全桥拓扑同步整流和有源钳位的电路设计

全桥拓扑同步整流和有源钳位的电路设计
陈红;秦会斌;方良驹
【摘 要】研究了提高数字全桥拓扑效率的方法,通过在副边采用同步整流和有源钳位的方法,有效提高了电源效率.同步整流降低了输出电压损耗,特别适用于低电压大电流的输出场合.同时使用有源钳位技术,吸收谐振尖峰,利用谐振能量,提高效率,特别适用于高电压大功率场合.
【期刊名称】《测控技术》
压力检测器【年(卷),期】2019(038)003
【总页数】4页(P76-79)
【关键词】数字电源;同步整流;有源钳位;高效率
【作 者】陈红;秦会斌;方良驹
南少林降糖茶【作者单位】杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,浙江杭州310018;杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,浙江杭州310018;杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,浙江杭州310018
【正文语种】中 文
【中图分类】TN86
数字电源具有高效方便、灵活性好的优势,随着数字电源芯片的价格降低,数字电源将以其优越性逐渐取代模拟电源。其中UCD3138是TI推出的专用于开关电源控制的DSP芯片。本文设计的数字电源以UCD3138为主控芯片,实现对全桥的移相软开关控制,同时控制次级的全桥整流和有源钳位。全桥拓扑作为大功率电源的首选拓扑,在工程中应用得特别广泛,具有电压电流应力小的特点。对于全桥的移相软开关技术,很多文献[1-3]对此做过阐述,本文主要研究全桥的副边部分,包括同步整流和有源钳位电路,侧重于提高全桥效率的设计。传统的整流采用二极管搭建整流桥或全波整流,二极管有导通压降,在低压大功率的场合下带来的功率损耗是不可接受的。而同步整流用MOSFET取代二极管,具有很低的导通阻抗,极大地提高了全桥效率。另外,全桥拓扑存在副边整流管电压振荡和电压尖峰
的问题,降低了效率,提高了整流管应力,带来电磁干扰等方面的问题。针对这一问题,研究者提出了很多改进电路,本文分析了各种方法的利弊,采用有源钳位方式,充分利用谐振能量。最终搭建一台1 kW的数字控制全桥样机,采用移相软开关,同步整流,有源钳位电路进行试验,取得预期效果,实现97%的全桥效率。
1 同步整流
同步整流是采用通态电阻极低的专用MOSFET来取代整流二极管以降低整流损耗的一项技术。由于不存在导通压降,大大提高了变换器的效率,并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。用MOSFET作为整流管时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称为同步整流。
同步整流有全桥整流、全波整流和倍流整流3种方式[4]。本设计的同步整流电路如图1所示,由Qr1~Qr4 4个开关管组成,采用全桥整流,相比全波整流,多使用两颗MOSFET,但整流管应力可以减少一半,更适合高压输出,变压器次级也减少一半线圈,滞后臂可以利用输出电感上的能量实现ZVS。相比倍流整流,全桥整流少用一颗较大的滤波电感,节约空间。
图1 同步整流电路
实现全桥同步整流的关键是整流管的时序控制。图1中,次级为上正下负时,Qr1&Qr4须导通,下负上正时,Qr2&Qr3须导通。整流管的开通时序与次级电压有关,但是根据次级电压驱动整流管是不可行的,因为移相全桥存在副边占空比丢失,且丢失比例随负载与输入电压变化而变化。已知次级电压与初级开关管的开关时序有着固定的逻辑关系,在DSP的控制下,只要将控制初级开关管的信号调用到控制整流管的寄存器中,还可以加适当延时,得到整流管的精确驱动信号。同步整流的控制时序一般有两种,第一种可以参考文献[4],在副级为正时仅开通Qr1&Qr4,次级为负时仅开通Qr2&Qr3,这种方案逻辑简单,但会损失一部分效率,因为移相全桥存在副边占空比丢失,此时次级电压为零,整流管为续流阶段,电流只能走已关断的整流管的体二极管通过,效率损失较大。本设计采用第二种方案[5],驱动时序如图2所示,原理上模拟了二极管整流中二极管的开通关断时序。Qr1&Qr4开通与Q4同步,关断与Q1同步,Qr2&Qr3开通与Q3同步,关断与Q2同步。
图2 同步整流驱动时序图
2 钳位电路
2.1 钳位的原因
