AIGaN紫外探测器及其应用

第36卷,增刊V r01.36Suppl em ent
红外与激光工程
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2007年6月
Jun.2007 A l G aN紫外探测器及其应用
黄翌敏,李向阳,龚海梅
(中国科学院上海技术物理研究所,上海200083)
摘要:灿G a基紫外探测器具有量子效率高,工作电压低并能够通过调节组分改变相应波段,在用于多光谱成像时能减少滤光片的使用,提高系统效率,因此成为国内外研究的热点。介绍了A1G aN 紫外探测器的发展现状,并以国产A1G aN日盲/可见盲双波段探测器组件为核心建立了演示成像系统。利用此系统设计完成了多种光照条件下目标的成像实验,并且介绍了实验结果。
关键词:铝镓氮;紫外探测器;多光谱;成像纬编针织布
中图分类号:TN305.93文献标识码:A文章编号:1007—2276(2007)增(器件).0209—05
A l G aNul t r aV i ol et s e ns or s and t he appl i cat i ons
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A bst r嬲t:A l G a N U V s ensor s haV e becom e one of nl e m os t i m pon孤t U Vde t e ct or s f or hi曲er quaI l t um em ci ency,10w w o蛹ng V ol t age and can adj ust r es pons e baIl ds ea si l y by c ha I l gi ng t11e f r act i ons.1.1l e de V el opm ent of t he A1G aN U V s ens or s w as i nt r o duced and m e dem o i m agi ng syst em w as s et up.SeV er al exper i m ent s w er e des i gned and m e r e sul t s w er e r epo r t ed i n t he end of m e paper.
K ey w or ds:A l G aN;U V sen sor s;M ul t i spect m m s;I I I l a gi ng
0引言弹性垫片
紫外成像的探测器可大致分为两类:光阴极探测器和半导体探测器。光阴极探测主要包括紫外真空二极管、分离型紫外光电倍增管(U V_PM T),成像型紫外变像管、紫外增强器及紫外摄像管等。
大功率白光led由于探测灵敏度高,光电倍增管在紫外探测方面已经获得了成功的应用,但由于其本身体积大、功耗大、工作电压高,需要滤光片,由此构成的紫外成像系统的体积也较大,而且功耗和成本都较耐1。21。磁卡读卡器
半导体探测器是紫外成像型探测器发展的另一个重要方向。与光阴极探测器相比,半导体紫外探测不仅更紧凑,更坚固,具有更高的量子效率,驱动电压更低,而且还能在高温环境中获得更好的稳定性。典型的紫外固体探测器有Si紫外探测器、Si C 紫外探测器以及A l G aN紫外探测器。
Si光电二极管主要应用在可见光波段,通过“紫外增强”的技术其也可应用于紫外光的探测。“紫外增强”型si光电二极管是一种最常用的紫外探测器,可以分为两类:pn结光电二极管和电荷反转光电二极管。由于s i的禁带比较窄,长期暴露在高能量紫外光的照射下,器件的寿命问题限制了其应用。此外Si探测器对于可见光波段敏感,因此这类器件在应用时往往需要特定的滤光片【z。3】。脱硝催化剂成分
s i C是一种宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为2.4~3.2eV(3C—Si C:2.39e V,4H—Si C:3.2eV,6H.Si C:2.86eV),适合制备紫外和高能粒子探测器。Si C紫外探测器主要有Schot t ky和pn结两种类
收藕日期l200r7—05—22
作者筒介l黄翌敏(198m),男,江西九江人,博士生,主要从事光电探测应用研究。E戤I il:t0(埘alive@163.踟
导■■介-龚海梅(1965一),男,江苏海门人,室主任,研究员,主要从事航天光电探测组件的研究。E m ai l:hm g∞g@m越.s卸.扯.cn

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