ACTIVE AREA主动区(工作区)
主动晶体管 (ACTIVE FRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(active area)在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由，一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOS OXIDATION)所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤．所以 Active AREA会受到鸟嘴(BIRD’S BEAK)之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来得小以长0.6UM之场区氧化而言大概会有O.5 UM之BIRD'S BEAK存在也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩定义之区域小O.5UM
Acetone丙酮
1.丙碗是有机溶剂的一种，分子式为CH30HCH3
2.性质：无，具剌激性薄荷臭味之液体
3.用途：在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭 4印刷制版机﹒毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。
5﹒允许浓度 :1000ppm
ADI显影后检查
After Developing Inspection之缩写
目的：检查黄光室制程;光阻覆盖对准曝光弓显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。 方法：利用目检、显微镜为之。
AEI蚀刻后检查
1. AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。 2. AEI燃气吹灰器之目的有四：
2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针。
2-4防止异常扩大，节省成本
3. 通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低之缺点。
Air Shower空气洗尘室
进入洁净室之前，须穿无尘衣，因在外面更衣室之故﹒无尘衣上沽着尘埃，故进洁净室之前﹒须经空气喷洗机将尘埃吹掉。
Alignment对准
目的：在IC的制造过程中，必须经过6至10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。 方法：利用芯片上的对准键﹒一般用十字键﹒和光罩上的对准键合对为之
方式：1.人眼对准，
2.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。
ALLOY/Sinter融合
ALLOY之目的在使铝与硅基（SILICON SUBSTRATE）之接钢有OHMIIC特性，即电压与电流成线性关系。
ALLOY也可降低接触的阻力值。
AL/SI铝/硅 靶
此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用AR游离的离子，让其撞击此靶的表面，把AL/SI的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为AL/SI(1%)，将此当做组件与外界导线连接。
AL/SI/CU铝/硅/铜
金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成份为0.5% 铜，1% 硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝 1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(ELEC TROMIGRATION) 故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移
ALUMINUM铝
此为金属溅镀时，所使用的一种金属材料，利用AR离子，让其撞击此种材料做成的靶表面﹒把AL原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此做为组件与外界导线之连接。
ANGLE LAPPING角度研磨
ANGLELAPPING 的目的是为了测量JUNCTION的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之ANAGLE LAPPING。公式为Xj =/NF，即JUNCTION深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都
无法因应，如SRP(SPREADING RESISTANCE PRQBING) 也是应用﹒ANGLE LAPPING的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻质的对应关系求出JUNCTION的深度，精确度远超过入射光干涉法。
ANGSTROM埃
探头板是一个长度单位，其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度之伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时用。
APCVD (ATMOSPRESSURE)常压化学气相沉积
APCVD 为 ATMOSPHERE(大气), PRESSURE （压力）, CHEMICAL (化学), VAPOR(气相) 及 DEPOSITION (沉积) 的缩写， 也就是说， 反应气体(如 SIH4(g)，PH3（g）, B2H6和 O2 （g）) 在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物 (如 BPSG)于芯片上。
As75砷
．自然界元素之一。由33个质子﹒42个中子及75个电子所组成。
．半导体工业用的砷离子(As+)可由AsH气体分解而得到。
．As是N-type dopant常用做N．场区﹒空乏区﹒及S/D植入。
Ashing, Stripping电浆光阻去除
l.电浆光阻去除，就是以电浆(Plasma)的方式﹒将芯片表面之光阻加以去除。
2. 电浆光阻去除的原理﹒系利用氧气在电浆中所产生之自由基(Radical)与光阻(高分子的有机物)发生作用，产生挥发性的气体，再由邦浦抽走，达到光阻去除的目的。反应机构如下示:
O + PR CO2 ; H2O ; Polymer fragments，---
3. 电浆光阻去除的生产速率(throughput)通常较酸液光阻去除为慢﹒但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后﹒表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻﹒无法将表面已变质之光阻加以去除﹒故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
划线仪Assembly晶粒封装
以树脂或陶瓷材料﹒将晶粒包在其中﹒以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程﹒即称为晶粒封装(Assembly)。
封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树脂材料作晶粒的封装﹒制程包括：
芯片切割污染处理 晶粒目检 晶粒上「架」(导线架，即Leadframe) 焊线 模压封装 稳定烘烤(使树脂物性稳定) 切框、弯脚成型 脚沾锡 盖印完成。
以树脂为材料之IC﹒通常用于消费性产品﹒如计算机、计算横。而以陶瓷作封装材料之IC﹒属于高信赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
Back Grinding晶背研磨
利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度、均匀度、及背面之干净度。
一般6吋芯片之厚度约20 mil—30 mil左右，为了便于晶粒封装打线，故须将芯片厚度磨薄至10 mil--15mil左右。
Bake, Soft bake, Hard bake烘培、软烤、预烤
烘烤（Bake）:在机集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温 (60ºC~250ºC)的烘箱内或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Soft bake)与预烤(Hard bake)。
软烤(Soft bake) :其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。
预烤(Hard bake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etch bake)，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wet etching)更为重要，预烤不全常会造成过蚀刻。
BF2二氟化硼
．一种供做离子植入用之离子。
．BF2+是由BF3气体经灯丝加热分解成：
B10，B11，F19，B10 BF2，B11F2
经Extraction拉出及质谱磁场分析后而得到。
．是一种p-type离子，通常用做VT
植入（ 层）及S/D质植入。
BOAT晶舟
BOAT原意是单木舟。在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送，清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为BOAT。
一般BOAT折叠耳机有两种材质，一是石英，另一是铁氟龙。石英BOAT用在温度较高(大于300°C)的场合。而铁氟龙BOAT则用在传送或酸处理的场合。
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