在移相全桥中,变压器原边电流换流期间,副边单边整流管(如Qr1&Qr4)不足以提供负载电流,这时4个整流管同时开通,副边处于自然续流状态,接着关断一边整流管,例如当Qr1、Qr4关断时,其寄生电容C1、C4(见图3)与全桥原边的电感和变压器漏感谐振,等效电路如图4,Lr为原边漏感和外加谐振电感之和, 分别为Lf、C1&C4、Uo折算到原边的等效值。谐振引起整流管DS电压振荡和电压尖峰,带来严重的EMI问题,效率降低,增加了整流管的电压应力。因此需对此进行缓冲和钳位[6]。
图3 谐振电路图
图4 谐振等效图
2.2 钳位的方法
整流管的钳位有多种方法,例如RC法、RCD法、原边钳位法和有源钳位法。33链
RC法[6]在每个整流MOS管上并联电阻和电容,电容在整流管关断时吸收储存能量,开通
时释放能量并通过电阻消耗掉。该方案损耗了能量,效率低,在高电压大功率中应用不切实际。RCD法[7]是由钳位二极管、钳位电容和电阻组成,原理是当整流管关断时,钳位电容通过二极管吸收整流管的谐振能量,当整流管开通后,电容通过电阻释放能量,一部分在电阻上耗散,另一部分被负载利用。该方案可以将开关管应力钳位在Vin/2N和Vin/N之间,一定程度上抑制振荡尖峰,效率较RC法有所提高,但仍然不理想。只是抑制了尖峰电压,却无法消除振荡,依然存在电磁干扰问题。原边钳位法在文献[8]中详细介绍。在全桥拓扑中,为实现滞后桥臂的ZVS,往往需要加入谐振电感,与整流管寄生电容谐振,从而加大整流管的振荡尖峰。原边钳位就是在原边增加两个钳位二极管,谐振时,二极管导通,将谐振电感短路,变压器原边电压被钳位在输入电压。需要强调的是原边钳位只是吸收了谐振电感的能量,却无法避免变压器漏感参与谐振,不能彻底解决振荡尖峰的问题,另外,原边钳位仅是把谐振能量消耗在原边环路中,不利于效率的提高。
2.3 有源钳位原理分析
有源钳位原理如图5所示,在副边增加了钳位电容Cs、二极管Ds和PMOS开关管。当副边建立电压时,钳位电容Cs与谐振电感产生谐振,从而吸收谐振能量,当整流管关闭时,钳
建筑证书管理位MOS管导通,将钳位电容吸收的能量释放回负载。这一方案做到了彻底解决整流管DS级电压振荡和尖峰过高问题,全部利用了谐振能量,提高了电源效率,在高电压大功率场合尤其适用。
图5 有源钳位原理图钳位
MOSFET使用PMOS也是从提高效率的角度考虑,若使用NMOS、Ds和NMOS体二极管形成电流环路,一部分电能在环路中损耗。图6显示了一个周期内有源钳位的工作过程。
融合调度指挥通信系统图6 有源钳位工作过程分析
关于移相全桥的工作过程在文献[1]~文献[3]中有详述,本文仅分析与有源钳位有关的t1~t5时刻。
t1~t2:初级电流顺时针通过Q1,Q4,次级处于续流阶段,钳位电路不工作。
t2:初级电流达到滤波电感的反射电流。
t2~t3:初级电流大于滤波电感的反射电流,次级电压上升,谐振电感开始与整流管寄生
电容谐振。
t3:次级电压达到钳位电容电压,钳位二极管导通,次级被钳位于Cs电压值。
t3~t4:钳位电容的电流减少,t4时刻为零并反向,钳位MOSFET须提前开通。
t4:钳位电容电流流向负载,与钳位MOSFET形成回路。
t4~t5:钳位电容释放能量到负载到Q1关断结束,钳位MOSFET在副边电压下降时关断。
在图5中,Cs是与整流管并联的大电容,其与原边谐振电感的谐振频率小于全桥的开关频率[9],故有退火窑
由此计算钳位电容的取值。其中n为变压器匝比,Lr为谐振电感感值,包括外加电感和变压器漏感,Ts为开关周期时间。在电容参数和钳位时序合适的情况下,整流管没有尖峰电压,整流管被钳位在Cs的电压。
2.4 有源钳位PMOS时序分析
在副边电压建立后,钳位电路才开始工作。与整流管时序控制同理,根据副边电压驱动MOSFET不可行,同样根据原边的驱动信号加适当延时获得钳位驱动。驱动时序如图7所示。
图7 钳位PMOS时序图
由图7可知,Qs的开通是在Q1和Q2开通后延时Td,且Td大于最大的丢失占空比ΔDmax,小于最小占空比的一半[10]。在输入电压最低时,占空比丢失最大,输入电压最高时,占空比最小。满载运行时,滞后时间符合下式:
式中,Dmin为原边最小占空比。由此计算滞后时间。
3 结论与分析
用实验样机对结果进行验证,图8为去掉有源钳位电路后测试的整流管应力,Ds尖峰电压达到94.4 V,整流管存在过压风险,图中也能看出明显的电压振荡。

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标签:钳位   电压   整流管   谐振
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