦化层，减小了显示面板的厚度。
82.在一种实施例中，所述衬底包括第一柔性层、第一无机层、第二柔性层和第二无机层。
83.在一种实施例中，如图4所示，所述显示面板2还包括支撑层26，所述发光功能层25还包括像素定义层252，所述第二平坦化层245、像素定义层252和所述支撑层26组成挡墙。
84.在一种实施例中，所述底切部环绕所述功能附加区设置，所述底切部包括多个底切子部，相邻底切子部沿环形方向交错设置。通过使多个底切子部交错设置，使得在显示面板的制备和使用过程中，避免底切部所处区域的显示面板的部分厚度较薄，导致底切部所处区域的显示面板出现塌陷，提高显示面板的良率。
85.具体的，如图3所示，以标号211表示位于过渡区的显示面板的部分，以标号212表示位于过渡区的底切部的位置和形状，从图3中可以看到，底切部中相邻两个底切子部沿环形交错设置，则可以避免底切部沿环形的厚度均较小，避免底切部所处区域的显示面板出现塌陷，提高显示面板的良率。
86.在一种实施例中，所述显示面板还包括封装层，所述封装层设置于所述发光功能层远离所述驱动电路层的一侧。
87.同时，本技术实施例提供一种显示面板制备方法，如图5所示，该显示面板制备方法包括以下步骤：
88.s1，提供衬底，并在所述衬底上依次形成第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第一层间绝缘层、第二半导体层、第三栅极绝缘层、第三栅极层、第二层间绝缘层、第一源漏极层、第一平坦化层、第二源漏极层；该步骤对应的显示面板的过渡区的结构如图6中的(a)所示；
89.s2，对所述第二源漏极层刻蚀形成金属层；所述金属层位于主显示区和功能附加区之间的过渡区内；该步骤对应的显示面板的过渡区的结构如图6中的(b)所示；
90.s3，在所述第二源漏极层上依次形成第二平坦化层、像素电极层、像素定义层和支撑层；
91.s4，采用化学蚀刻纵向刻蚀第一平坦化层，然后采用物理蚀刻横向刻蚀第一平坦化层形成有机层，得到底切部；所述金属层的横向端在横向方向上比所述有机层的横向端延伸得更远；其中，采用化学蚀刻纵向刻蚀第一平坦化层后的显示面板的过渡区的结构如图7中的(a)所示，采用物理蚀刻横向刻蚀第一平坦化层形成有机层，得到底切部后的显示面板的过渡区的结构如图7中的(b)所示；
92.具体的，物理蚀刻包括等离子体蚀刻。
93.s5，在所述支撑层上形成公共层，得到显示面板；所述公共层被所述底切部断开。
94.本技术实施例提供一种显示面板制备方法，该显示面板制备方法通过在制备显示面板时，采用物理蚀刻的方式蚀刻第一平坦化层，由于可以控制物理蚀刻仅对金属层进行蚀刻，使得可以通过第二源漏极层和第一平坦化层得到底切部，公共层可以在底切部断裂，提高显示面板的水氧阻隔能力，且无需进行深孔刻蚀，提高薄膜晶体管的性能。
95.需要说明的是，为了便于说明，图6和图7中仅示出了显示面板的过渡区的部分的示意图。
96.具体的，在对第二源漏极层进行刻蚀时，可以先在第二源漏极层上形成光阻，并对光阻进行图案化，然后对第二源漏极层进行刻蚀，可以采用等离子体蚀刻进行刻蚀。
97.具体的，在对第一平坦化层进行刻蚀时，可以在第一平坦化层上进行光阻图案化，并采用保护层保护显示区，然后进行刻蚀，可以采用等离子体蚀刻进行刻蚀。
98.具体的，在对第一平坦化层刻蚀后，可以洗去光阻，然后形成公共层。
99.根据上述实施例可知：
100.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法；该显示面板包括功能附加区、主显示区和位于功能附加区和主显示区之间的过渡区；其中，显示面板包括衬底、驱动电路层和发光功能层，驱动电路层设置于衬底一侧，发光功能层包括公共层和像素电极层，公共层设置于像素电极层远离驱动电路层的一侧，其中，驱动电路层包括设置于过渡区的底切部，底切部包括一金属层和一有机层，有机层位于衬底和金属层之间，金属层的横向端在横向方向上比有机层的横向端延伸得更远，公共层被底切部断开。本技术通过在过渡区设置底切部，使底切部包括一金属层和一有机层，有机层位于衬底和金属层之间，则在形成底切部时，可以采用物理蚀刻的方式对有机层进行刻蚀，由于物理蚀刻只会对有机层的内壁刻蚀，不会刻蚀掉金属层，则可以得到底切部，公共层可以在底切部断裂，提高显示面板的水氧阻隔能力，且无需进行深孔刻蚀，提高薄膜晶体管的性能。
101.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
102.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括功能附加区、主显示区和位于所述功能附加区与所述主显示区之间的过渡区；其中，所述显示面板包括：衬底；驱动电路层，设置于所述衬底一侧；发光功能层，包括公共层和像素电极层，所述公共层设置于所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧；其中，所述驱动电路层包括设置于所述过渡区的底切部，所述底切部包括一金属层和一有机层，所述有机层位于所述衬底和所述金属层之间，所述金属层的横向端在横向方向上比所述有机层的横向端延伸得更远，所述公共层被所述底切部断开。