液晶晶胞的制作方法

1.液晶晶胞通常包含含于两个半晶胞组件之间的液晶材料。

背景技术：

2.本技术案发明人已对由薄塑料支撑膜生产弯曲液晶晶胞装置进行研究。本发明人已注意到，在液晶晶胞自平坦、静止组态弯折成所欲弯曲组态后，一个半晶胞组件相对另一半晶胞组件发生滑动。

技术实现要素：

3.本发明目的为更好地防止一个半晶胞组件相对于另一半晶胞组件滑动。
4.在此提供一种包含液晶晶胞的装置，其中液晶晶胞包含含于两个组件相对表面之间的液晶(lc)材料；其中所述相对表面在该lc晶胞至少一个或多个区域中啮合。
5.根据一个实施例，所述相对表面在该lc晶胞有效区的至少一个或多个区域中啮合。
6.根据一个实施例，该装置包含由图案化层界定的啮合结构，所述图案化层也界定用于该液晶晶胞的间隔结构。
7.根据一个实施例，所述啮合结构也充当间隔结构。
8.根据一个实施例，该两个组件中的至少一个组件界定黑矩阵中的一个滤器阵列，且所述啮合结构的至少一部分位于该lc晶胞的黑矩阵区域中。
9.根据一个实施例，所述啮合结构选择性地位于该lc晶胞的黑矩阵区域中。
10.根据一个实施例，所述啮合结构包含不同白光透射率的结构。
11.根据一个实施例，所述啮合结构包含由两个半晶胞组件中的一个半晶胞组件界定的第一结构及由该两个半晶胞组件中的另一个半晶胞组件界定的第二结构，且第一间隔结构呈现比第二间隔结构更大的压缩应变。
12.根据一个实施例，所述啮合结构包含由第一半晶胞组件界定的第一结构及由第二半晶胞组件界定的第二结构；且所述第二结构在垂直于第一半晶胞组件及第二半晶胞组件的方向上的尺寸介于所述第一结构在垂直于所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件方向上的尺寸的约50％与98％之间。
13.根据一个实施例，所述啮合结构包含由第一半晶胞组件界定的第一结构及由第二半晶胞组件界定的第二结构；且第一间隔结构及/或第二间隔结构的横截面积朝向相对半晶胞组件减小。
14.根据一个实施例，该两个组件中的至少一个组件界定滤器阵列，且该两个组件中的至少另一个组件包含对应像素电极阵列；其中所述滤器的个别尺寸在至少一个轴线上比所述像素电极的个别尺寸大第一量；且其中该两个组件的该啮合将该两个组件在至少一个轴线上的相对移动的范围限制为不大于该第一量的量。
15.根据一个实施例，该两个组件的啮合将该两个组件在至少一个轴线上的该相对移
动范围限制为不超过约20微米。
16.在此也提供制造如上文所描述装置的方法，其包含：挤压两个相对表面之间的该lc材料的受控体积；其中所述啮合结构包含由该两个半晶胞组件中的一个半晶胞组件界定的第一结构及由该两个半晶胞组件中的另一个半晶胞组件界定的第二结构，且其中所述第一间隔结构的起始高度大于所述第二间隔结构的起始高度。
17.在此也提供制造lc晶胞的方法，其包含：将第一半晶胞组件及第二半晶胞组件的相对表面(opposing surfaces)压紧在一起；其中所述相对表面中的至少一者(at least one of the opposing surfaces)经组态以便在所述相对表面(the opposing surfaces)压紧在一起时导引该相对表面(the opposing surface)的横向定位。
18.根据一个实施例，由第一半晶胞组件界定的第一间隔结构经组态以在所述相对表面压紧在一起时导引由第二半晶胞组件界定的第二间隔结构的横向定位。
