一种存储器信号质量测试装置及其工艺方法与流程

1.本技术实施例涉及存储器信号质量测试技术，尤指一种存储器信号质量测试装置及其工艺方法。

背景技术：

2.现阶段测试ddr(double data rate双倍速率)这种球栅阵列(bga)封装的芯片，因为引脚都在芯片的正下方，焊接到pcb(印刷电路板)上后，示波器探头无法点到，就无法用示波器进行测试，从而无法判断信号是否符合设计规范。
3.目前的解决方案是，在dram(动态随机存取内存)和主控的走线路径上添加测试点，然而该方案存在以下缺陷：
4.1、ddr走线较密，很多pcb板没有空间贴加测试点。
5.2、测试点的添加不一定能够靠近dram的管脚，那么所测试的波形与芯片管脚上的波形差异较大。
6.3、测试点的添加会造成信号走线路径的分支，影响信号的插入损耗和回波损耗，造成眼图的恶化。

技术实现要素：

7.本技术实施例提供了一种存储器信号质量测试装置及其工艺方法，对存储器信号的插损和反射影响小，对存储器信号的眼图测试影响小，并且结构简单、成本低。
8.本技术实施例提供了一种存储器信号质量测试装置，可以包括：转接板、印刷电路板pcb和串联匹配电阻；
9.存储器颗粒焊接在所述转接板的顶面；
10.焊有所述存储器颗粒的转接板焊接在所述pcb上；
11.所述转接板上的与所述存储器颗粒连接的每个双倍速率ddr的数据地址线均引出到外接的所述串联匹配电阻；所述串联匹配电阻作为外接测试点。
12.在本技术的示例性实施例中，所述转接板的顶面的第一焊盘和所述转接板的底面的第二焊盘属于同一网络。
13.在本技术的示例性实施例中，垂直方向上所述第一焊盘和所述第二焊盘位于同一位置。
14.在本技术的示例性实施例中，所述第一焊盘和所述第二焊盘为表面贴装焊盘。
15.在本技术的示例性实施例中，所述第一焊盘和所述第二焊盘采用激光钻孔和填孔电镀实现连通。
16.在本技术的示例性实施例中，所述转接板的顶面通过植球与所述存储器颗粒进行焊接。
17.在本技术的示例性实施例中，所述转接板的底面通过植球与所述pcb进行焊接。
18.在本技术的示例性实施例中，所述转接板的尺寸大于所述存储器颗粒的尺寸。
19.本技术实施例还提供了一种存储器信号质量测试装置的工艺方法，针对所述的存储器信号质量测试装置，所述方法可以包括：
20.将存储器颗粒焊接在预设的转接板的顶面；
21.将焊有所述存储器颗粒的转接板焊接在印刷电路板pcb上；
22.所述转接板上的与所述存储器颗粒连接的每个双倍速率ddr的数据地址线均引出到外接的所述串联匹配电阻，并将所述串联匹配电阻作为外接测试点。
23.在本技术的示例性实施例中，所述方法还可以包括以下任意一种或多种：
24.设置所述转接板的尺寸大于所述存储器颗粒的尺寸；
25.采用表面贴装技术设置所述转接板的顶面的第一焊盘和所述转接板的底面的第二焊盘；
26.采用激光钻孔和填孔电镀实现所述第一焊盘和所述第二焊盘的连通；
27.将所述第一焊盘和所述第二焊盘设置为属于同一网络，并且在垂直方向上所述第一焊盘和所述第二焊盘位于同一位置；以及，
28.通过植球将所述转接板的顶面与所述存储器颗粒进行焊接，并通过植球将所述转接板的底面与所述pcb板进行焊接。
29.与相关技术相比，本技术实施例可以包括：存储器颗粒焊接在所述转接板的顶面；焊有所述存储器颗粒的转接板焊接在所述pcb上；所述转接板上的与所述存储器颗粒连接的每个双倍速率ddr的数据地址线均引出到外接的所述串联匹配电阻；所述串联匹配电阻作为外接测试点。通过该实施例方案，实现了对存储器信号的插损和反射影响小，对存储器信号的眼图测试影响小，并且结构简单、成本低。
30.本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
31.附图用来提供对本技术技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术的技术方案，并不构成对本技术技术方案的限制。
32.图1为本技术实施例的存储器信号质量测试装置侧视图；
33.图2为本技术实施例的存储器信号质量测试装置俯视图；
34.图3为本技术实施例的存储器信号质量测试装置的工艺方法流程图。
具体实施方式
35.本技术描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本技术所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
36.本技术包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本技术已
经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本技术中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
