1适用范围
本标准规定了电子工业的水污染物排放控制要求、监测要求和监督管理要求。
本标准适用于现有的电子工业企业、生产设施或研制线的水污染物排放管理，以及电子工业建设项目的环境影响评价、环境保护设施设计、竣工环境保护验收、排污许可证核发及其投产后的水污染物排放管理。 电子工业污水集中处理设施的水污染物排放管理适用于本标准。 本标准规定的水污染物排放控制要求适用于电子工业企业、电子工业污水集中处理设施直接或间接向其法定边界外排放水污染物的行为。
3术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
3.1电子工业electronic industry
本标准中电子工业指电子专用材料、电子元件、印制电路板、半导体器件、显示器件及光电子器件、电子终端产品等六类电子产品制造业。
3.2电子专用材料special electronic material
具有特定要求且仅用于电子产品的材料，不包括生产电子专用材料的原材料的生产制造。根据其作用与用途，可分为电子功能材料、互联与封装材料、工艺与辅助材料。具体产品范围见附录A。
3.3电子元件electronic component
电子电路中具有控制、变换和传输电压或电流等独立功能的单元。包括电阻器、电容器、电子变压器、电感器、压电晶体元器件、电子敏感元器件与传感器、电接插元件、控制继电器、微特电机与组件、电声器件等。
3.4印制电路板printed circuit board（PCB）
在绝缘基材上，按预定设计形成印制元件、印制线路或两者结合的导电图形的印制电路或印制线路成品板。包括刚性板与挠性板，又可分为单面印制电路板、双面印制电路板、多层印制电路板，以及刚挠结合印制电路板和高密度互连（high density interconnector，HDI）印制电路板等。
3.5半导体器件semiconductor device
利用半导体材料的特殊电特性制造的具有特定功能的电子器件。包括分立器件和集成电路两大类产品。
3.6显示器件display device
基于电子手段呈现信息供视觉感受的器件。包括薄膜晶体管液晶显示器件、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件、有机发光二极管显示器件、真空荧光显示器件、场发射显示器件、等离子显示器件、曲面显示器件以及柔性显示器件等。
3.7光电子器件photoelectronic device
利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。包括发光二极管；半导体光电器件中的光电转换器、光电探测器等；激光器件中的气体激光器件、半导体激光器件、固体激光器件、静电感应器件等；光通信电路及其他器件；半导体照明器件等。
3.8电子终端产品electronic terminal product
以印制电路板组装工艺技术为基础装配的具有独立应用功能的电子产品或组件。包括通信设备、雷达设备、广播电视设备、电子计算机、视听设备等。
3.9现有企业existing facility
本标准实施之日前已建成投产或环境影响评价文件已通过审批的电子工业企业、生产设施或研制线，以及电子工业污水集中处理设施。
3.10新建企业new facility
本标准实施之日起环境影响评价文件通过审批的新建、改建和扩建电子工业或电子工业污水集中处理设施建设项目。
3.11直接排放direct discharge
3.12间接排放indirect discharge
排污单位向污水集中处理设施排放水污染物的行为。
3.13污水集中处理设施concentrated wastewater treatment facilities
为两家及两家以上排污单位提供污水处理服务的污水处理设施，包括各种规模和类型的城镇污水集中处理设施、工业集聚区（经济技术开发区、高新技术产业开发区、出口加工区等各类工业园区）污水集中处理设施，以及其他由两家及两家以上排污单位共用的污水处理设施等。
3.14电子工业污水集中处理设施concentrated wastewater treatment facilities for electronic industry
专门为两家及两家以上电子工业排污单位提供污水处理服务的污水集中处理设施。
3.15排水量effluent volume