19.根据一个实施例，该至少第一间隔结构的横截面积在朝向该第二半晶胞组件的相对表面的方向上减小。
20.根据一个实施例，所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件中的至少一个半晶胞组件界定滤器阵列，且所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件中的至少另一个半晶胞组件包含对应像素电极阵列；其中所述滤器的个别尺寸在至少一个轴线上比所述像素电极的个别尺寸大第一量；且其中所述第一间隔结构经组态以将所述第二间隔结构的横向定位导引成一最终组态，在该最终组态中，所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件在至少一个轴线上的相对移动的范围受限为不大于该第一量的量。
21.根据一个实施例，所述第一间隔结构经组态以将所述第二间隔结构的横向定位导引成最终组态，在该最终组态中，所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件在至少一个轴线上的该相对移动的范围受限为不超过约20微米。
22.根据一个实施例，方法包含：在将所述相对表面压紧在一起前，挤压该两个相对表面之间的lc材料的受控体积；且其中所述第一间隔结构的起始高度不同于所述第二间隔结构的起始高度。
23.根据一个实施例，所述第一间隔结构的面积密度可小于所述第二间隔结构的面积密度。
24.在此也提供一种包含液晶晶胞的装置，其中该液晶晶胞包含含于两个组件的相对表面之间的lc材料；其中该两个组件中的至少一个组件界定用于液晶晶胞的第一组间隔结构及第二组间隔结构；且其中该第一组间隔结构呈现比该第二组间隔结构更高的白光透射率。
25.根据一个实施例，该第一组间隔结构是由该两个组件中的一个组件界定，且该第二组间隔结构是由该两个组件中的另一个组件界定。
26.根据一个实施例，该第一组间隔结构具有比该第二组间隔结构更大的高度。
27.在此也提供一种制造液晶晶胞的方法，其包含：将第一半晶胞组件及第二半晶胞组件的相对表面压紧在一起；其中所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件中的至少一个半晶胞组件界定用于液晶晶胞的第一组间隔结构及第二组间隔结构；且其中该第一组间隔结构呈现比该第二组间隔结构更高的白光透射率。
28.根据一个实施例，方法包含借由包含辐照交联的制程制造所述第一组间隔结构及
所述第二组间隔结构。
附图说明
29.以下仅通过举例的方式，参照附图详细描述本发明的实施例，其中：：
30.图1是根据本发明实施例的lc晶胞装置的示意性横截面图；
31.图2是示出图1装置的啮合间隔结构的位置关系的示意性平面图；
32.图3是示出在组装图1装置的lc晶胞前的啮合间隔结构的相对起始高度的示意性横截面图；
33.图4示出了间隔结构剖面的一个实例变化；以及
34.图5示出了实例像素电极与实例滤器的对准。
具体实施方式
35.较佳实施例的详细说明
36.下文针对有机液晶显示器(olcd)装置的实例描述实施例，但技术也适用于其他类型的lc晶胞装置(包括例如lc光学装置)，特定的，为包含可挠性薄塑料膜作为支撑膜的其他类型的lc晶胞装置。olcd装置包含有机薄膜晶体管(otft)的阵列。otft特征在于使用有机半导体材料(例如，聚合物半导体)作为tft的半导体通道。
