穿戴设备的防护电路及其应用方法与流程



1.本技术涉及穿戴设备技术领域,尤其是涉及一种穿戴设备的防护电路及其应用方法。


背景技术:



2.如今智能穿戴设备的形态越来越多,所附加的功能越来越丰富。例如,心率测量和血氧测量几乎已经成为智能穿戴的标配功能。穿戴设备可以利用心率绿灯、血氧红灯等发光二极管元件实现对于用户心率以及血氧含量的测量。
3.但是,现有技术中存在着当穿戴设备出现故障时,其心率血氧灯易烫伤用户的技术问题。


技术实现要素:



4.本技术的目的在于提供一种穿戴设备的防护电路及其应用方法,以缓解现有技术中当穿戴设备出现故障时,其心率血氧灯易烫伤用户的技术问题。
5.第一方面,本技术实施例提供了一种穿戴设备的防护电路,包括:电能输入端口、第一场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mos)开关、第二mos开关、第三mos开关、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、发光二极管以及通用型之输入输出(general-purpose input/output,gpio)端口;
6.所述电能输入端口分别与所述第一mos开关的源极、所述第一电阻的第一引脚以及所述第二mos开关的源极连接,所述第一mos开关的漏极与所述第二电阻的第一引脚连接,所述第一mos开关的栅极分别与所述第三mos开关的栅极、所述第三电阻的第一引脚以及所述第四电阻的第一引脚连接,所述第一电阻的第二引脚分别与所述第二mos开关的栅极以及所述第三mos开关的漏极连接,所述第二mos开关的漏极与所述发光二极管的正极连接,所述第三电阻的第二引脚分别与所述第一电容的第一引脚以及所述第一二极管的负极连接,所述第一二极管的正极分别与所述第二二极管的负极以及所述第二电容的第一引脚连接,所述gpio端口分别与所述第二电阻的第二引脚、所述发光二极管的负极以及所述第二电容的第二引脚连接,所述第三mos开关的源极接地,所述第四电阻的第二引脚接地,所述第一电容的第二引脚接地,所述第二二极管的正极接地,所述防护电路通过所述gpio端口与所述穿戴设备的芯片连接;
7.所述防护电路用于确定所述芯片的工作状态,并基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制。
8.第二方面,本技术实施例提供了一种穿戴设备的防护电路的应用方法,应用于如上述第一方面所述的防护电路,所述防护电路包括发光二极管和gpio端口,所述防护电路通过所述gpio端口与所述穿戴设备的芯片连接;所述方法包括:
9.获取所述gpio端口的信号波形
10.根据所述信号波形确定所述芯片的工作状态;
11.基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制。
12.在一个可能的实现中,所述信号波形包括下述任意一项或多项:
13.恒定高电平波形、脉冲宽度调制(pulse width modulation,pwm)波形、恒定低电平波形。
14.在一个可能的实现中,所述根据所述信号波形确定所述芯片的工作状态的步骤,包括:
15.如果所述信号波形为恒定高电平波形,则确定所述芯片处于上电未工作状态;
16.如果所述信号波形为pwm波形,则确定所述芯片处于正常工作状态;
17.如果所述信号波形为恒定低电平波形,则确定所述芯片处于异常工作状态。
18.在一个可能的实现中,所述信号波形为恒定高电平波形,所述芯片处于上电未工作状态;所述基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制的步骤,包括:
19.响应于所述芯片处于上电未工作状态,控制所述发光二极管保持熄灭。
20.在一个可能的实现中,所述信号波形为pwm波形,所述芯片处于正常工作状态;所述基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制的步骤,包括:
21.响应于所述芯片处于正常工作状态,控制所述发光二极管持续工作。
