1产品用途及应用范围FZSi50P3-P03型硅单晶抛光片主要用于研制高_百度文 ...

1 产品用途及应用范围
FZSi50P3-P03型硅单晶抛光片主要用于研制高灵敏度的军用光电探测器件,是探测器芯片的衬底材料。。
2 标准
2.1 总规范及编号
目前该类产品没有相关的总规范。
2.2 详细规范及编号
产品详细规范为Q/UK20204-2013《FZSi50P3-P03型硅单晶抛光片详细规范》确认号:CESI/6134NP130186。
2.3 检测试验机构及检测试验报告编号
超声波打磨机检测机构为军用电子元器件北京第三检测中心,检测试验报告编号为:NTN113026。
2.4 质量等级
产品质量等级为军级。
产品研制过程中采用了硅烷法生产的优质多晶硅棒,通过区熔提纯、区熔掺杂工艺使其电阻率达到目标值,并在真空环境下生长成单晶,产品具有较高纯度,性能稳定可靠。在晶体加工工艺过程中,对抛光片的直径、晶向、厚度、表面平整度(TIR)、总厚度变化(TTV)、翘曲度(Warp)等参数进行了严格的控制,保证了抛光片的几何参数及表面质量满足供货合同及相关国家标准的规定。
3 产品特点
3.1 产品功能
本产品主要用于研制高灵敏度的军用光电探测器件,是研制雪崩光电二极管探测器芯片的关键衬底材料。
雪崩光电探测器的核心是雪崩光电二极管,它是加反偏电压的二极管,工作原理与PN结或PIN光电二极管相似,入射光子在空间电荷区产生的过剩载流子被外加的反偏电场扫过形成电流,光电流强度正比于入射光子的强度。与其它二极管型探测器不同的是,雪崩光电二极管的反向偏置电压必须大到能够引起碰撞电离的程度。电阻率(3000~5000)Ω·cm 的P型高阻区熔硅单晶为研制雪崩二极管芯片的关键材料,其纯度及晶体完整性是器件获得高检测灵敏度、高信噪比的保证。图1为本产品的功能框图。
图1 FZSi50P3-P03型硅单晶抛光片功能框图
3.2 替代品的国别、公司和产品型号
产品性能达到了国外同类产品水平,本产品无国外替代品。 3.3 产品外形、结构、装配使用等方面的特点
1)在性能方面的特点
本产品具有高纯度、高电阻率、高少子寿命、低杂质含量及高晶体完整性的特点,产品的电阻率一致性好,性能稳定。用该种材料研制的探测器件,响应度高、暗电流小,并具有良好的正、反向电压特性。
2)技术措施方面的特点
生态养猪场本项目在产品研制技术措施方面的特点包括以下几个方面:
①采用了优质的多晶硅原料,并通过真空区熔提纯工艺,降低了材料中的杂质含量,使材料的可靠性得到提高;
②在产品制备的区熔提纯及单晶生长过程中采取了多种防沾污的措施,从而有效减少了产品在研制过程中被再次沾污的可能性;
③ 通过B 2O 3水溶液的表面滴涂区熔掺杂技术,对掺杂剂量进行了精确的控制,工艺过程稳定可控。
④单晶在真空环境下生长,最大限度地保持了材料的纯度;
⑤在单晶生长过程中通过工艺参数的控制使产品达到了无位错及漩涡缺陷,因而产品具有较高的晶体完整性。高纯度及高晶体完整性保证了产品具有较高的少子寿命,从而使用该材料制作的探测器具有高检测灵敏度。
3)结构方面的特点
本产品为直径为(50.8±0.5)mm ,晶向<111>±0.5º,厚度(300±10)μm
的单
面抛光片,抛光片边缘做了倒角,并在{110}±1º的位置做了主参考面,参考面长度为(16±2)mm 。
3.4 产品新材料或新工艺等
产品研制中未使用新材料、新工艺。
4 产品外形图和实物图片
产品实物和外形图见图2和图3。
图2 产品实物图图3 产品外形尺寸示意图
5 引出端排列方式
产品不涉及引出端排列方式。
6 性能指标
产品性能指标见表1。
表1 产品性能指标
抛光片应在超净环境中采用充保护气体或真空封装方式,用抛光片盒封装, 抛光片盒要洁净、防静电,保证硅抛光片表面不受沾污,然后用防静电屏蔽袋将包装盒封装好。 7 主要特性曲线图
四个单晶样品的电阻率分布测试数据如图4所示。
2500
3000350040004500
50005500单晶1单晶2单晶3单晶4
单晶序号
电阻率
图4 单晶电阻率分布测试结果
话筒驱动
两个批次晶片翘曲度抽样检测结果见图5。
钼加工
3
3.54
4.55
5.56
6.5
小区自动售水机样品1
样品2
样品3样品4
样品5
晶片抽样编号
晶片翘曲度(μm )
图5 两个批次晶片翘曲度抽样检测结果
两个批次晶片总厚度变化抽样检测结果见图6。
1
1.52
2.53
3.54样品1
样品2
样品3样品4
样品5
晶片抽样编号
节能烤箱晶片总厚度变化(μm )
图6 两个批次晶片总厚度变化抽样检测结果
8 典型应用线路图
FZSi50P3-P03型硅单晶抛光片主要应用于雪崩光电探测器的研制。典型应用的路线图如图7所示。
图7 FZSi50P3-P03型硅单晶抛光片典型应用的路线图
9 使用注意事项 a. 存放环境要求
产品应贮存在干燥、无腐蚀性的环境中。 存放温度:20~28℃; 存放湿度:≤70%;
净化条件要求:七级及以上环境。 b. 使用环境要求
在四级以上超净厂房内或局部洁净环境,打开本产品的内包装。 c. 使用有效期
本产品在满足存放环境要求的条件下,使用有效期限暂定5个月。 d. 使用操作规程及注意事项
当使用本产品时,请注意:
1)应在超净厂房内打开产品的外包装,避免沾污。 2)拿取本产品时,注意轻拿轻放,以免破碎。 3)产品外封装如有破损,请及时拨打客户。

本文发布于:2024-09-22 09:32:52,感谢您对本站的认可!

本文链接:https://www.17tex.com/tex/2/255592.html

版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。

标签:产品   抛光片   检测   研制   材料   二极管   探测器   单晶
留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码:
Copyright ©2019-2024 Comsenz Inc.Powered by © 易纺专利技术学习网 豫ICP备2022007602号 豫公网安备41160202000603 站长QQ:729038198 关于我们 投诉建议