37.参考图1，lc晶胞装置包含含于两个半晶胞组件2、4之间的lc材料6。两个半晶胞组件2、4借由黏合材料8的框架黏接在一起。此黏合材料8也用以横向地含有lc材料。黏合材料8的框架的内部周边界定lc晶胞装置有效区24的外部边界。
38.半晶胞组件2中的一个半晶胞组件包含原位形成于塑料支撑膜12(诸如薄光学中性聚合物膜，如三乙酸纤维素(tac)膜)上的导体、半导体及绝缘体层的堆栈10。在此实例中，导体、半导体及绝缘体层的堆栈10至少界定用于经由有效区24外部的导体独立地控制每一像素电极处电势的像素电极100的阵列及主动矩阵电路系统。间隔结构14的阵列在此堆栈10上方原位形成于塑料支撑膜12上。间隔结构14借由在堆栈10上方在塑料支撑膜12上原位形成可图案化材料层(例如，负型光阻材料，诸如称为su-8的环氧基负型光阻材料)且在塑料支撑膜12上原位对可图案化材料层进行图案化而形成。最后，薄lc对准层(未图示)随后原位形成于塑料支撑膜12上。相比于间隔结构14的高度，lc对准层极薄，且并不实质上改变半晶胞组件2的表面构形；该表面构形仍然主要由间隔结构14决定。替代性地，在形成间隔结构14前，一层体(例如，聚酰亚胺层)被原位形成于塑料支撑膜12上，(通过例如后续机械摩擦操作或光对准操作)lc对准层可从所述层体产生，且在形成间隔结构14之后实施上述摩擦或光对准操作。在任一情况下，lc对准层在间隔结构之间的区域中介接lc材料6。如下文所论述，lc对准层也设置于另一半晶胞组件4表面处，且此等两个lc对准层在不存在由像素电极与相对(com)电极之间的电压产生的超驰电场的情况下共同控制每一像素区域的lc材料的导向(lc材料的分子定向)。相对电极可在lc材料6与像素电极相同的侧面上或在lc材料6与像素电极相对的侧面上。
39.另一半晶胞组件4包含原位形成于塑料支撑膜18上的滤器阵列(cfa)16。cfa 16是借由在塑料支撑膜18上原位形成红、绿及蓝滤光材料层及黑矩阵材料层且对其进行图案化而产生。cfa 16界定黑矩阵中的红绿蓝(rgb)滤光器22阵列。滤器22的间距实质
上与lc晶胞的xy轴二者中的像素电极的间距匹配。组装lc晶胞是关于对准操作，该对准操作旨在使滤器22的中心与像素电极100的中心对准。
40.间隔结构20的阵列在cfa上方原位形成于塑料支撑膜18上。间隔结构20以与如上文所描述的另一半晶胞组件2的间隔结构相同的方式形成。lc对准层(未图示)原位形成于塑料支撑膜18上，以在间隔结构之间的区域中介接lc材料6。
41.如图1及图2中所示，半晶胞组件2中的一个半晶胞组件上的间隔结构14经组态(configured)以与半晶胞组件4中的另一个半晶胞组件上的间隔结构20啮合。由一个半晶胞组件界定的间隔结构经组态以适配至由另一半晶胞组件界定的间隔结构之间的空间中。间隔结构14、20的啮合限制半晶胞组件2、4可在lc晶胞的xy轴二者上彼此滑动的范围。在此实例中，对于xy轴中的至少一轴，相比于像素电极100的个别尺寸(自像素电极100的一个边缘至像素电极100的相对边缘的个别宽度w2)，滤器22的个别尺寸(自滤器22的一个边缘至滤器22的相对边缘的个别宽度w1)更大；且间隔结构14、20的啮合将半晶胞组件2、4可在至少一个轴线的任一方向上彼此滑动的范围限制为不超过滤器22的个别尺寸宽于像素电极100的个别尺寸的量的一半的量。换句话说，间隔结构的啮合将两个半晶胞组件在至少一个xy轴上的相对移动的总范围限制为不超过约滤器22在至少一个xy轴上的个别尺寸大于像素电极100在至少一个xy轴上的个别尺寸的量。