22.在一个可能的实现中,所述信号波形为恒定低电平波形,所述芯片处于异常工作状态;所述基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制的步骤,包括:
23.响应于所述芯片处于异常工作状态,控制所述发光二极管熄灭。
24.第三方面,本技术实施例提供了一种穿戴设备的防护电路的应用装置,应用于如上述第一方面所述的防护电路,所述防护电路包括发光二极管和gpio端口,所述防护电路通过所述gpio端口与所述穿戴设备的芯片连接;所述装置包括:
25.获取模块,用于获取所述gpio端口的信号波形;
26.确定模块,用于根据所述信号波形确定所述芯片的工作状态;
27.控制模块,用于基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制。
28.第四方面,本技术实施例提供了一种电子设备,包括存储器、处理器,所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第二方面所述的方法的步骤。
29.第五方面,本技术实施例又提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机可运行指令,所述计算机可运行指令在被处理器调用和运行时,所述计算机可运行指令促使所述处理器运行上述第二方面所述的方法。
30.本技术实施例带来了以下有益效果:
31.本技术实施例提供的一种穿戴设备的防护电路及其应用方法,该防护电路包括:电能输入端口、第一mos开关、第二mos开关、第三mos开关、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、发光二极管以及gpio端口;电能输入端口分别与第一mos开关的源极、第一电阻的第一引脚以及第二mos开关的源极连接,第一mos开关的漏极与第二电阻的第一引脚连接,第一mos开关的栅极分别与第三mos开关的栅极、第三电阻的第一引脚以及第四电阻的第一引脚连接,第一电阻的第二引脚分别与第二mos开关的栅极以及第三mos开关的漏极连接,第二mos开关的漏极与发光二极管的正
极连接,第三电阻的第二引脚分别与第一电容的第一引脚以及第一二极管的负极连接,第一二极管的正极分别与第二二极管的负极以及第二电容的第一引脚连接,gpio端口分别与第二电阻的第二引脚、发光二极管的负极以及第二电容的第二引脚连接,第三mos开关的源极接地,第四电阻的第二引脚接地,第一电容的第二引脚接地,第二二极管的正极接地,防护电路通过gpio端口与穿戴设备的芯片连接,防护电路用于确定芯片的工作状态,并基于芯片的工作状态对发光二极管进行控制。
32.本方案中所提供的穿戴设备的防护电路,利用甄别芯片的异常信号,及时判断动作截止led的电源,能有效防止led高亮高温,灼伤烫伤人体皮肤,纯硬件电路,无需主控mcu提供io口资源,减少部线困难和复杂程度,无需软件控制,无代码成本,可靠性高,成本低廉,避免因软件bug等原因导致无法动作保护,为穿戴设备、穿戴产品用户的人身安全,加上更加有力的一道安全屏障,减少安全事故,安全客诉,安全官司等,缓解了现有技术中当穿戴设备出现故障时,其心率血氧灯易烫伤用户的技术问题。
附图说明
33.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
34.图1为本技术实施例提供的一种穿戴设备的防护电路的结构示意图;
35.图2为本技术实施例提供的一种工作波形示意图;
36.图3为本技术实施例提供的另一种工作波形示意图;
37.图4为本技术实施例提供的另一种工作波形示意图;
38.图5为本技术实施例提供的另一种工作波形示意图;
39.图6为本技术实施例提供的另一种工作波形示意图;
40.图7为本技术实施例提供的一种穿戴设备的防护电路的应用方法的流程示意图;
41.图8为本技术实施例提供的一种穿戴设备的防护电路的应用装置的结构示意图;
42.图9本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
43.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