企业或生产设施向企业法定边界以外排放的废水的量，包括与生产有直接或间接关系的各种外排废水（含厂区生活污水、冷却污水、厂区锅炉排水等）。
3.16单位产品基准排水量benchmark effluent volume per unit product
用于核定水污染物排放浓度而规定的生产单位产品的排水量上限值。
3.17稀释倍数dilution level
原水样占稀释后水样总体积分数的倒数，一般用D来表示。例如，水样未稀释，则稀释倍数D=1；取250ml水样稀释至1000ml（即体积分数为25%），则稀释倍数D=4。
3.18最低无效应稀释倍数lowest ineffective dilution
恒温水浴摇床测试中不产生测试效应的最低稀释倍数，本标准指不少于90%的斑马鱼卵存活时水样的最低稀释倍数，
用LID表示。
4水污染物排放控制要求
4.1新建企业自2021年7月1日起，现有企业自2024年1月1日起，执行表1规定的水污染物排放限值及其他污染控制要求。
表1水污染物排放限值
单位：mg/L （pH 值除外）
序号
污染物项目
排放限值
污染物排放监控位置
直接排放
间接排放(1)电子专用材料
电子元件
印制电路板
半导体器件
显示器件及光电子器件
电子终端产品
电子专用材料
电子元件
印制电路板
半导体器件
显示器件及光电子器件
电子终端产品
1pH 值 6.0～9.0 6.0～9.0企业废水总排放口
2悬浮物（SS ）704003石油类 5.0204化学需氧量（COD Cr ）1005005总有机碳（TOC ）302006氨氮25457总氮35708总磷 1.08.09阴离子表面活性剂（LAS ） 5.02010总0.5 1.011硫化物----
1.0 1.0
--------
1.0 1.0
----12氟化物10--20--13总铜0.50.5(2) 2.0 2.0(2)14总锌 1.5
1.5
折叠音箱-- 1.5
1.5
1.5(2) 1.5
1.5
-- 1.5
1.5
1.5(2)15总铅0.20.2(2)0.20.2(2)车
间或生产设施排放口
16总镉0.050.05--0.05--0.05(2)0.050.05--0.05--0.05(2)17总铬 1.0 1.0-- 1.0-- 1.0(2) 1.0 1.0-- 1.0-- 1.0(2)18六价铬0.20.2--0.2--0.2(2)0.20.2--0.2--0.2(2)19总砷0.5
泡泡溶液0.5
--0.5
0.5
--0.5
0.5
--0.5
0.5
--20总镍0.50.5(2)0.50.5(2)21
总银
0.3
0.3(2)
0.3
0.3(2)
注：(1)当企业废水排向城镇污水集中处理设施时，执行本表规定的间接排放限值。
当企业废水排向电子工业污水集中处理设施时，第1-14项指标可协商确定间接排放限值，未协商的执行本表规定的间接排放限值。如果企业含总铅、总镉、总铬、六价铬、总砷、总镍、总银中任一种污染物的污水，实行分类收集、专管专送和分质集中预处理，且在企业出口端和电子工业污水集中处理设施入口端均对水质及水量进行监测，则第15-21项指标可协商确定间接排放限值，未协商的执行本
表规定的间接排放限值；电子工业污水集中处理设施的分质集中预处理单元出口执行本表规定的排放限值。
当企业废水排向其他污水集中处理设施时，第1-8项指标可协商确定间接排放限值，未协商的指标以及第9-21项指标执行本表规定的间接排放限值。
(2)
适用于有电镀、化学镀工艺的电子终端产品生产企业。
4.2新建企业自2021年7月1日起，现有企业自2024年1月1日起，执行表2规定的单位产品基准
排水量。
表2
单位产品基准排水量
序号适用企业产品规格
单位单位产品基准排水量
排水量计量位置
1
电子专用材料
硅单晶材料、压电晶体材料、蓝宝石基片m 3/t 产品2200与污染物排放监控位置一致
电子铜箔
m 3/t 产品100铝电解电容器电极箔
m 3/m 20.15含电镀工艺的钕铁硼磁性材料m 3/t 产品100其他
m 3/t 产品 5.02电子元件
压电晶体元器件m 3/万只产品 3.5其他m 3/万只产品0.23
印制电路板
(1)
单面板m 3/m 20.22双面板
m 3/m 20.78多层板（（2+n ）层）
m 3/m 2（0.78+0.39n ）高密度互连（HDI ）板（（2+n ）层）m 3/m 2（0.85+0.59n ）
