⼆极管的型号命名⽅法
（1）按照国产半导体器件型号命名⽅法：⼆极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同⼀类产品的档次）。
（2）⽇本半导体器件命名型号由以下5部分组成：
第⼀部分：⽤数字表⽰半导体器件有效数⽬和类型；“1”表⽰⼆极管，“2”表⽰三极管。
第⼆部分：⽤“S”表⽰已在⽇本电⼦⼯业协会登记的半导体器件；
第三部分：⽤字母表⽰该器件使⽤材料、极性和类型；
第四部分：表⽰该器件在⽇本电⼦⼯业协会的登记号；
第五部分：表⽰同⼀型号的改进型产品。
⼆极管的参数选择
额定正向⼯作电流指⼆极管长期连续⼯作时允许通过的最⼤正向电流值。
锂电保护芯片（2）最⼤浪涌电流
最⼤浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，⽽是瞬间电流。其值通常是额定正向⼯作电流的20倍左右。
加在⼆极管两端的反向⼯作电压⾼到⼀定值时，管⼦将会击穿，失去单向导电能⼒。为了保证使⽤安全，规定了最⾼反向⼯作电值。例如，lN4001⼆极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。
（4）反向电流
反向电流是指⼆极管在规定的温度和最⾼反向电压作⽤下，流过⼆极管的反向电流。反向电流越⼩，管⼦的单⽅向导电性能越好。
反向电流与温度密切相关，⼤约温度每升⾼10℃，反向电流增⼤⼀倍。
硅⼆极管⽐锗⼆极管在⾼温下具有较好的稳定性。
（5）反向恢复时间
从正向电压变成反向电压时，电流⼀般不能瞬时截⽌，要延迟⼀点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响⼆极管的开关速度。
（6）最⼤功率
最⼤功率就是加在⼆极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压⼆极管等显得特别。
（7）频率特性
由于结电容的存在，当频率⾼到某⼀程度时，容抗⼩到使 PN 结短路。导致⼆极管失去单向导电性，不能⼯作，PN 结⾯积越⼤，结电容也越⼤，越不能在⾼频情况下⼯作。
肖特基⼆极管与普通⼆极管的区别
硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基⼆极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。
两种⼆极管都是单向导电，可⽤于整流场合。区别是普通硅⼆极管的耐压可以做得较⾼，但是它的恢复速度低，只能⽤在低频的整流上，如果是⾼频的就会因为⽆法快速恢复⽽发⽣反向漏电，最后导致管⼦严重发热烧毁；肖特基⼆极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以⽤在⾼频场合，故开关电源采⽤此种⼆极管作为整流输出⽤，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很⾼的。
快恢复⼆极管是指反向恢复时间很短的⼆极管(5us以下)，⼯艺上多采⽤掺⾦措施，结构上有采⽤PN
结型结构，有的采⽤改进的PIN结构。其正向压降⾼于普通⼆极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基⼆极管是以⾦属和半导体接触形成的势垒为基础的⼆极管，简称肖特基⼆极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，⽽且反向漏电流较⼤，耐压低，⼀般低于150V，多⽤于低电压场合。 这两种管⼦通常⽤于开关电源。 肖特基⼆极管和快恢复⼆极管区别：前者的恢复时间⽐后者⼩⼀百倍左右，前者的反向恢复时间⼤约为⼏纳秒~! 前者的优点还有低功耗，⼤电流，超⾼速~!电⽓特性当然都是⼆极管阿~!快恢复⼆极管在制造⼯艺上采⽤掺⾦，单纯的扩散等⼯艺，可获得较⾼的开关速度，同时也能得到较⾼的耐压.⽬前快恢复⼆极管主要应⽤在逆变电源中做整流元件。
4、肖特基⼆极管与快恢复⼆极管的区别
肖特基⼆极管：
反向耐压值较低(⼀般⼩于150V)，通态压降0.3-0.6V，⼩于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“⾦属半导体结”的⼆极管。其正向起始电压较低。
其⾦属层除材料外，还可以采⽤⾦、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采⽤硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流⼦导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流⼦导电的
PN结⼤得多。由于肖特基⼆极管中少数载流⼦的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因⽽，它是⾼频和快速开关的理想器件。其⼯作频率可达100GHz。并且，MIS（⾦属－绝缘体－半导体）肖特基⼆极管可以⽤来制作太阳能电池或发光⼆极管。
快恢复⼆极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截⽌之间迅速转换，提⾼了器件的使⽤频率并改善了波形。快恢复⼆极管在制造⼯艺上采⽤掺⾦，单纯的
扩散等⼯艺，可获得较⾼的开关速度，同时也能得到较⾼的耐压.