44.本技术实施例中所提到的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括其他没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
45.如今,各大穿戴产品厂商均有关于因穿戴设备发烫发热等原因,导致用户被灼伤,烧伤的客诉时间。穿戴设备的健康芯片异常情况下输入/输出(input/output,io)引脚直通
到地,导致心率绿灯、血氧红灯、心率红外灯其中一盏或者多盏同时一直亮,较高电压直接加载到上述灯的两端,产生大电流,导致灯的温升过高烫伤人体。心率绿灯和心率红外灯一般用来做穿戴产品的佩戴检测,即使不开连续心率血氧功能,心率绿灯和心率红外灯也将间歇性亮起,如果健康芯片突发异常,将可能导致人体烫伤、灼伤。因关于用户人身安全的问题,所以可能导致比较严重的后果,所以在穿戴设备、穿戴产品上设计心率血样灯的防烫伤电路非常有必要。
46.基于此,本技术实施例提供了一种穿戴设备的防护电路及其应用方法,通过该电路可以缓解现有技术中当穿戴设备出现故障时,其心率血氧灯易烫伤用户的技术问题。
47.下面结合附图对本技术实施例进行进一步的介绍。
48.图1为本技术实施例提供的一种穿戴设备的防护电路的结构示意图。如图1所示,该电路包括电能输入端口101、第一mos开关102、第二mos开关103、第三mos开关104、第一电阻105、第二电阻106、第三电阻107、第四电阻108、第一电容109、第二电容110、第一二极管111、第二二极管112、发光二极管113以及gpio端口114;
49.电能输入端口101分别与第一mos开关102的源极、第一电阻105的第一引脚以及第二mos开关103的源极连接,第一mos开关102的漏极与第二电阻106的第一引脚连接,第一mos开关102的栅极分别与第三mos开关104的栅极、第三电阻107的第一引脚以及第四电阻108的第一引脚连接,第一电阻105的第二引脚分别与第二mos开关103的栅极以及第三mos开关104的漏极连接,第二mos开关103的漏极与发光二极管113的正极连接,第三电阻107的第二引脚分别与第一电容109的第一引脚以及第一二极管111的负极连接,第一二极管111的正极分别与第二二极管112的负极以及第二电容110的第一引脚连接,gpio端口114分别与第二电阻106的第二引脚、发光二极管113的负极以及第二电容110的第二引脚连接,第三mos开关104的源极接地,第四电阻108的第二引脚接地,第一电容109的第二引脚接地,第二二极管112的正极接地,防护电路通过gpio端口114与穿戴设备的芯片连接;
50.防护电路用于确定芯片的工作状态,并基于芯片的工作状态对发光二极管113进行控制。
51.示例性的,如图1所示,本技术实施例还在防护电路的s1、s2、s3以及s4四个节点进行电压取样,以结合相关波形进行说明。
52.防护电路首次上电未工作时的各路径电压波形如图2所示。其中,路径1的路径顺序为电能输入端口101、第一mos开关102的源极、第一mos开关102的栅极、第四电阻108;路径2的路径顺序为电能输入端口101、第一mos开关102的源极、第一mos开关102的漏极、第二电阻106、第二电容110、第一二极管111、第三电阻107、第四电阻108;路径3的路径顺序为电能输入端口101、第一mos开关102的源极、第一mos开关102的漏极、第二电阻106、第二电容110、第一二极管111、第一电容109。由于电流流经过路径1,因此第一mos开关102导通,电流流经第一mos开关102,第二电阻106给第二电容110充电,gpio端口114的电位变成高电平。充电波形如图2中的波形s3所示,此时由于该充电路径经过第一电容109,因此第一电容109两端电压升高,同时第四电阻108两端电压也升高,如图2中的波形s2所示。
53.当健康芯片正常工作时,芯片的gpio开始开漏模式输出pwm波形,此时,pwm拉低的第一个波形如图3中的波形s3所示,gpio拉低,就有两个放电路径,其中第一放电路径的路径顺序为电能输入端口101、第一mos开关102的源极、第一mos开关102的漏极、第二电阻
