具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法[发明专利]

专利名称:具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法专利类型:发明专利
发明人:孙玉芹,王江波
申请号:CN201510599118.5
申请日:20150918
公开号:CN105140357A
海藻苏打水公开日:
新风控制系统
20151209
刮膜棒
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法,属于发光二极管领域。该方法包括:提供一衬底;在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层;在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层,所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层,所述多个GaN垒层中的最靠近所述N型GaN层的至少一个所述GaN垒层为P型GaN垒;在所述多量子阱有源层上生长P型GaN载流子层。本发明中,最靠近N型GaN层的至少一个InGaN阱层中空穴浓度大幅增加,而在大电流密度下,注入多量子阱有源层中的电子是随之增多的,所以可以大大提高电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率,使得电子溢漏的程度减小,提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。
申请人:华灿光电股份有限公司
无人机首推北京天宇创通地址:430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
国籍:CN
代理机构:北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人:徐立垃圾打捞船
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本文发布于:2024-09-23 03:31:01,感谢您对本站的认可!

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