半导体激光器的历史状况及应用

半导体激光器的历史状况及应用
作者:石飞飞
来源:《科技传播》2010年第隧道定位14
        摘要 在近几十年来,半导体激光技术得到了十分迅速的发展,在现实生活中的很多领域都有十分广泛的应用,而且在未来的生活中也会扮演着重要的角。本文主要介绍了半导体激光器的历史现状及现实生活中的应用,以此来说明半导体激光器的重要性。
        关键词 半导体激光器;历史状况;运用
        中图分类号TN248.4 文献标识码A 文章编号 1674-6708(2010)23-0152-01
       
        0 引言
        激光器的结构从同质结发展成单异质结、双异质结、量子阱(单、多量子阱) 等多种形式,制作方法从扩散法发展到液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化
合物气相淀积(MOCVD)、化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺[5]。半导体激光器的应用范围十分广泛,而且由于它的体积小,结构简单载人旅行箱,输入能量低,懒人运动机寿命长,易于调制和价格低等优点,使它已经成为当今光电子科学的核心技术,受到了世界各国的高度重视。
        1 半导体激光器的历史
        半导体激光器又称激光二极管(LD)。随着半导体物理的发展,人们早在20世纪50年代就设想发明半导体激光器。
        20世纪60年代初期的半导体激光器是同质结型激光器,是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器。在19627月召开的固体器件研究国际会议上,美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯(Keyes)和奎斯特(Quist)报告了砷化镓材料的光发射现象。
        半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器变速箱线束,它是由两种不同带隙的半导体材料薄层,GaAs,GaAlAs所组成的激光器。单异质结注人型激光器(SHLD),它是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsPN结的P区之内,以此来降低阀值电流密度的激光器。

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标签:激光器   半导体   异质   发展
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