106、gpio端口114;第二放电路径的路径顺序为第二二极管112、第二电容110、gpio端口114。gpio拉低之后,继而电位将缓慢爬升,爬升的过程将存在以下两个充电路径,其中第一充电路径的路径顺序为电能输入端口101、第一mos开关102的源极、第一mos开关102的漏极、第二电阻106、第二电容110、第一二极管111、第一电容109,同时给第一电容109和第二电容110充电;第二充电路径的路径顺序为电能输入端口101、第一mos开关102的源极、第一mos开关102的漏极、第二电阻106、第二电容110、第一二极管111、第三电阻107、第四电阻108,主要给第二电容110充电。继而,由于第一电容109充电,第四电阻108两端电位也提高,如图3中的波形s2所示。在第一个信号下拉之后(例如,210μs),第四电阻108两端的电压上升(例如,800mv),第三mos开关104导通,第一mos开关102截止,第二mos开关103导通。
54.其中,第三mos开关104导通的意义是为了逻辑反相,控制第二mos开关103导通。第一mos开关102截止是为了节省工作时的功耗,第一mos开关102一开始的导通只是为了芯片的gpio上拉,作为激励电平为第二电容110充电提供电能,当第二mos开关103导通后,第一mos开关102就没有了作用,只能徒增功耗,所以此时逻辑上需要第一mos开关102截止。而第二mos开关103导通是为了在正常工作时,第二mos开关103导通可以直接给发光二极管113提供电能,是主要的供电路径。
55.工作期间的各节点的正常波形如图4所示。在芯片的gpio正常开漏输出pwm波形后,第三mos开关104导通,第一mos开关102截止,第二mos开关103导通。此时有三个主要电流路径(pwm为高电平的时刻):路径1的路径顺序为电能输入端口101、第二mos开关103的源极、第二mos开关103的漏极、发光二极管113、gpio端口114,主要作用是给发光二极管113供电;路径2的路径顺序为电能输入端口101、第二mos开关103的源极、第二mos开关103的漏极、发光二极管113、第二电容110、第一二极管111、第一电容109,主要是给第二电容110和第一电容109充电;路径3的路径顺序为电能输入端口101、第二mos开关103的源极、第二mos开关103的漏极、发光二极管113、第二电容110、第一二极管111、第三电阻107、第四电阻108,主要是给第二电容110和第一电容10充电。同时,还有两个主要电流路径(pwm为低电平的时刻):路径4的路径顺序为电能输入端口101、第二mos开关103的源极、第二mos开关103的漏极、发光二极管113、gpio端口114;路径4的路径顺序为第二二极管112、第二电容110、gpio端口114。正常下电时各节点的波形如图5所示。
56.当穿戴设备不需要测试心率值、血氧值的时候,发光二极管将关闭,芯片的gpio不再开漏输出pwm。此时gpio状态将变为恒定高电平,如图5中的波形s3所示,此时整个防护电路的状态将发生变化,第一电容109不再充电,只能放电,电位持续降低,最后第三mos开关104截止,第二mos开关103截止,第一mos开关102导通,此时的电流路径如下:路径1的路径顺序为电能输入端口101、第一mos开关102的源极、第一mos开关102的栅极、第四电阻108,该路径持续放电,导致第三mos开关104和第一mos开关102的栅极电位下降,一段时间后(例如,124ms)状态发生反转;路径2的路径顺序为第二电容109、第三电阻107、第四电阻108,该路径持续通电流,第一mos开关102一直导通,为下次发光二极管113亮起做准备。
57.当芯片工作异常,导致gpio直接导参考地,或者低阻抗导参考地的时候,如图6的波形s3所示,gpio不再产生pwm信号,此时第二电容110不再充电,隔直流通交流的性能导致第一电容109只能不断放电,第三mos开关104的栅极电位下降到一定状态(例如,102ms),如图6的波形s2所示,第三mos开关104将截止,从而第二mos开关103的栅极电位抬升,如图6的
波形s1所示,最后第二mos开关103也截止,发光二极管113的电源即被切断,无法继续高亮发烫。发光二极管113的电源被切断的同时,第一mos开关102导通,为下次发光二极管113亮起做准备。
