TPO414中文资料
1：三端DC-DC脉宽调制开关。
2：产品亮点。
分离转换开关的低成本替代品。只有较少的15个元件，降低成本，提高可靠性。
防盗机箱允许12毫米以下更小更轻的所有表面装载元件解决方案。
3：在反击式拓扑中有80%的能效。
低电容的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
CMOS（互补金属氧化物半导体）控制器/门驱动器的消耗只有7Mw. 70%的最大占空比最大限度的降低了传导损耗。
4：简化设计，缩短上市时间
集成的脉宽调制控制器和大功率的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
只需要一个补偿电容。
发电机冷却器旁路和启动/自动重启的功能。
5：系统电平错误保护特征
自动重启和逐周期电流限制（逐周期电流感测）即时性电流限制功能。
处理初级和次级的错误。
在线的片锁热关断保护整个系统，预防过载。
6：高度灵活，多功能
实现降压，升压，反激式和正激式拓扑。
轻松接口，同时包含OPTO和初级反馈。
支持连续和不连续的运作模式。
指定用于DC16V以下输入。
7：说明
TOPS开关系列，实现只有3个终端，为所有DC-DC所必须的功能：高电压N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），包含受控的启动门驱动，电压模式的脉宽调节控制器有内部集成的120KHZ的震荡器。高电压启动偏置电路，能隙带派生参考，并联分流稳压器，误差放大器电路是为环路补偿和错误保护的，相比分离的MOSFET 和控制器或字激的开关转换器解决方案，TOPS开关集成电路能降低总成本，元件的数量，尺寸，和重量，同时提高效率和系统可靠性，这个器件非常适合电信，电报，和其他DC-DC的高达21W的输出功率。 在内部，SMD-8的引线框架，使用6个引脚将热量从芯片传递到电路板上，减少了散热片的成本。
8：典型应用
9：输出能力：
10：引脚功能描述。
漏极引脚：输出MOSFET的漏极连接，在
启动运行时候，通过内部开关式的高压电流源。
提供内部的偏置电流。内部电流识别点。
控制引脚：误差放大器和反馈电流占空比控制的
输入引脚。内部并联调压器相连接，用来提供
正常工作期间的内部偏置电流。触发锁存关断
输入。也被用来作为供给电源旁路和自动重启/
补偿电容的连接点。
源引脚：输出MOSFET的源极连接，初级电路
的共点，电源回路和参考点。
11：功能描述
TOPS开关是自偏置和自我线性保护控制电流占
高效除雾器空因数变频器，开漏极输出。通过使用CMOS和
集成最大数量的功能可能，达到了高效能。与双极性和离散的方案相比，CMOS显著的降低了偏置电流，集成淘汰了作为电流感应和/或者供给内部初始启动偏置电流的外部电源电阻。
在正常的工作期间，通过增加C脚的电流，内部输出MOSFET占空因数线性地减少，如图4：
为了实现所有的要求控制，偏置，和保护功能，D漏极引脚和C控制引脚每个都执行者几个功能，参考图2的框图图解，和图6所示的TOPS开关的内部集成电路的时间和电压波形。
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控制电压供给
滚动灯箱制作C脚电压VC是供给电压和为驱动器和控制器电路提供的偏置电压。为了供给栅极G驱动电流，需要一个外部的旁路电容接近的连接在C脚和S脚之间，连接在C脚的电容总数量也设置自动重启时间和控制环路补偿。VC电压在两种运行模式的任何一种模式都被调节。滞后调节用于在初始启动和过载操作中。分流调节用于区分开控制电路的源电流中占空因数中的错误信号。在启动时候，VC电压由内部连接在D脚和C脚的高压开关电流源供给。这个电流源提供足够的电流给控制电路和给外部总电容充电。
12：功能描述续。
VC第一次达到高限时候，高压电流源关闭，PWM脉宽调制调节器和输出晶体管被激活，如图5所示。在正常工作时间（当输出电压被调节）反馈控制电流供给VC供电。分流调节器用PWM错误信号感应电阻RE，通过分流C脚的超过要求的DC电流的反馈电流，保持VC在典型的5.7V。当用在初级反馈结构，这个引脚的低动态阻抗ZC设置误差放大器的增益。C脚的动态阻抗和外部的阻抗和电容决定电源系统的控制环的补偿。
如果C脚的外部总电容必须放电到低限，输出MOSFET被关闭，并且控制电路被设定到低电流旁路模式。高压电流源被开启，并且重新给外部电容充电。充电电流在图6中表示负极性，放电电流表示为正极性。滞后的自动重启比较器通过开启和关闭高压电流源如图5(B)，控制VC的电压在4.7-5.7V的典
型窗口内。自动重启电路有一个8分频的计数器，用来阻止输出MOSFET从再次开启直到过去8个放电周期。通过减少自动重启占空因数通常在5%，计数器有效的显示开关电源的功耗。自动重启持续循环，直到输出电压调节再次实现。
能隙带基准.
浮油收集器所有决定性的开关内部电压源自一个温度补偿能隙基准。这个基准也用于产生温度补偿电流源，被修剪后用于精确的设置晶振频率和MOSFET 栅极G的驱动电流。
晶振
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