集成电路（IC ）封装载板m 3/m 2 5.04
半导体器件
6英寸及以下芯片m 3/片 3.28英寸芯片
m 3/片CL在性方面是什么意思
6.012英寸芯片掩膜层数35层及以下m 3/片11掩膜层数35层以上20封装产品
传统封装产品
m 3/千块产品
2.0圆片级封装产品
m 3/片11分立器件
m 3/万块产品
3.55
显示器件及光电子器件
薄膜晶体管液晶显示器件（TFT-LCD ）
(2)
m 3/m 2
（以彩膜玻璃基板或阵列玻璃基板投入面积较大的计）0.36m (3)/3.5(4)/6.2(5)
有源矩阵有机发光二极管显示器件（AMOLED ）m 3/m 2
（以阵列玻璃基板投入面积计）
12发光二极管（LED ）
m 3/万粒0.56
电子终端产品
含电镀工艺的计算机及其他电子设备
m 3/m 2（镀件镀层）
0.2
注：(1)表中数值为刚性印制电路板的基准排水量，挠性印制电路板和刚挠结合印制电路板的基准排水量，按本表所列数值增加35%执行。表中n 为正整数，2+n 为印制电路板层数，如对于6层的多层板，n 为4；HDI 板层数包含芯板；刚挠板层数以刚性或挠性的最多层数计算。
双模卡(2)表中数值对应的工艺过程包括阵列-彩膜-成盒-模块。
(3)本限值对应6代以上a-Si -TFT-LCD 和Oxide -TFT-LCD 生产企业，m 为正整数，代表光刻次数。(4)本限值对应6代及以下a-Si -TFT-LCD 生产企业。(5)
本限值对应6代及以下LTPS-TFT-LCD 生产企业。
4.3 新建和现有电子工业污水集中处理设施运营单位自 2024 年 1 月 1 日起，按照表 3 监测废水的综合
毒性，每年监测不少于一次，并将监测结果报送当地生态环境主管部门。该项目为指导性指标，运营单位根据监测结果采取相应的控制措施。
表3
综合毒性控制项目
序号控制项目名称排放水平参考值
监测位置1
斑马鱼卵急性毒性
(1)
≤6
企业废水总排放口防辐射材料
注：（1）
以最低无效应稀释倍数来表征，在26℃±1℃的条件下培养48h ，不少于90%的斑马鱼卵存活时水样的最低稀释倍数。
4.4水污染物排放限值适用于单位产品实际排水量不高于单位产品基准排水量的情况。若单位产品实
际排水量超过单位产品基准排水量，须按公式（1）将实测水污染物浓度换算为水污染物基准排水量排放浓度，并以水污染物基准排水量排放浓度作为判定排放是否达标的依据。产品产量和排水量统计周期为一个工作日。
在企业的生产设施同时生产两种以上产品，可适用不同排放控制要求或不同行业国家污染物排放标准，且生产设施产生的污水混合处理排放的情况下，应执行排放标准中规定的最严格的浓度限值，并按公式（1）换算为水污染物基准排水量排放浓度。
实
i 基
i 总
基C Q Y Q C ⨯=
∑（1）
式中：
C 基——水污染物基准排水量排放浓度，mg/L ；Q 总——实测排水总量，m 3；
i Y ——第i 种产品产量，单位见表2；
i Q 基——第i 种产品的单位产品基准排水量，单位见表2；实C ——实测水污染物排放浓度，mg/L 。
若Q 总与∑基
i i
Q
Y 的比值小于1，则以水污染物实测浓度作为判定排放是否达标的依据。
5水污染物监测要求
5.1
企业应按照有关法律和《环境监测管理办法》等规定，建立企业环境监测制度，制定监测方案，
对污染物排放状况及其对周边环境的影响按要求开展自行监测，保存原始监测记录。对于石油类、总氮、阴离子表面活性剂、总有机碳、硫化物，重点排污单位的自行监测频次至少为每月一次，其他排污单位至少为每年一次。5.2
新建企业和现有企业安装污染物排放自动监控设备的要求，按有关法律和《污染源自动监控管理
办法》的规定执行。重点排污单位应当安装重点水污染物排放自动监测设备，与生态环境主管部门的监控设备联网，并保障监测设备正常运行。5.3水污染物的监测采样点的设置与采样方法按HJ 91.1、HJ 493、HJ 494、HJ 495的规定执行。企业
应按照环境监测管理规定和技术规范的要求，设计、建设、维护永久性采样口（排污口）、采样测试平
台。
5.4企业产品产量的核定，应以法定报表为依据。
5.5对企业排放水污染物浓度的测定采用表4所列的方法标准。
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