58.本技术实施例配合以下参数进行说明,需要说明的是,下列参数仅作说明使用,本技术实施例对此不做限定。可以设定异常动作时间为102ms,mos开关的栅极信号保持时间为124.5ms,上述两个数值由第一电容109的容值、第三电阻107以及第四电阻108的阻值共同决定,通过调节它们的参数可以调节时间。还可以设定mos开关的正向导通电流为660ma,栅极电压为0.61v,导通阻抗为650mω,上述数值由第二mos开关103的型号确定,可以通过更换型号调整这个数值。
59.本技术实施例中各元件作用如下:第一mos开关102作为首次启动时为第一电容109和第二电容110充电提供电源,因健康芯片的gpio一般为开漏输出,没有第一mos开关102提供高电平,将无法开启第二mos开关103为发光二极管113供电。另外,第二mos开关103在发光二极管113正常工作后将截止,从而减少上拉的持续电流消耗,有降低功耗的作用。第二mos开关103主要作为开关器件,控制发光二极管113的电源导通或者截止。第三mos开关104主要作为逻辑反相,控制第二mos开关103的导通或者截止。第一电阻105为第二mos开关103的栅极提供上拉电平。第二电阻106与第一mos开关102共同组成首次启动的提供上拉电平的电路,主要起限流的作用。第三电阻107主要驱动第一mos开关102和第三mos开关104的栅极,同时限流分压。第三电阻108主要为第一mos开关102和第三mos开关104的栅极泄放电荷,同时起分压的作用。第二电容110主要利用其电容器隔直通交的特性,健康芯片正常的时候,让pwm信号通过,为第一电容109充电;健康芯片异常的时候,阻隔不变的直流电平,无法为第一电容109充电,从而让后续电路动作保护。第一电容109主要是蓄能,为第一mos开关102和第三mos开关104的栅极提供电位信号,放电时延长栅极信号保持时间。第一二极管111主要是利用其单向导通的特性,防止gpio在低电平的时候将第一电容109的电能释放掉。第二二极管112主要是利用其单向导通的特性,在gpio低电平的时候第二电容110可以向gpio释放电荷提供环形通路,为下次gpio变成高电平为第二电容110充电做准备,假设没有第二二极管112,那么第二电容110只能充电,不能放电,那么通交流的作用将无法发挥,因为电容是需要不断充放电才能通过交流电的。
60.本技术实施例所提供的穿戴设备的防护电路,利用甄别芯片的异常信号,及时判断动作截止led的电源,能有效防止led高亮高温,灼伤烫伤人体皮肤,纯硬件电路,无需主控mcu提供io口资源,减少部线困难和复杂程度,无需软件控制,无代码成本,可靠性高,成本低廉,避免因软件bug等原因导致无法动作保护,为穿戴设备、穿戴产品用户的人身安全,加上更加有力的一道安全屏障,减少安全事故,安全客诉,安全官司等,缓解了现有技术中当穿戴设备出现故障时,其心率血氧灯易烫伤用户的技术问题。
61.图7为本技术实施例提供的一种穿戴设备的防护电路的应用方法的流程示意图,该方法可以应用于上述的防护电路,防护电路包括发光二极管和gpio端口,防护电路通过gpio端口与穿戴设备的芯片连接。如图7所示,该方法包括:
62.步骤s701,获取gpio端口的信号波形。
63.步骤s702,根据信号波形确定芯片的工作状态。
64.步骤s703,基于芯片的工作状态对发光二极管进行控制。
65.本技术实施例所提供的穿戴设备的防护电路的应用方法,利用甄别芯片的异常信号,及时判断动作截止led的电源,能有效防止led高亮高温,灼伤烫伤人体皮肤,纯硬件电路,无需主控mcu提供io口资源,减少部线困难和复杂程度,无需软件控制,无代码成本,可靠性高,成本低廉,避免因软件bug等原因导致无法动作保护,为穿戴设备、穿戴产品用户的人身安全,加上更加有力的一道安全屏障,减少安全事故,安全客诉,安全官司等,缓解了现有技术中当穿戴设备出现故障时,其心率血氧灯易烫伤用户的技术问题。
66.在一些实施例中,信号波形可以包括多种类型,从而可以较为灵活的响应芯片的工作状态,从而对发光二级管进行有效的控制,防止烫伤用户。作为一种示例,信号波形包括下述任意一项或多项:
