二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:
导体导电只有一种载流子:自由电子导电
半导体导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电
自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带电荷极性不同,故运动方向相反。
2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。
3、杂质半导体
(1)N型半导体——掺入五价元素 (2)P型半导体——掺入三价元素
4、PN结——P型半导体和N型半导体的交界面
5、在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层
7、二极管的结构、特性及主要参数
(1)P区引出的电极——阳极;N区引出的电极——阴极
温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。
其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压——0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电流<0.1μA,锗的开启电压——0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十μA。 (2)主要参数
1)最大整流电流I:最大正向平均电流
2)最高反向工作电流U:允许外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半
3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对温度越敏感
4)最高工作频率f:二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性
7、稳压二极管
在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。
(1)稳压管的伏安特性
(2)主要参数
1)稳定电压U:规定电流下稳压管的反向击穿电压
2)稳定电流I:稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果变坏,甚至根本不稳压,只要不超过稳压管的额定功率,电流越大稳压效果越好。
【附加】限流电阻:由于稳压管的反向电流小于I时不稳定,大于最大稳
抗菌膜定电流时会因超过额定功率而烧坏,故要串联一个限流电阻保证稳压管正常工作。
3)额定功率P:等于稳定电压U与最大稳定电流I的乘积。超过此值时稳压管会因为结温度过高而损坏。
4)动态电阻r:在稳压区,端电压变化量与电流变化量之比。r越小,说明电流变化时稳定电压的变化越小,稳压特性越好。
5)温度系数α:表示电流不变时,温度每变化1℃稳压值的变化量,即α=△U/△T。
U<4V时,α肩扛式摄像机为负值,即温度升高时稳定电压值下降;
U>7V时,α为正值,即温度升高时稳定电压值上升;
4<U<7V时,α很小,近似为零,性能稳定。
8、双极型晶体管——晶体三极管——半导体三极管——晶体管的结构、特性及主要参数
(2)特性曲线
筛板塔
(3)主要参数
1)直流参数
①共射直流电流系数β
②共基直流电流放大系数α
煤气化技术 ③极间反向电流——硅管的温度稳定性比锗管的好
发射极开路时集电结的反向饱和电流——Icbo
基极开路时集电极与发射极间的穿透电流——Iceo
2)交流参数