37.此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本技术实施例的精神和范围内。
38.本技术实施例提供了一种存储器信号质量测试装置，如图1、图2所示，可以包括：转接板1、印刷电路板pcb和串联匹配电阻2；
39.存储器颗粒3焊接在所述转接板1的顶面；
40.焊有所述存储器颗粒3的转接板1焊接在所述pcb上；
41.所述转接板1上的与所述存储器颗粒3连接的每个双倍速率ddr的数据地址线4均引出到外接的所述串联匹配电阻2；所述串联匹配电阻2作为外接测试点。
42.在本技术的示例性实施例中，该存储器颗粒3可以包括但不限于：dram(动态随机存取内存)颗粒以及nand flash(nand闪存)颗粒。
43.在本技术的示例性实施例中，可以首先把存储器颗粒3焊接在转接板1的顶面，即top面，然后把焊接有存储器颗粒3的转接板1焊接在pcb板上。
44.在本技术的示例性实施例中，转接板1上每个ddr的数据地址线4都有引出到外接的串联匹配电阻2，此串联匹配电阻2一方面可以用来作为串联端接电阻来消除这一段引出线带来的反射，另一方面作为外接测试点，便于示波器探头测量信号波形。
45.在本技术的示例性实施例中，所述转接板1的顶面(top面)的第一焊盘和所述转接板的底面(bottom面)的第二焊盘属于同一网络。
46.在本技术的示例性实施例中，垂直方向上所述第一焊盘和所述第二焊盘位于同一位置。
47.在本技术的示例性实施例中，所述第一焊盘和所述第二焊盘为表面贴装焊盘。
48.在本技术的示例性实施例中，所述第一焊盘和所述第二焊盘采用激光钻孔和填孔电镀实现连通。
49.在本技术的示例性实施例中，采用激光钻孔加填孔电镀来实现top面和bottom面smt(表面贴装技术)焊盘的联通，不影响焊接质量。
50.在本技术的示例性实施例中，所述转接板的顶面通过植球5与所述存储器颗粒进行焊接。
51.在本技术的示例性实施例中，所述转接板的底面通过植球5与所述pcb进行焊接。
52.在本技术的示例性实施例中，所述转接板1的尺寸大于所述存储器颗粒3的尺寸。
53.在本技术的示例性实施例中，整个转接板1的尺寸可以为10*13mm，存储器颗粒3的
尺寸可以为7.5*11mm，转接板1比存储器颗粒稍大一些，便于在pcb板上器件密度较大时，具有多颗ddr的情况下，也可以焊接使用。不会与周围的器件产生干涉，从而便于高密度场景下的存储器信号引出测量。
54.在本技术的示例性实施例中，本技术实施例方案至少包括以下优势：
55.1、使用范围广，即使在器件密度较高的pcb板子上，也可以使用。
56.2、转接板1在引出ddr数据地址线的同时，对信号的插损和反射影响都很小，对信号的眼图测试影响较小。
57.3、使用简便，无需其他的cable(电缆)线或者专用连接器，可以直接把待测试的存储器(如dram)焊接在转接板1上，再一起焊接在pcb主板上，即可测试存储器的信号质量(例如信号完整性情况)。
58.4、测试点靠近存储器管脚，能够较好地反应存储器管脚上的信号质量情况。
59.5、成本较低，双面两层pcb就可以实现此存储器信号质量测试装置的线路联通。
60.本技术实施例还提供了一种存储器信号质量测试装置的工艺方法，针对所述的动态随机存取内存存储器信号质量测试装置，如图3所示，所述方法可以包括步骤s101-s103：
61.s101、将存储器颗粒焊接在预设的转接板的顶面；
62.s102、将焊有所述存储器颗粒的转接板焊接在印刷电路板pcb上；
63.s103、所述转接板上的与所述存储器颗粒连接的每个双倍速率ddr的数据地址线均引出到外接的所述串联匹配电阻，并将所述串联匹配电阻作为外接测试点。
64.在本技术的示例性实施例中，所述方法还可以包括以下任意一种或多种：
65.设置所述转接板的尺寸大于所述存储器颗粒的尺寸；
66.采用表面贴装技术设置所述转接板的顶面的第一焊盘和所述转接板的底面的第二焊盘；
67.采用激光钻孔和填孔电镀实现所述第一焊盘和所述第二焊盘的连通；
68.将所述第一焊盘和所述第二焊盘设置为属于同一网络，并且在垂直方向上所述第一焊盘和所述第二焊盘位于同一位置；以及，
69.通过植球将所述转接板的顶面与所述存储器颗粒进行焊接，并通过植球将所述转接板的底面与所述pcb板进行焊接。
70.在本技术的示例性实施例中，前述的存储器信号质量测试装置中的任意实施例均适用于该存储器信号质量测试装置的工艺方法实施例中。
71.本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于ram、rom、eeprom、闪存或其
他存储器技术、cd-rom、数字多功能盘(dvd)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

