双功能分子制备高效稳定CsPb(Br/Cl)3纳米晶的方法


双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法
技术领域
1.本发明涉及cspb(br/cl)3纳米晶的制备技术领域,尤其涉及双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法。


背景技术:



2.无机卤化物钙钛矿纳米晶体(pencs)因其高的光致发光量子产率(plqy)、宽的域、窄的发射带宽和易于合成等优异的性能在发光二极管(led)领域引起了广泛的关注。绿光和红光peleds的外部量子效率(eqe)已经超过了20%。然而,蓝光peled作为显示和照明的重要组成部分,仍然远远落后于绿光和红光peled,这阻碍了peleds在全彩显示中的实际应用。
3.目前已经应用了许多方法来开发蓝钙钛矿发射体,例如超小尺寸的溴基钙钛矿和尺寸工程,尤其是准二维。然而,超小尺寸的溴基钙钛矿容易发生团聚,且发光纯度相对较低。对于尺寸工程来说,精确调整发射颜相对不方便,并且基于该策略的大多数peleds集中在天蓝波段。此外,由于维度降低而增加的表面体积比会导致大量的表面缺陷,从而降低plqy。为了满足国家电视系统委员会(ntsc)的标准,开发发射波长在460-470nm之间的纯蓝peleds是非常迫切的需求。加入cl是实现钙钛矿材料蓝发射的一个直接策略。通过简单地增加混合卤化物(br/cl)中cl的比例,可以很容易地将pencs的发射带调到具有高颜纯度的纯蓝区域。然而,在混合卤化物(br/cl)中,cl空位很容易形成,并产生不可逆的捕获载流子的深阱态,这极大地抑制了辐射复合并降低了plqy。此外,这些缺陷会加速离子迁移,导致光谱不稳定和器件退化。
4.为避免上述技术问题,确有必要提供一种能够抑制混合卤化物(br/cl)钙钛矿中的cl空位,实现高效稳定的纯蓝peleds的方法以克服现有技术中的所述缺陷。


技术实现要素:



