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一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法[发明专利]

专利名称：一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法专利类型：发明专利

发明人：贾钊，赵炆兼，郭冠军，曹广亮，赵丽

申请号：CN201910093641.9

申请日：20190130

桥梁应力检测公开号：CN109659812A

频率元件

公开日：

脱硝催化剂回收

模拟社区

20190419

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法，芯片包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。本发明通过欧姆接触层限制电流，绝缘层和金属反射层构成ODR结构实现全反射，不受氧化层限制、散热性好，并且制作工艺简单。

申请人：厦门乾照半导体科技有限公司

烟气道

27.5g bt地址：361001 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路267号

国籍：CN

本文发布于:2024-09-20 12:35:50，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/2/203068.html

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