67.恒定高电平波形、pwm波形、恒定低电平波形。
68.示例性的,通过利用不同的信号波形反应芯片的不同工作状态,可以使防护电路根据信号波形快速响应芯片的工作状态,对发光二级管进行有效的控制,防止烫伤用户。
69.在一些实施例中,防护电路可以通过gpio端口的信号波形,精准的判断出芯片的工作状态,从而快速响应,对发光二级管进行有效的控制,防止烫伤用户。作为一种示例,上述步骤s702具体可以包括如下步骤:
70.步骤a),如果信号波形为恒定高电平波形,则确定芯片处于上电未工作状态。
71.步骤b),如果信号波形为pwm波形,则确定芯片处于正常工作状态。
72.步骤c),如果信号波形为恒定低电平波形,则确定芯片处于异常工作状态。
73.示例性的,如果防护电路从gpio端口获取的信号波形为恒定高电平波形,则防护电路可以确定芯片处于上电未工作状态;如果防护电路从gpio端口获取的信号波形为pwm波形,则防护电路可以确定芯片处于正常工作状态;如果防护电路从gpio端口获取的信号波形为恒定低电平波形,则防护电路可以确定芯片处于异常工作状态。
74.通过根据gpio端口的信号波形,精准的判断出芯片的工作状态,从而快速响应,对发光二级管进行有效的控制,防止烫伤用户。
75.在一些实施例中,防护电路通过检测信号波形为恒定高电平波形,从而确定芯片处于上电未工作状态,进而对发光二极管进行响应的控制。作为一种示例,信号波形为恒定高电平波形,芯片处于上电未工作状态;上述步骤s703具体可以包括如下步骤:
76.步骤d),响应于芯片处于上电未工作状态,控制发光二极管保持熄灭。
77.示例性的,如果防护电路根据恒定高电平信号波形确定芯片处于上电未工作状态,则可以保持发光二极管处于为工作熄灭状态,防止烫伤用户。
78.在一些实施例中,防护电路通过检测信号波形为pwm波形,从而芯片处于正常工作状态,进而对发光二极管进行响应的控制。作为一种示例,信号波形为pwm波形,芯片处于正常工作状态;上述步骤s703具体可以包括如下步骤:
79.步骤e),响应于芯片处于正常工作状态,控制发光二极管持续工作。
80.示例性的,如果防护电路根据pwm信号波形确定芯片处于正常工作状态,则可以控制发光二极管正常工作,为用户进行心率测量、血氧测量。
81.在一些实施例中,防护电路通过检测信号波形为恒定低电平波形,从而芯片处于异常工作状态,进而对发光二极管进行响应的控制。作为一种示例,信号波形为恒定低电平波形,芯片处于异常工作状态;上述步骤s703具体可以包括如下步骤:
82.步骤f),响应于芯片处于异常工作状态,控制发光二极管熄灭。
83.示例性的,如果防护电路根据恒定低电平信号波形确定芯片处于异常工作状态,则可以控制发光二极管及时熄灭,防止烫伤用户。
84.图8为本技术实施例提供的一种穿戴设备的防护电路的应用装置的结构示意图,该装置可以应用于上述的防护电路,防护电路包括发光二极管和gpio端口,防护电路通过gpio端口与穿戴设备的芯片连接。如图8所示,该装置包括:
85.获取模块801,用于获取gpio端口的信号波形。
86.确定模块802,用于根据信号波形确定芯片的工作状态。
87.控制模块803,用于基于芯片的工作状态对发光二极管进行控制。
88.在一些实施例中,信号波形包括下述任意一项或多项:
89.恒定高电平波形、pwm波形、恒定低电平波形。
90.在一些实施例中,确定模块802具体用于:
91.如果信号波形为恒定高电平波形,则确定芯片处于上电未工作状态;
92.如果信号波形为pwm波形,则确定芯片处于正常工作状态;
93.如果信号波形为恒定低电平波形,则确定芯片处于异常工作状态。
94.在一些实施例中,信号波形为恒定高电平波形,芯片处于上电未工作状态;控制模块803具体用于:
95.响应于芯片处于上电未工作状态,控制发光二极管保持熄灭。
96.在一些实施例中,信号波形为pwm波形,芯片处于正常工作状态;
97.响应于芯片处于正常工作状态,控制发光二极管持续工作。
98.在一些实施例中,信号波形为恒定低电平波形,芯片处于异常工作状态;
99.响应于芯片处于异常工作状态,控制发光二极管熄灭。