5.本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法。
6.为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
7.双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,包括以下步骤
8.步骤1:将十八烯、油酸以及碳酸铯放在容器中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后在惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;
9.步骤2:将溴化铅、三氯(1h,1h,2h,2h-十三氟正辛基)硅烷、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后在惰性气体氛围下升温,并注入油酸铯溶液,充分反应后将溶液水浴冷却到室温;
10.步骤3:将步骤2中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到甲苯溶液中,即得到pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶;
11.步骤4:初步制备基于pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led;
12.先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ito导电玻璃,并进行紫外臭氧清洗处理;
13.在处理后的ito玻璃上将pedot:pss溶液通过滤头进行旋涂,再进行退火处理;然后将底物转移到充满n2气体的手套箱中,在pedot:pss薄膜上旋涂溶解在氯苯溶液中的poly-tpd,之后再进行退火处理,最后形成pedot:pss/poly-tpd层,将pedot:pss/poly-tpd层作为空穴注入层和空穴传输层;
14.将步骤3中制备好的pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶溶液旋涂在pedot:pss/poly-tpd层层上,作为发光层;
15.步骤5:将步骤4中获得的产物最后转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积tmpypb、lif和al层,其中tmpypb层作为电子传输层和空穴阻挡层,lif和al层作为顶部电极;由此获得基于pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led。
16.优选的,步骤1中所述油酸与十八烯的体积比为1:12。
17.优选的,步骤1和步骤2中,通入的惰性气体为氦气。
18.优选的,步骤2中,十八烯、油酸和油胺的体积比为10:1:1。
19.优选的,步骤3中,所述离心转速为5000-10000r/min。
20.优选的,步骤4中,所述旋涂pedot:pss的转速为4000r/min;旋涂poly-tpd的转速为3000r/min;纳米晶溶液旋涂在pedot:pss/poly-tpd层上的转速为1000r/min。
21.优选的,步骤4中,所述pedot:pss的退火处理具体为140℃的温度下退火15min;poly-tpd的退火处理具体为在140℃的温度下退火15min。
22.本发明的有益效果为:
23.本发明提出了一种利用双功能分子三氯(1h,1h,2h,2h-三氟正辛基)硅烷(pfts)合成高质量cspb(br/cl)3pencs的新策略,该分子不仅提供氯离子作为氯前驱体,还提供氟离子作为表面钝化剂,这使得到的产物plqy高达87%,远高于传统用氯化铅作为氯前驱体合成的cspb(br/cl)3pencs。进一步地,将优化后的pencs作为发射层制备出了电致发光(el)波长为461nm的纯蓝peled,该器件具有482cd m-2
的高亮度和1.62%的高eqe。同时,pfts有效的卤化物空位钝化抑制了离子迁移,从而大大提高了器件的光谱稳定性。
24.本发明提供的利用双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,此方法操作简单,耗时少,耗能低;本发明方法所制备的pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的样品形貌尺寸均一,结晶度高,发光纯度高,光致发光量子效率高,稳定性高。
附图说明
25.图1为原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的吸收光谱和光致发光光谱;
26.图2为用于估计原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的缺陷密度的纯电子器件的电流密度-电压特性曲线;
27.图3为原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的高分辨x射线光电子能谱;
28.图4为原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的x射线衍射图谱;
29.图5为原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的透射电镜图;
30.图6为基于原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶led的能级结构图;
31.图7为基于原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led的亮度-电压-电流密度曲线;
32.图8为基于原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led的外量子效率-电流密度曲线;
33.图9为基于原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led在4-7v电压下的电致光谱稳定性;
34.图10为原始和pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led在5v持续电压下的工作稳定性。
具体实施方式
35.下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
36.在一个实施例中,提供利用双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,该方法包括以下步骤:
37.1)首先将0.814g的碳酸铯,2.5ml油酸和30ml十八烯装入100ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氦气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液,即得到前驱体溶液。
38.2)其次将0.138g的碘化铅、65ul的三氯(1h,1h,2h,2h-三氟正辛基)硅烷(pfts),1ml油胺、1ml油酸以及10ml十八烯装入到50ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,随后在氦气氛围下,将溶液升温170℃后,注入0.8ml前驱体溶液,反应5s后迅速将溶液水浴冷却到室温;
39.3)最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到甲苯溶液中,即得到pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶;
40.4)制备基于pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led;
41.先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ito导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;
42.在处理后的ito玻璃上将pedot:pss溶液(baytron pvp al 4083)通过滤头以4000r/min的转速旋涂50秒,之后在140℃的温度下退火15分钟;然后将底物转移到充满n2气体的手套箱中,在pedot:pss薄膜上将溶解在氯苯溶液中的poly-tpd以3000r/min的转速旋涂50秒,之后再继续在140℃的温度下退火15分钟,最后形成pedot:pss/poly-tpd层,将pedot:pss/poly-tpd层作为空穴注入层和空穴传输层;
43.将步骤3)中制备好的pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶溶液旋涂在pedot:pss/poly-tpd层层上,作为发光层;
44.步骤5:将步骤4中获得的产物最后转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积tmpypb、lif和al层,其中tmpypb层作为电子传输层和空穴阻挡层,lif和al层作为顶部电极;由此获得基于pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led。
45.如图1所示,利用pfts可以提高cspb(br/cl)3纳米晶的发光强度。此外,如图2所示,pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的缺陷态密度降低,说明pfts钝化了纳米晶表面的
缺陷,抑制了非辐射复合,从而提高了发光效率。如图3所示,在pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶中新出现了来自pfts的f1s,cf2和cf3的特征峰,并且cs 3d,pb 4f,br 3d和cl 2p信号的峰均向高能方向发生了移动,说明pfts可以钝化钙钛矿的表面缺陷。如图4所示,pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的xrd衍射峰变窄,并且向大角度方向发生了移动,说明优化后的纳米晶结晶度变高,并且发生了晶格收缩。如图5所示,pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的形貌具有高的结晶性和均匀的尺寸,晶格间距变小,与xrd结果一致,说明有少量的f进入了晶格内部。进一步地,如图6所示,利用pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶作为发光层制备了led。如图7,8所示,该led实现482cd/m2的最大亮度和1.62%的峰值外量子效率。并且如图9,10所示,该led的光谱稳定性和工作稳定性明显提高。
46.本发明提供了一种利用双功能分子三氯(1h,1h,2h,2h-三氟正辛基)硅烷(pfts)合成高质量cspb(br/cl)3pencs的新策略,该分子不仅提供氯离子作为氯前驱体,还提供氟离子作为表面钝化剂,这使得到的产物plqy高达87%,远高于传统用氯化铅作为氯前驱体合成的cspb(br/cl)3pencs。进一步地,将优化后的pencs作为发射层制备出了电致发光(el)波长为461nm的纯蓝peled,该器件具有482cd m-2
的高亮度和1.62%的高eqe。同时,pfts有效的卤化物空位钝化抑制了离子迁移,从而大大提高了器件的光谱稳定性和工作稳定性。
47.以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