技术特征：

1.一种存储器信号质量测试装置，其特征在于，包括：转接板、印刷电路板pcb和串联匹配电阻；存储器颗粒焊接在所述转接板的顶面；焊有所述存储器颗粒的转接板焊接在所述pcb上；所述转接板上的与所述存储器颗粒连接的每个双倍速率ddr的数据地址线均引出到外接的所述串联匹配电阻；所述串联匹配电阻作为外接测试点。2.根据权利要求1所述的存储器信号质量测试装置，其特征在于，所述转接板的尺寸大于所述存储器颗粒的尺寸。3.根据权利要求1所述的存储器信号质量测试装置，其特征在于，所述转接板的顶面的第一焊盘和所述转接板的底面的第二焊盘属于同一网络。4.根据权利要求3所述的存储器信号质量测试装置，其特征在于，垂直方向上所述第一焊盘和所述第二焊盘位于同一位置。5.根据权利要求3或4所述的存储器信号质量测试装置，其特征在于，所述第一焊盘和所述第二焊盘为表面贴装焊盘。6.根据权利要求5所述的存储器信号质量测试装置，其特征在于，所述第一焊盘和所述第二焊盘采用激光钻孔和填孔电镀实现连通。7.根据权利要求1所述的存储器信号质量测试装置，其特征在于，所述转接板的顶面通过植球与所述存储器颗粒进行焊接。8.根据权利要求1所述的存储器信号质量测试装置，其特征在于，所述转接板的底面通过植球与所述pcb进行焊接。9.一种存储器信号质量测试装置的工艺方法，其特征在于，针对如权利要求1-8任意一项所述的存储器信号质量测试装置，所述方法包括：将存储器颗粒焊接在预设的转接板的顶面；将焊有所述存储器颗粒的转接板焊接在印刷电路板pcb上；所述转接板上的与所述存储器颗粒连接的每个双倍速率ddr的数据地址线均引出到外接的所述串联匹配电阻，并将所述串联匹配电阻作为外接测试点。10.根据权利要求9所述的存储器信号质量测试装置的工艺方法，其特征在于，所述方法还包括以下任意一种或多种：设置所述转接板的尺寸大于所述存储器颗粒的尺寸；采用表面贴装技术设置所述转接板的顶面的第一焊盘和所述转接板的底面的第二焊盘；采用激光钻孔和填孔电镀实现所述第一焊盘和所述第二焊盘的连通；将所述第一焊盘和所述第二焊盘设置为属于同一网络，并且在垂直方向上所述第一焊盘和所述第二焊盘位于同一位置；以及，通过植球将所述转接板的顶面与所述存储器颗粒进行焊接，并通过植球将所述转接板的底面与所述pcb板进行焊接。

技术总结

本申请实施例公开了一种存储器信号质量测试装置及其工艺方法，该装置包括：转接板、印刷电路板PCB和串联匹配电阻；存储器颗粒焊接在所述转接板的顶面；焊有所述存储器颗粒的转接板焊接在所述PCB上；所述转接板上的与所述存储器颗粒连接的每个双倍速率DDR的数据地址线均引出到外接的所述串联匹配电阻；所述串联匹配电阻作为外接测试点。通过该实施例方案，实现了对存储器信号的插损和反射影响小，对存储器信号的眼图测试影响小，并且结构简单、成本低。本低。本低。