无菌检查薄膜过滤器⽬前快恢复⼆极管主要应⽤在逆变电源中做整流元件.
快恢复⼆极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流⼤、体积⼩、安装简便等优点。超快恢复⼆极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复⼆极管基础上发展⽽成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基⼆极管的指标。它们可⼴泛⽤于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、⾼频加热等装置中，作⾼频、⼤电流的续流⼆极管或整流管，是极有发展前途的电⼒、电⼦半导体器件。
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肖特基⼆极管：反向耐压值较低(⼀般⼩于 150V)，通态压降 0.3-0.6V，⼩于 10nS 的反向恢复 时间。
m型钢它是有肖特基特性的“⾦属半导体结”的⼆极管。其正向起始电压较低。其⾦属层除材料外， 还可以采⽤⾦、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采⽤硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由多数载流⼦导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流⼦导电的 PN 结⼤得多。由于肖特基⼆极管中少数载流⼦的存贮效应甚微，所以其频率响仅为 RC 时间常数限制，因⽽，它是⾼频和快速开关的理想器件。其⼯作频率可达 100GHz。并
且，MIS（⾦属－绝缘体－半导体）肖特基⼆极管可以⽤来制作太阳能电池或发光⼆极管。
快恢复⼆极管：有 0.8-1.1V 的正向导通压降，35-85nS 的反向恢复时间，在导通和截⽌之间 迅速转换，提⾼了器件的使⽤频率并改善了波形。快恢复⼆极管在制造⼯艺上采⽤掺⾦，单纯的 扩散等⼯艺，可获得较⾼的开关速度，同时也能得到较⾼的耐压.⽬前快恢复⼆极管主要应⽤在逆 变电源中做整流元件.快恢复⼆极管 FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性 好，反向恢复时间短、正向电流⼤、体积⼩、安装简便等优点。超快恢复⼆极管 SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复⼆极管基础上发展⽽成的，其反向恢复时间 trr 值已接近于肖特 基⼆极管的指标。它们可⼴泛⽤于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流 电动机变频调速（VVVF）、⾼频加热等装置中，作⾼频、⼤电流的续流⼆极管或整流管，是极 有发展前途的电⼒、电⼦半导体器件。
总结
双模具
⼀、的优点：器件本⾝具有很⾼的开关频率，⽽且它的反向击穿电压⽐较的低。同时因为技术的不断改进，对新型材料的使⽤，使得肖特基⼆极管本⾝充满了⽣机以及很强的竞争⼒。
⼆、肖特基的不⾜：在运⾏的过程中，肖特基⼆极管的反向偏压⽐较的低，同时它的反向漏电流却是⽐较⼤的，⽽且在实际的操作过程中它容易产⽣发热的现象，对器件的运作和效率都会造成⼀定的影响。
肖特基⼆极管的单向导电性，电源接反了直接导通肖特基⼆极管，保护后级电路，其实这⾥肖特基⼆极管主要起过压吸收作⽤，异常电压或⾼谐波超过肖特基⼆极管击穿电压时，肖特基⼆极管导通，保护电路以免击穿。当电压反接之后，肖特基⼆极管与5V的输出端是并联电路，⽽肖特基⼆极管的阻抗要⼩，所以分流较多，从⽽保护输出端。
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