100.本发明实施例所提供的装置,其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同,为简要描述,系统实施例部分未提及之处,可参考前述方法实施例中相应内容。
101.本发明实施例提供了一种电子设备,具体的,该电子设备包括处理器和存储装置;存储装置上存储有计算机程序,计算机程序在被处理器运行时执行如上实施方式的任一项的方法。
102.图9为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图,该电子设备包括:处理器901,存储器902,总线903和通信接口904,处理器901、通信接口904和存储器902通过总线903连接;处理器901用于执行存储器902中存储的可执行模块,例如计算机程序。
103.其中,存储器902可能包含高速随机存取存储器(ram,random access memory),也可能还包括非不稳定的存储器(non-volatile memory),例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个通信接口904(可以是有线或者无线)实现该系统网元与至少一个其他网元之间的通信连接,可以使用互联网,广域网,本地网,城域网等。
104.总线903可以是isa总线、pci总线或eisa总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示,图9中仅用一个双向箭头表示,但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
105.其中,存储器902用于存储程序,处理器901在接收到执行指令后,执行程序,前述本发明实施例任一实施例揭示的流过程定义的装置所执行的方法可以应用于处理器901
中,或者由处理器901实现。
106.处理器901可能是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力。在实现过程中,上述方法的各步骤可以通过处理器901中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器901可以是通用处理器,包括中央处理器(central processing unit,简称cpu)、网络处理器(network processor,简称np)等;还可以是数字信号处理器(digital signal processing,简称dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit,简称asic)、现成可编程门阵列(field-programmable gate array,简称fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成,或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器,闪存、只读存储器,可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器902,处理器901读取存储器902中的信息,结合其硬件完成上述方法的步骤。
107.本发明实施例所提供的可读存储介质的计算机程序产品,包括存储了程序代码的计算机可读存储介质,程序代码包括的指令可用于执行前面方法实施例中的方法,具体实现可参见前述方法实施例,在此不再赘述。
108.功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:u盘、移动硬盘、只读存储器(rom,read-only memory)、随机存取存储器(ram,random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
109.最后应说明的是:以上实施例,仅为本发明的具体实施方式,用以说明本发明的技术方案,而非对其限制,本发明的保护范围并不局限于此,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改、变化或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

