(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910207585.7
(22)申请日 2019.03.19
电热丝切割机(71)申请人 中国科学院高能物理研究所
地址 100049 北京市石景山区玉泉路19号
乙
(72)发明人 何潇 张珺哲
(74)专利代理机构 北京君尚知识产权代理事务
所(普通合伙) 11200
代理人 司立彬
箱包提手
(51)Int.Cl.
H01J 37/20(2006.01)
H01J 37/26(2006.01)
H01J 9/00(2006.01)
智能卡制作
C23C 14/06(2006.01)
C23C 16/34(2006.01)
车流量
C23C 28/04(2006.01)
(54)发明名称一种用于免疫电子显微镜-X射线显微成像-纳米离子探针技术的复合载网及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种用于免疫电子显微镜-X 射线显微成像-纳米离子探针技术的复合载网及其制备方法。该复合载网包括一钼环作为支持基底，基底之上依次为导电胶、坐标铜网、芳华膜、导电碳 膜、氮化硅膜、导电碳膜。本发明所述复合载网具有良好的支持强度及导电性能，并可以提供样品中感兴趣区域的定位信息，因此可以成功实现IEM、STXM -XANES以及Nano -SIMS三种技术联用，对70-100nm厚度电镜切片样品中的感兴趣区域进行蛋白信息、元素化学形态信息以及同位素信息的原位分析；同时可以降低IEM制样标记操作过程中破损的概率及程度，有效提高观察范围，实现STXM和Nano -SIMS分析的准确定位，并大幅度提高Nano - SIMS的检测效率。权利要求书1页 说明书5页 附图3页CN 110010434 A 2019.07.12
C N 110010434
A
权 利 要 求 书1/1页CN 110010434 A
1.一种用于免疫电子显微镜-X射线显微成像-纳米离子探针技术的复合载网，包括一钼环作为支持基底，基底之上依次为导电胶、坐标铜网、芳华膜、导电碳膜、氮化硅膜、导电碳膜。
2.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述复合载网的直径为3-
3.2mm，厚度为80-100μm。
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3.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述钼环为内径1.4-1.6mm的圆形孔。
4.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述坐标铜网为200目，孔径为95-105μm 的特型载网，孔中心距为115-135μm，肋宽为25-35μm，厚度为28-32μm。
5.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述芳华膜为软性材质，其厚度为15-20nm。
6.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述氮化硅膜由NH3和SiH4通过化学气相沉积反应在所述复合载网基板上生成，厚度为50-55nm。
7.如权利要求1所述的复合载网，其特征在于，所述导电碳膜为软性材质，其厚度为9-20nm。
8.制备权利要求1所述复合载网的方法，包括以下步骤：
1)选用一钼环作为支持基底；
2)将导电胶涂于上述钼环任一侧，之后将涂有导电胶的一侧反扣于坐标铜网，并用玻片按压平整，自然干燥；
3)将芳华膜置于盛有蒸馏水的烧杯中，芳华膜会漂浮在水面上，将未涂有导电胶的坐标铜网面朝下均
匀地摆放在芳华膜上，按压坐标铜网使其与芳华膜贴紧，用滤纸覆盖整个膜，当滤纸刚湿透时提起，坐标铜网与芳华膜一起粘附在滤纸上离开水面，并进行烘干；
4)在上述未与坐标铜网连接的芳华膜一侧镀上一层导电碳膜；
5)由NH3和SiH4通过化学气相沉积在未与芳华膜连接的导电碳膜表面生成一层氮化硅膜；
6)在上述未与导电碳膜连接的氮化硅膜表面再次镀上一层导电碳膜。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述烘干温度为58-62℃。
10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤4)与步骤6)中导电碳膜的制备采用真空镀膜系统。
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