在一个实例中，滤器22在xy轴中的至少一者上为例如约20微米的个别尺寸(自滤器22的一个边缘至滤器22的相对边缘的个别宽度w1)大于像素电极100在xy轴中的至少一者上的个别尺寸(自像素电极100的一个边缘至像素电极100的相对边缘的个别宽度w2)；且间隔结构的啮合将半晶胞组件2、4可在xy轴中的至少一轴上彼此滑动的范围限制为在任一方向上与滤器的中心和像素电极的中心在xy轴中的至少一轴上完全对准相距不超过约10微米的量。换句话说，间隔结构的啮合将两个半晶胞组件2、4在xy轴中的至少一轴上的相对移动的总范围限制为不超过约20微米。啮合对在x轴与y轴上滑动范围(移动范围)的限制程度可不同。
42.在此实例中，间隔结构14、20在z轴上楔形化以促进间隔结构的啮合。每个间隔结构的xy横截面积在z轴上随远离其上形成有间隔结构的塑料支撑膜而减小。此楔形化可能难以借由一些负型光阻材料的常规图案化(也就是说，借由uv影像曝光产生可溶性图案及使可溶性图案显影)实现。一个替代选项为使整个负型光阻材料层不可溶(借由例如全面uv曝光)，且接着借由例如干式蚀刻、使用经显影的正型光阻图案作为蚀刻屏蔽来对不可溶层进行图案化，随后剥离正型光阻蚀刻屏蔽。在图4中所示的另一实例中，间隔结构14、20未经楔形化。每一间隔结构自上而下具有实质上恒定的xy横截面积。
43.如图2中所示：在此实例中，两个半晶胞组件的间隔结构14、20实质上受限于lc晶胞的黑矩阵区域(也就是说由cfa 16的黑矩阵占据的lc晶胞的区域)。
44.如图3中所示：在此实例中，产生用于两个半晶胞组件2、4的间隔结构14、20的方法经设计以产生用于一个半晶胞组件的间隔结构，该一个半晶胞组件的起始高度(在晶胞组装前的高度)大于用于另一半晶胞组件的间隔结构的起始高度(在图3中，h2》h1)。此设计较佳地促进使用lc材料6的体积来控制横越有效区24的lc材料6的平均厚度，同时达成横越lc晶胞的有效区24的lc材料的良好厚度均一性。更详细的说，在「长」间隔结构20的高度(在不可避免的制程变化(公差)的范围内)大于横越有效区24的lc材料6的平均厚度的情况下，具有不同起始高度的间隔结构的此使用(a)促进lc晶胞在lc晶胞外侧上的气压作用下的压
缩，同时(b)也防止lc材料的厚度在lc晶胞装置的使用者的「触摸」作用下局部过度改变。由起始高度可大于横越有效区的lc材料6的平均厚度的「长」间隔结构20占据的相对较小总面积(在不可避免的制程变化(公差)的范围内)促进彼等间隔结构(在其中组装晶胞的真空腔室外部)在lc晶胞的外侧上的气压的作用下的压缩。另一态样，由所有间隔结构(包括「短」间隔结构14及「长」间隔结构20)占据的较大区域使得晶胞在与使用者的「触摸」动作相关联的较大力下不易受局部压缩影响。
45.在晶胞组装及组装腔室外部的组装件恢复至正常压力条件之后，使「长」间隔结构20受压缩程度大于「短」间隔结构14，且该「长」间隔结构比「短」间隔结构展现更大压缩应变(也就是说由压缩引起的高度变化δh作为起始高度h的部分)。
46.根据一个示例实施例，间隔结构的起始高度经组态以使得在压缩及黏接之后的晶胞中，(一个半晶胞组件上的)「长」间隔结构组接触相对的半晶胞组件，且另一「短」间隔结构组的高度介于「长」间隔件的经压缩高度的约50％与98％之间。
