Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大。研究发现, Zn4s态决定导带底的位置,Mg的掺入导致Zn4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因。图9表2参27(严寒)
TN304.22007010837 InAs/Ga As表面量子点的压电调制反射光谱研究=A pi ezomodulated r eflectance study of InAs/GaAs sur face quantum dots[刊，中]/余晨辉(中科院上海技物所红外物理国家重点实验室.上海(200083))，王茺//物理学报.2006,55(9).49344939 运用压电调制反射光谱(P zR)方法测量了在以GaAs (311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱。在77K温度下，观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号。来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰。用一阶和三阶微分洛伦兹线形对P zR谱中对应结构的实验数据进行了拟合，精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置。对不同样品P zR谱的差异进行了定性的说明。图4表1参16(严寒) TN304.22007010838纤锌矿In x Ga1-x N/GaN量子阱中的界面声子模=Inter face opt ical phonon model in wur tzite In x Ga1-x N/GaN quantum wells[刊，中]/危书义(河南师范大学物理与信息工程学院.河南，新乡(453007))，张芳//液晶与显示. 2006,21(4).336342
负压病房采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿I n x Ga1-x N/GaN混晶性质；基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研
究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子，得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的散关系，并对In x Ga1-x N/GaN单量子阱界面声子的散关系进行了数值计算和讨论。结果表明，纤锌矿In x Ga1-x N/GaN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为；在对称非应变单量子阱In x Ga1-x N/GaN中，界面声子频率随x的变化呈线性关系。图4表1参20(严寒)T N304.212007010839有序结构ZnO的自组装生长及光学性能研究=Study on the ordered str uctures of ZnO prepa red by self assembly and opt ical proper ties[刊，中]/谢娟(电子科技大学微电子与固体电子学院.四川，成都(610054))，邓宏//电子元件与材料.2006,25(2).4547智能营销客户管理系统
利用重力场下的自组装，将单分散的ZnO胶体球悬浮液自组装为排列有序的结构。通过SEM、TEM对制得的有序结构进行了表征。结果表明，这种方法可得到直径为50~800nm的Z nO胶体球。所得样品的透射谱在200~1100 nm范围内出现一强烈的衰减峰(带隙中心波长为c)，且c随ZnO胶体球粒径的减小向短波长方向移动(蓝移),c 的位置还随前处理温度的降低而蓝移。图5参8(于晓光)
T N304.262007010840 HgCdTe薄膜材料缺陷的研究现状=Cur rent status of re search on defects in HgCdTe epilayers[刊，中]/曹秀亮(中科院上海技物所.上海(200083))//红外.2006,27 (8).2732
介绍了H gCdT e外延材料中几种主要缺陷的研究进展。图8参14(严寒)
T N304.262007010841高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究=Inves tigation of high hole con
centr ation Mg doped InGaN epilay er[刊，中]/刘乃鑫(北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京市光电子技术实验室.北京(100022))，王怀兵//物理学报.2006,55(9).49514955
采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同M g掺杂浓度In x Ga1-x N(0!x!0.3)外延材料样品，对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究。研究发现：在固定Mg掺杂浓度下，随In组分的提高，样品空穴浓度显著提高，最高达2.41019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级；通过对M g掺杂InGaN(InGaN#Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析，解释了InGaN#Mg样品的载流子跃迁机理，并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置。图5参16(严寒)
光学工艺谐振隧穿器件
温度监控系统光学加工工艺与设备
TH7032007010842大口径光学平面的子孔径拼接检验研究=Study on sub aper tur e st itching interfer ometry for la rge plano optics[刊，中]/李新南(中科院国家天文台南京天文光学技术研究所.江苏，南京(210042))，张明意//光学技术.2006,32 (4).514517
研究了检测大口径光学平面的子孔径拼接法。通过采用最小二乘法对相邻两个子孔径重叠区域的数据进行分析，获得了子孔径之间的拼接参量，得到了被检验镜面的整体面形信息。编制了拼接检验的计 内孔撑圆涨紧夹具
算程序，并完成了原理性实验。采用一台口径为100mm的移相干涉仪检测了两个样品，给出了拼接检测与全口径检测的对比结果，样品的口径分别为100mm和91mm。对比检测结果表明，拼接检测与直接检测两种方法的RMS之差小于5 nm。图8表3参8(严寒)
T3TQ653基于柱面坐标系的新型光学坐标测量机的研制=D
f y inder coor dinates[刊，中]/贾立德(国防科技大学机电工程与自动化学院.湖南，长沙(430073))，郑子文//光学精密工程.2006,14(5).835839
研制了一种基于柱面坐标系的新型专用非球面坐标测量机，通过测量非球面多条子午截线实现对非球面形的全口径检测。在结构设计方面，采用了龙门框架加回转运动的形式，利用高精度气浮导轨实现水平运动，利用端齿盘实现对工件的精确分度，通过点位测量的方式实现对非球面形的高精度检测。在软件方面，建立了系统的数学模型和柱面坐标系下回转对称非球面形全口径检测算法，并在VC++6.0和Matlab平台上编制了测控软件和数据处理软件。系统最大测量口径为600mm，测量高度为25 mm，最小测量步长为1mm，经过系统误差补偿后，系统精度优于1m，满足了精磨、粗抛阶段非球面形检测要求。试验表明：系统运行良好，精度满足要求，同时具有良好的通用性，可用于非球面精磨、粗抛阶段的检测。图7参8 (于晓光)
T Q171.652007010844小口径非球面检测的方法=T f
f[刊，中]朱敏(东北电子技术研究所辽宁，锦州())，石永山光电技术应用6,
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H70171.200701084
evelop ment o a new optical coordinate measur ing machine in c l
塑料破碎机刀片est method o small aper tur e aspher ic sur ace/.
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