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一种QFN无铅低空洞率焊接方法[发明专利]

专利名称：一种QFN无铅低空洞率焊接方法专利类型：发明专利

发明人：何洁，杨同兴，陈希立，李根

申请号：CN202210150762.4

申请日：20220218

木醋公开号：CN114423180A

公开日：

20220429膜分离装置

门槛记

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供的一种QFN无铅低空洞率焊接方法包括：识别QFN的芯片封装尺寸、合金区域定义及集成电路板的电子设计稿；根据所述电子设计稿生成锡膏印刷转移钢网设计方案，获得钢网图形；采用光绘文件检测所述钢网图形的完整性，确认符合设计要求的图形，获得设计图形；使用SAC305锡膏4号粉粒进行环境回温和搅拌；使用锡膏印刷机架设转移所述钢网并进行视角定位；使用印刷机印刷锡膏图形转移，安装刮刀与填充焊膏，获得印刷图形；使用自动3D光学设备进行转移所述印刷图形并检测；使用全自动贴装设备进行QFN芯片的安装。解决QFN封装电子产品在使用传统的QFN无铅焊接工艺时，出现焊接空洞率过高影响产品功耗与可靠性的问题。

申请人：北京柏瑞安电子技术有限公司氮化铬铁

地址：100000 北京市大兴区经济技术开发区博兴五路10号

国籍：CN

代理机构：北京世誉鑫诚专利代理有限公司投币器

代理人：刘秀珍

超细铜粉

本文发布于:2024-09-24 08:29:53，感谢您对本站的认可！

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