TOP221—227TOPSwitch—II系列三端离线式PWM开关
产品主要性能：
1.最低成本和最少元器件数量的开关解决方案。
2.与线性电源相比在输出功率5W以上的电路中最具竞争优势。 3.具有非常低的AC/DC变换损耗，转换的效率高达90%。
5.为了实现系统的安全保护，芯片内部还具有一个触发式热关断电路。
6.可构成反激式、正激式、升压式或降压式拓扑电路。漂流河道设计
7.打印机芯可稳定工作于不连续与连续传到模式。
8.SOURCE端连接到散热片上降低了EMI。
9.使用专用设计工具软件，设计更省时省力。
图1、典型的反激电路应用实例
简介
第二代的TOPSwitch—II系类芯片与第一代比起来有更高的性价比，第二代的TOPSwitch—II芯片拓展了输出功率，输入AC电网电压100/115/230V的100W扩大到150W，从输入AC电网电压85—265V的输入功率从50W扩大到90W，由于采用了先进的技术和工艺，因此可以拓展到电视、监视器、声频放大器等应用领域。许多有效的电路被集成在芯片内部，使PCB的面积得到有效的减少，使宽输入电网电压范围的电源电路设计变得非常容易。标准的PDIP-8L封装形势减小了低功率、高频率应用的成本。这种封装使用了6个标准铅锡引出
端将内部热量直接传输到PCB上，省去了散热片的成本，该系列的TOPSwitch芯片合并了所有的功能，将开关模式控制系统汇集于具有3个引出端的IC中，芯片内部集成了Power MOSFET，PWM控制器、高压启动电路、环形补偿和故障保护电路。
注释：
1、封装TO-220/3 2、封装DIP-8或SMD-8 3、110/115VAC加倍输入装置 4、假设适当的散热条件使TOPSwitch的结温在100摄氏度以下 5、1当中的焊点为6.45平方厘米，2的敷铜（610gm/），PMAX 是在所示条件下连续状态下输出的实际最大功率，在给定条件下连续输出功率能力取决与周围环境的温度、变压器设计、效率要求、最小指定输入电压以及输入储能电容等等 7、在TOPSwitch-II应用过程中要考虑的一些部分可以参照已有的TOPSwitch的设计。
图2、TOPSwitch的内部框图
洗肾机引脚功能简介
DRAIN端：
输出端MOSFET的漏极连接端，在上电启动期间，通过内部的一个高压开关电流源为其内部电路提供偏置电流，内部电流灵敏点端。 CONTROL端：
周期控制工作时的误差放大器和反馈电流的输入端，芯片内部连接于该端的的分流式稳压器正常工作期间能够为内部电路提供偏置电流。另外，该端还可以作为电源旁路、自动复位启动、补偿电容的连接端。
SOURCE端：
对于Y型封装，为输出MOSFET源极引出端、高电压回零端。初级侧电路的公共接地端和参考点。对于P/G型封装，为初级侧电路的公共端和参考点。
平压平自动模切机
SOURCE(HV RTN)（只有P/G封装有）：
输出MOSFET功率开关电源引出端、高压电源回零端。
图3、外部封装
TOPSwitch-II系类功能简介
干油分配器TOPSwitch系类芯片是一个具有自偏置很具有保护功能的由电流来线性控制占空比的变换
器和漏极开路式输出。芯片通过使用CMOS工艺和最大限度的集成度来获得高效率。COMS所采用的工艺跟双极式或散件式相比较，可以充分减少偏置电流。芯片的一体化省去了电流采样和/或为起初上电启动产生的偏置电流的外部功率电阻。
图4、CONTROL端的电流和占空比的关系
在正常工作期间，芯片内部输出MOSFET功率开关的占空比如图4随CONTROL端电流的增加而线性减少.为了实现所有的控制、偏置和保护功能，DRAIN和CONTROL端所需实现的几个功能如下面所叙述的。参考图2的结构框图和图6 TOPSwitch 集成电路的时序波形图。
控制端供应电压
CONTROL端电压VC是为控制器和驱动器所加的偏置电压，靠近CONTROL和SOURCE端之间的一个外接电容需要为门极提供驱动电流。所有接到这个端点上的电容（ct）还可以设置自动复位启动时间以及控制环路的补偿。Vc的大小被调整在两种工作模式中，滞后调节器被用于最初的上电启动和过载保护。
消声室制作分流式稳压器被用来从控制器电流中分流出占空比误差信号。在上电启动期间，CONTROL端从连接于DRAIN和CONTROL端之间的高压开关电流源中获得电流，该电流为控制器以及外接电容CT的充电提供充足的电流。在VC到达门限值的第一时间高压电流源被关断，PWM控制器和输出晶体管被激活，如图5（a）所示，在正常工作期间（输出电压达到设定值）反馈控制电流为VC提供补充电流，分流稳压器通过分流CONTROL端的反馈电流将VC稳定在5.7V，CONTROL端的反馈电流是由PWM的误差信号采样电阻RE所提供的，并超过所需的DC电源电流。当使用初级反馈电路结构时，CONTROL端较低动态阻抗可设置误差放大器的增益。CONTROL端的动态阻抗与外接的电阻和电容一起决定电源系统控制环路的补偿。如果CONTROL端的外接电容CT被放电而低于门限电压时，那么输
出MOSFET功率开关被关断，并且控制环路也将进入低电流启动模式。同时，高压电流源也将会导通，并为外部电容再次充电，充电电流具有负极性，放电电流具有正极性，如图6所示。自动复位启动比较器所具有的滞后特性可将VC稳定在4.7V-5.7V窗式门限之内，而高压电流源则会在导通与关断之间轮换翻转，如图5（b）所示。自动复位启动电路具有一个8分频计数器，主要是用来防止在第8个放电周期还没有过去时输出MOSFET功率开关的再次导通。这个计数器通过将自动复位启动的占空比减少到5%来有效地限制TOPSwitch系类芯片的功率损耗。在输出电压却没有达到稳定之前，自动复位启动电路将周而复始连续工作。
图5、正常启动和自动重启时序波形
具有带隙的基准电压源
大多数TOPSwitch芯片内部电压均来自于一个具有温度补偿和带间隙功能的基准电压源，这个基准电压源也可以用来产生一个具有温度补偿功能的电流源，而产生的电流源则可精确地设置振荡器频率和MOSFET栅极启动电流。
振荡器
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议