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括第一源漏极层、第二源漏极层、第一平坦化层和第二平坦化层，所述第一源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述衬底之间，所述第一平坦化层设置于所述第一源漏极层和所述第二源漏极层之间，所述第二源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，所述第二源漏极层包括所述金属层，所述第一平坦化层包括所述有机层，在所述过渡区，所述第二源漏极层的横向端在横向方向上比所述第一平坦化层的横向端延伸得更远。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一源漏极层远离所述第一平坦化层的一侧，位于所述底切部所处区域内的所述绝缘层的厚度，小于位于所述显示区内的所述绝缘层的厚度。4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括：第一半导体层，设置于所述衬底一侧；第一栅极绝缘层，设置于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧；第一栅极层，设置于所述第一栅极绝缘层远离所述第一半导体层的一侧；第二栅极绝缘层，设置于所述第一栅极层远离所述第一栅极绝缘层的一侧；第二栅极层，设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极层的一侧；第一层间绝缘层，设置于所述第二栅极层远离所述第二栅极绝缘层的一侧；第二半导体层，设置于所述第一层间绝缘层远离所述第二栅极层的一侧；第三栅极绝缘层，设置于所述第二半导体层远离所述第一层间绝缘层的一侧；第三栅极层，设置于所述第三栅极绝缘层远离所述第二半导体层的一侧；第二层间绝缘层，设置于所述第三栅极层远离第三栅极绝缘层的一侧；其中，所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层、所述第三栅极绝缘层和所述第二层间绝缘层从所述显示区延伸至所述过渡区，所述底切部设置于所述第二层间绝缘层远离所述衬底的一侧。5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，位于所述底切部所处区域内的所述第二层间绝缘层的厚度，小于位于所述显示区内的所述第二层间绝缘层的厚度。6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括第一源漏极层、第二源漏极层、第三源漏极层、第一平坦化层、第二平坦化层和第三平坦化层，所述第一源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述衬底之间，所述第一平坦化层设置于所述第一源漏极层和所述第二源漏极层之间，所述第二源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，所述第二平坦化层设置于所述第二源漏极层和所述第三源漏极层之间，所述
第三源漏极层设置于所述第二平坦化层和所述第三平坦化层之间，所述第三源漏极层包括所述金属层，所述第二平坦化层包括所述有机层，在所述过渡区，所述第三源漏极层的横向端在横向方向上比所述第二平坦化层的横向端延伸得更远。7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括缓冲层，所述有机层与所述缓冲层接触，所述金属层设置于所述有机层远离所述缓冲层的一侧。8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括源漏极层和设置于所述源漏极层上的平坦化层，所述平坦化层包括所述有机层，所述金属层设置于所述平坦化层远离所述衬底的一侧。9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述底切部环绕所述功能附加区设置，所述底切部包括多个底切子部，相邻底切子部沿环形方向交错设置。10.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上依次形成第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第一层间绝缘层、第二半导体层、第三栅极绝缘层、第三栅极层、第二层间绝缘层、第一源漏极层、第一平坦化层、第二源漏极层；对所述第二源漏极层刻蚀形成金属层；所述金属层位于主显示区和功能附加区之间的过渡区内；在所述第二源漏极层上依次形成第二平坦化层、像素电极层、像素定义层和支撑层；采用化学蚀刻纵向刻蚀第一平坦化层，然后采用物理蚀刻横向刻蚀第一平坦化层形成有机层，得到底切部；所述金属层的横向端在横向方向上比所述有机层的横向端延伸得更远；在所述支撑层上形成公共层，得到显示面板；所述公共层被所述底切部断开。

技术总结

本申请提供一种显示面板及其制备方法；该显示面板通过在过渡区设置底切部，使底切部包括一金属层和一有机层，有机层位于衬底和金属层之间，则在形成底切部时，可以采用物理蚀刻的方式对有机层进行刻蚀，由于物理蚀刻只会对有机层的内壁刻蚀，不会刻蚀掉金属层，则可以得到底切部，公共层可以在底切部断裂，提高显示面板的水氧阻隔能力，且无需进行深孔刻蚀，提高薄膜晶体管的性能。提高薄膜晶体管的性能。提高薄膜晶体管的性能。