47.考虑以下计算「长」间隔结构20的间隔结构密度(由间隔结构占据的晶胞面积的比例)：(i)用于「长」间隔结构20的间隔结构材料的杨氏模量；(ii)「长」间隔结构20的高度可超出横越有效区24的lc材料的平均厚度的量(在不可避免的制程变化范围内)。
48.在一个实施例中，由一个半晶胞组件界定的间隔结构具有比由另一半晶胞组件界定的间隔结构低的白光透射率。在一个实例中，由包括堆栈10的半晶胞组件2界定的「短」间隔结构14包含分散于聚合物材料中的碳黑粒子，且由另一半晶胞组件4(包括cfa 16)界定的「长」间隔结构20包含其中不分散有任何吸光粒子的聚合物材料。此针对下伏有机半导体通道达成一些额外光屏蔽保护，而无吸光材料(例如，碳黑粒子)抑制最深光阻层(也就是说，用以产生「长」间隔结构20的光阻层)中的uv引发的深交联。在另一实例中，「短」间隔结构14及「长」间隔结构20二者包含分散于聚合物材料中的吸光粒子(例如，碳黑粒子)。包含用于诸如隐私屏幕的装置的吸光粒子(例如，黑间隔件)的间隔结构的另一优点在于其促进装置的断态功能的改进。在由间隔结构占据的区域中不存在lc材料意味着此等区域的白光透射率无法被切换；且使用包含吸光粒子(例如，黑间隔件)的间隔结构降低此等区域中的白光透射率。
49.迫使经组装的lc晶胞装置自平坦静止组态(其中其经组装)弯折成受应力弯曲组态在塑料支撑膜12、18内产生反应性拉力及压缩力。此等内部力倾向于使彼等塑料支撑膜12、18恢复至其平坦静止组态。在此等内部力作用下，一个半晶胞组件相对于另一半晶胞组件的滑动另外受两个半晶胞组件的啮合相互作用(除了用以将两个半晶胞组件2、4黏接在一起的黏合材料8的黏合强度及内聚强度之外)抵抗。两个半晶胞组件2、4的啮合作用用以减小作用于黏合剂8的剪切力，由此降低黏合剂黏接失败及半晶胞组件剥落的风险。在此实例中，一个半晶胞组件相对于另一半晶胞组件滑动将导致滤器22与像素电极之间的一些对准损失；且上述技术因此用以降低此类未对准的风险。
50.在上文所描述的示例实施例中，间隔结构14、20经组态以实质上同等地限制x轴及y轴二者上的滑动。在一个实例变化中，间隔结构14、20经组态以将在(a)x轴及y轴中的垂直于预期弯曲轴(将强制性地使晶胞围绕其弯曲)的一轴上的滑动限制为大于(b)在x轴及y轴中的另一轴上的滑动。在一个实例变化中，间隔结构经组态以仅限制在x轴及y轴中垂直于预期弯曲轴(将强制性地使晶胞围绕其弯曲)的一者上的滑动。
51.上文针对液晶彩显示设备的实例描述本发明的实施例，但技术也适用于例如需要维持两个半晶胞组件之间的准确对准的其他液晶晶胞装置。其他类型的液晶晶胞装置可不包含上文针对液晶彩显示设备的实例所提及的所有组件。举例而言，诸如lc透镜装置的lc光学装置可不包含一些组件，诸如半导体或cfa。
52.上文已参考特定制程细节详细地描述了根据本发明技术的实例，但该技术更广泛地适用于本技术案的一般教示。另外且根据本技术案的一般教示，根据本发明的技术可包括上文未描述的额外制程步骤及/或省略上文所描述的一些制程步骤。
53.除了上文明确提及的任何修改以外，熟习此项技术者将显而易见的是也可在本发明的范围内进行所描述实施例的各种其他修改。
54.本技术人特此在以下限度内单独地揭示本文中所描述的每一个别特征及两个或更多个此类特征的任何组合：此类特征或组合能够鉴于熟习此项技术者的公知常识基于本发明整体进行，而不顾及此类特征或特征组合是否解决本文中所揭示的任何问题，且不限于权利要求的范畴。本技术人指示，本发明的态样可由任何此类个别特征或特征组合组成。

