NOR flash,NAND flash,手机镜片SDRAM结构和容量分析
1.NOR flash结构和容量分析
例如:HY29LV160 。
引脚分别如图:
HY29LV160 有20根地址线,16位的数据线。 所以:
容量=220(地址线)X16(数据位数)bit
=1MX16bit=1MX2B
=2MB
2.SRAM简单介绍tsf过载保护
SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。 SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
秸秆人造板
SRAM一种是置于CPU与主存间的高速缓存
,它有两种规格:一种是固定在主板上的高速缓存(Cache Memory );另一种是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)扩充用的高速缓存,另外在CMOS芯片1468l8的电路里,它的内部也有较小容量的128字节SRAM,存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送,自80486CPU起,在CPU的内部也设计有高速缓存,故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache(一级高速缓存)和L2Cache(二级高速缓存)的名词,一般L1 Cache是内建在CPU的内部,L2 Cache是设计在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部,故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快,不需要刷新的操作,但是也有另外的缺点,就是价格高,体积大,所以在主板上还不能作为用量较大的主存。 现将它的特点归纳如下:
◎优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
◎缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统:
○CPU与主存之间的高速缓存。
○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
○CMOS 146818芯片(RT&CMOS SRAM)。
主要用途:
SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 C ache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
指纹保管箱SRAM
SRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache).SRAM也有许多种,如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,异步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM, 流水式突发SRAM),还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。 基本的SRAM的架构如图1所示,SRAM一般可分为五大部分:存储单元阵列(core cells array),行/列地址译码器(decode),灵敏放大器(Sense Amplifier),控制电路(control circuit),缓冲/驱动电路(FFIO)。 SRAM是静态存储方式,以双稳态电路作为存储单元,SRAM不象DRAM一样需要不断刷新,而且工作速度较快,但由于存储单元器件较多,集成度不太高,功耗也较大。
3.SDRAM 结构和容量分析
● SDRAM基础知识
SDRAM : Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器。
同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。
动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。
随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM.
第一代与第二代SDRAM均采用单端(Single-Ended)时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率,第一代内存用时钟频率命名,如pc100,pc133则表明时钟信号为100或133MHz,数据读写速率也为100或133MHz。之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)内存则采用数据读写速率作为命名标准,并且在前面加上表示其DDR代数的符号,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作频率是333/2=166MHz,2700表示带宽为2.7G。
DDR的读写频率从DDR200到DDR400,DDR2从DDR2-400到DDR2-800,DDR3从DD
R3-800到DDR3-1666。
例如:HY57V641620:
HY57V641620引脚分布:
● HY57V641620 有12根地址线。但要注意:SDRAM的行地址和列地址是公用这12根地址线的。行地址:A11~A0,列地址:A7~A0。RAS#行地址锁存有效时,地址为行地址,
A11~A0。CAS#列地址锁存有效时,地址为列地址,A7~A0。
● HY57V641620 有两个Bank地址。AB1,BA0.用于片内4个组BanK的选择。
● HY57V641620 有16位数据总线:DQ15~DQ0。
所以HY57V641620的容量计算公式是:
容量=212(行地址)X28(眼部艾灸器列地址)X16(数据位数)X22(片内bank汽水取样装置数)bit
=220X16X4bit
=1MX2X4Byte