技术特征:


1.双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将十八烯、油酸以及碳酸铯放在容器中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后在惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;步骤2:将溴化铅、三氯(1h,1h,2h,2h-十三氟正辛基)硅烷、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后在惰性气体氛围下升温,并注入油酸铯溶液,充分反应后将溶液水浴冷却到室温;步骤3:将步骤2中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到甲苯溶液中,即得到pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶;步骤4:初步制备基于pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led;先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ito导电玻璃,并进行紫外臭氧清洗处理;在处理后的ito玻璃上将pedot:pss溶液通过滤头进行旋涂,再进行退火处理;然后将底物转移到充满n2气体的手套箱中,在pedot:pss薄膜上旋涂溶解在氯苯溶液中的poly-tpd,之后再进行退火处理,最后形成pedot:pss/poly-tpd层,将pedot:pss/poly-tpd层作为空穴注入层和空穴传输层;将步骤3中制备好的pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶溶液旋涂在pedot:pss/poly-tpd层层上,作为发光层;步骤5:将步骤4中获得的产物最后转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积tmpypb、lif和al层,其中tmpypb层作为电子传输层和空穴阻挡层,lif和al层作为顶部电极;由此获得基于pfts优化后的cspb(br/cl)3纳米晶的led。2.根据权利要求1所述的双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,其特征在于,步骤1中所述油酸与十八烯的体积比为1:12。3.根据权利要求1所述的双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,其特征在于,步骤1和步骤2中,通入的惰性气体为氦气。4.根据权利要求1所述的双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,其特征在于,步骤2中,十八烯、油酸和油胺的体积比为10:1:1。5.根据权利要求1所述的双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,其特征在于,步骤3中,所述离心转速为5000-10000r/min。6.根据权利要求2所述的双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,其特征在于,步骤4中,所述旋涂pedot:pss的转速为4000r/min;旋涂poly-tpd的转速为3000r/min;纳米晶溶液旋涂在pedot:pss/poly-tpd层上的转速为1000r/min。7.根据权利要求2所述的双功能分子制备高效稳定cspb(br/cl)3纳米晶的方法,其特征在于,步骤4中,所述pedot:pss的退火处理具体为140℃的温度下退火15min;poly-tpd的退火处理具体为在140℃的温度下退火15min。

技术总结


本发明涉及CsPb(Br/Cl)3纳米晶的制备技术领域,为了解决现有的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的制备方法存在结晶度和发光纯度低的问题,公开了双功能分子制备高效稳定CsPb(Br/Cl)3纳米晶的方法,包括。本发明得到的产物PLQY高达87%,远高于传统用氯化铅作为氯前驱体合成的CsPb(Br/Cl)3PeNCs,大大提高了器件的光谱稳定性;方法操作简单,耗时少,耗能低;本发明方法所制备的PFTS优化后的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的样品形貌尺寸均一,结晶度高,发光纯度高,光致发光量子效率高,稳定性高。稳定性高。稳定性高。


技术研发人员:

张宇 孙思琦 陆敏 白雪 路坡 秦菲崧

受保护的技术使用者:

吉林大学

技术研发日:

2022.08.15

技术公布日:

2022/11/8

本文发布于:2024-09-22 15:33:22,感谢您对本站的认可!

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