的进展
热熔胶涂胶机 据麦姆斯咨询报道，近日，日本SCIOCS公司与法政大学报道了其在氮化镓（GaN）中使用光电化学（photo-electro-chemical，简称PEC）刻蚀技术实现高纵横比深沟槽的进展。该小组希望这项技术能够利用GaN在高电场中的高击穿电场和高电子漂移速度等优良特性，为功率电子创造新的器件结构。 商场柜台制作
数字光纤直放站 深刻蚀用来创建具有p型和n型材料柱的“超结”结构，当结合侧向场效应晶体管时，就会产生超过10kV的击穿电压。同时，垂直器件也可以从超结漂移区域和其他深刻蚀结构中获益。因此，激光二极管的脊形加工、晶圆切割应用和MEMS（微机电系统）等领域也需要高质量的快速刻蚀工艺。如今，PEC技术已经应用于台面结构（mesa）、凹入式栅极（gate-recess）和垂直腔面发射激光器（VCSEL）制造工艺上。据这项技术的研究者Horikiri 称，这项技术得到了日本环境部的大力支持。
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冰箱模具 该团队说道：“我们承诺将与GaN产业链分享此项PEC刻蚀技术，这是我们作为GaN衬底供应商的职责之一。”通常，深刻蚀通过干法等离子体刻蚀实现，例如电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE），但是该技术会造成较严重的表面损伤。再加上由于GaN和掩模材料之间的干法刻蚀选择性低
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