•一、填空题
•罐笼防坠器1.禁带宽度的大小决定着（ 电子从价带跳到导带 ）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
•2.硅片减薄腐蚀液为和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用( 硫酸 )系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
•3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（ 氧化物 ），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
•4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（ 组装 ）。 •5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（ 导电胶粘接 ）、( 银浆烧结 )等。
•6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于 )同类电极系统的楔刀焊接。
•7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度 )两项试验。
•8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格 )。
•9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度 )控制。
•10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性 )设计也包含在这三部分中间。 •11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化 铍陶瓷 )，氮化铝(A1N)陶瓷。 •12.微波混合集成电路是指工作频率从300 ～100 的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数 )微波混合集成电路两类。
•13.电机减速机构外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（ 不够 ）；反应室漏气；外延层的晶体（ 质量背胶橡皮布
差 ）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（ 平均投影射程 ）和（ 平均投影标准差 ）。
•地磁指数预报15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（ 氧化 ）、（气相 ）淀积、淀积。
•16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（ 结介质 ）（ 结隔离 ）（ 结介质混合 ）隔离等三种基本方法.
•17、最常用的金属膜制备方法有（电阻 ）加热蒸发、（ 电子束 ）蒸发、（溅射 ）。
•18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（ 含有硅的化合物 ）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
•19 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（ 替位 ）扩散和（ 间隙 ）扩散两种。
•20 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（ 元素 ）半导体、（ 化合物 ）半导体、固溶半导体三大类。
•延生长方法比较多，其中主要的有（ 化学气相 ）外延、（ 液相 ）外延、金属有机化学气相外延、（ 分子束 ）外延、原子束外延、固相外延等。火锅红
•气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（ 完整 ）性、（ 成品 ）率，并影响其电学性能和（ 可靠性 ）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
•二、判断题
•1． 双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。( F )
•2． 逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。( T )
•3． 晶体的特点是在各个晶向上的物理性能、机械性能、化学性能相同。 ( F )
•4． 门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列。( T )
•5． 晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。( F )。
•6． 目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装 后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。( T )
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