技术特征:


1.一种穿戴设备的防护电路,其特征在于,包括:电能输入端口、第一mos开关、第二mos开关、第三mos开关、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、发光二极管以及gpio端口;所述电能输入端口分别与所述第一mos开关的源极、所述第一电阻的第一引脚以及所述第二mos开关的源极连接,所述第一mos开关的漏极与所述第二电阻的第一引脚连接,所述第一mos开关的栅极分别与所述第三mos开关的栅极、所述第三电阻的第一引脚以及所述第四电阻的第一引脚连接,所述第一电阻的第二引脚分别与所述第二mos开关的栅极以及所述第三mos开关的漏极连接,所述第二mos开关的漏极与所述发光二极管的正极连接,所述第三电阻的第二引脚分别与所述第一电容的第一引脚以及所述第一二极管的负极连接,所述第一二极管的正极分别与所述第二二极管的负极以及所述第二电容的第一引脚连接,所述gpio端口分别与所述第二电阻的第二引脚、所述发光二极管的负极以及所述第二电容的第二引脚连接,所述第三mos开关的源极接地,所述第四电阻的第二引脚接地,所述第一电容的第二引脚接地,所述第二二极管的正极接地,所述防护电路通过所述gpio端口与所述穿戴设备的芯片连接;所述防护电路用于确定所述芯片的工作状态,并基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制。2.一种穿戴设备的防护电路的应用方法,其特征在于,应用于如权利要求1所述的防护电路,所述防护电路包括发光二极管和gpio端口,所述防护电路通过所述gpio端口与所述穿戴设备的芯片连接;所述方法包括:获取所述gpio端口的信号波形;根据所述信号波形确定所述芯片的工作状态;基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述信号波形包括下述任意一项或多项:恒定高电平波形、pwm波形、恒定低电平波形。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述信号波形确定所述芯片的工作状态的步骤,包括:如果所述信号波形为恒定高电平波形,则确定所述芯片处于上电未工作状态;如果所述信号波形为pwm波形,则确定所述芯片处于正常工作状态;如果所述信号波形为恒定低电平波形,则确定所述芯片处于异常工作状态。5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述信号波形为恒定高电平波形,所述芯片处于上电未工作状态;所述基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制的步骤,包括:响应于所述芯片处于上电未工作状态,控制所述发光二极管保持熄灭。6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述信号波形为pwm波形,所述芯片处于正常工作状态;所述基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制的步骤,包括:响应于所述芯片处于正常工作状态,控制所述发光二极管持续工作。7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述信号波形为恒定低电平波形,所述芯片处于异常工作状态;所述基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制的步骤,包括:
响应于所述芯片处于异常工作状态,控制所述发光二极管熄灭。8.一种穿戴设备的防护电路的应用装置,其特征在于,应用于如权利要求1所述的防护电路,所述防护电路包括发光二极管和gpio端口,所述防护电路通过所述gpio端口与所述穿戴设备的芯片连接;所述装置包括:获取模块,用于获取所述gpio端口的信号波形;确定模块,用于根据所述信号波形确定所述芯片的工作状态;控制模块,用于基于所述芯片的工作状态对所述发光二极管进行控制。9.一种电子终端,包括存储器、处理器,所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述权利要求2至7任一项所述的方法的步骤。10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机可运行指令,所述计算机可运行指令在被处理器调用和运行时,所述计算机可运行指令促使所述处理器运行所述权利要求2至7任一项所述的方法。

技术总结


本发明提供了一种穿戴设备的防护电路及其应用方法,涉及穿戴设备技术领域,缓解了现有技术中当穿戴设备出现故障时,其心率血氧灯易烫伤用户的技术问题。该防护电路包括:电能输入端口、第一MOS开关、第二MOS开关、第三MOS开关、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、发光二极管以及GPIO端口;防护电路通过GPIO端口与芯片连接;防护电路用于确定芯片的工作状态,并基于芯片的工作状态对发光二极管进行控制,通过获取芯片异常情况的特殊状态信号,同时给予及时的关断措施,可以及时有效的防止高亮高温的心率绿灯、血样红灯、心率红外灯等烫伤用户。伤用户。伤用户。


技术研发人员:

ꢀ(74)专利代理机构

受保护的技术使用者:

广东乐心医疗电子股份有限公司

技术研发日:

2022.08.30

技术公布日:

2022/11/22

本文发布于:2024-09-22 15:47:27,感谢您对本站的认可!

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