技术特征：

1.一种包含液晶晶胞的装置，其中该液晶晶胞包含含于两个组件相对表面之间的lc材料；其中所述相对表面在该lc晶胞至少一个或多个区域中啮合。2.如权利要求1所述的装置，其中所述相对表面在该lc晶胞有效区的至少一个或多个区域中啮合。3.如权利要求1或权利要求2所述的装置，其包含由图案化层界定的啮合结构，所述图案化层也界定用于该液晶晶胞的间隔结构。4.如权利要求3所述的装置，其中所述啮合结构也充当间隔结构。5.如权利要求3或权利要求4所述的装置，其中该两个组件中的至少一个组件界定黑矩阵中的一个滤器阵列，且其中所述啮合结构的至少一部分位于该lc晶胞的黑矩阵区域中。6.如权利要求5所述的装置，其中所述啮合结构选择性地位于该lc晶胞的黑矩阵区域中。7.如权利要求3至5中任一权利要求所述的装置，其中所述啮合结构包含不同白光透射率的结构。8.如权利要求3至7中任一权利要求所述的装置，其中所述啮合结构包含由两个半晶胞组件中的一个半晶胞组件界定的第一结构及由该两个半晶胞组件中的另一个半晶胞组件界定的第二结构，且其中第一间隔结构呈现比第二间隔结构更大的压缩应变。9.如权利要求3至8中任一权利要求所述的装置，其中所述啮合结构包含由第一半晶胞组件界定的第一结构及由第二半晶胞组件界定的第二结构；且其中所述第二结构在垂直于第一半晶胞组件及第二半晶胞组件的方向上的尺寸介于所述第一结构在垂直于所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件方向上的尺寸的约50％与98％之间。10.如权利要求1至9中任一权利要求所述的装置，其中所述啮合结构包含由第一半晶胞组件界定的第一结构及由第二半晶胞组件界定的第二结构；其中第一间隔结构及/或第二间隔结构的横截面积朝向相对半晶胞组件减小。11.如权利要求1至10中任一权利要求所述的装置，其中该两个组件中的至少一个组件界定滤器阵列，且该两个组件中的至少另一个组件包含对应像素电极阵列；其中所述滤器的个别尺寸在至少一个轴线上比所述像素电极的个别尺寸大第一量；且其中该两个组件的该啮合将该两个组件在该至少一个轴线上的相对移动的范围限制为不大于该第一量的量。12.如权利要求1至11中任一权利要求所述的装置，其中该两个组件的啮合将该两个组件在至少一个轴线上的该相对移动的范围限制为不超过约20微米。13.一种制造如权利要求3至12中任一权利要求所述装置的方法，其包含：挤压两个相对表面之间的该lc材料的受控体积；其中所述啮合结构包含由该两个半晶胞组件中的一个半晶胞组件界定的第一结构及由该两个半晶胞组件中的另一个半晶胞组件界定的第二结构，且其中第一间隔结构的起始高度大于所述第二间隔结构的起始高度。14.一种制造一lc晶胞的方法，其包含：将第一半晶胞组件及第二半晶胞组件的相对表面压紧在一起；其中所述相对表面中的至少一者经组态以便在所述相对表面压紧在一起时导引该相对表面的横向定位。15.如权利要求14所述的方法，其中由第一半晶胞组件界定的第一间隔结构经组态以
在所述相对表面压紧在一起时导引由第二半晶胞组件界定的第二间隔结构的横向定位。16.如权利要求15所述的方法，其中至少该第一间隔结构的横截面积在朝向该第二半晶胞组件的该相对表面的方向上减小。17.如权利要求15所述的方法，其中所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件中的至少一个半晶胞组件界定滤器阵列，且所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件中的至少另一个半晶胞组件包含对应像素电极阵列；其中所述滤器的个别尺寸在至少一个轴线上比所述像素电极的个别尺寸大第一量；且其中所述第一间隔结构经组态以将所述第二间隔结构的该横向定位导引成一最终组态，在该最终组态中，所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件在该至少一个轴线上的相对移动的范围受限为不大于该第一量的量。18.如权利要求15至17中任一权利要求所述的方法，其中所述第一间隔结构经组态以将所述第二间隔结构的该横向定位导引成最终组态，在该最终组态中，所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件在至少一个轴线上的该相对移动的范围受限为不超过约20微米。19.如权利要求15至18中任一权利要求所述的方法，其包含：在将所述相对表面压紧在一起前，挤压该两个相对表面之间的lc材料的受控体积；且其中所述第一间隔结构的起始高度不同于所述第二间隔结构的起始高度。20.如权利要求13及权利要求15至19中任一权利要求所述的方法，其中所述第一间隔结构的面积密度小于所述第二间隔结构的面积密度。21.一种包含一液晶晶胞的装置，其中该液晶晶胞包含含于两个组件的相对表面之间的lc材料；其中该两个组件中的至少一个组件界定用于该液晶晶胞的第一组间隔结构及第二组间隔结构；且其中该第一组间隔结构呈现比该第二组间隔结构更高的白光透射率。22.如权利要求21所述的装置，其中该第一组间隔结构是由该两个组件中的一个组件界定，且该第二组间隔结构是由该两个组件中的另一个组件界定。23.如权利要求21或22所述的装置，其中该第一组间隔结构具有比该第二组间隔结构更大的一个高度。24.一种制造液晶晶胞的方法，其包含：将第一半晶胞组件及第二半晶胞组件的相对表面压紧在一起；其中所述第一半晶胞组件及所述第二半晶胞组件中的至少一个半晶胞组件界定用于该液晶晶胞的第一组间隔结构及第二组间隔结构；且其中该第一组间隔结构呈现比该第二组间隔结构更高的白光透射率。25.如权利要求24所述的方法，其包含：借由包含辐照交联的制程制造所述第一组间隔结构及所述第二组间隔结构。

技术总结

一种包含一液晶晶胞的装置，其中该液晶晶胞包含含于两个组件相对表面之间的LC材料；其中所述相对表面在该LC晶胞至少一个或多个区域中啮合。域中啮合。域中啮合。

技术研发人员：

珍

受保护的技术使用者：

弗莱克英纳宝有限公司

技术研发日：

2021.03.24

技术公布日：

2022/11/11