一种红外探测器的制备方法与流程

1.本发明涉及光电探测器及组件技术领域，尤其涉及一种红外探测器的制备方法。

背景技术：

2.红外探测器是工业、环境、医疗等众多领域先进光学系统的关键组件。其中，混成式红外探测器主体分为红外芯片和读出电路两部分，这两部分通常通过铟柱完成混成互连。在探测器完成混成互连后，进行点胶和减薄两种工艺是提升混成式探测器可靠性的常用方式，但是通常加工好的混成式红外探测器需要再粘接到框架上，以达到后续的使用需求，这将导致混成式红外探测器与框架之间也存在一定的应力，影响混成式红外探测器的可靠性和寿命。

技术实现要素：

3.本发明要解决的技术问题是：通常加工好的混成式红外探测器需要再粘接到框架上，以达到后续的使用需求，这将导致混成式红外探测器与框架之间也存在一定的应力，影响混成式红外探测器的可靠性和寿命，有鉴于此，本发明提供一种红外探测器的制备方法。
4.本发明采用的技术方案是，所述一种红外探测器的制备方法，包括：将探测器主体与框架相连接；对所述探测器主体进行点胶处理；对点胶处理后的所述探测器主体远离所述框架的一端进行减薄处理。
5.在一个实施方式中，所述探测器主体包括读出电路以及连接在所述读出电路一侧的红外芯片，所述将探测器主体与框架相连接，包括：将所述探测器主体的所述读出电路一端与所述框架相连接。
6.在一个实施方式中，所述将所述探测器主体的所述读出电路一端与所述框架相连接，包括：将所述探测器主体的所述读出电路一端与所述框架相粘接。
7.在一个实施方式中，所述将探测器主体与框架相连接的步骤之后，所述红外探测器的制备方法还包括：对所述探测器主体进行第一加热处理。
8.在一个实施方式中，所述对所述探测器主体进行第一加热处理包括：对所述探测器主体进行烘箱焙烤处理，温度为100℃，时间为10分钟。
9.在一个实施方式中，所述对所述探测器主体进行点胶处理包括：在所述探测器主体中的读出电路与红外芯片之间进行点胶处理。
10.在一个实施方式中，所述对所述探测器主体进行点胶处理的步骤之后，所述方法还包括：对所述探测器主体依次进行第二加热处理以及固化处理。
11.在一个实施方式中，所述对所述探测器主体依次进行第二加热处理以及固化处理，包括：对所述探测器主体进行烘箱焙烤处理，温度为150℃，时间为20分钟；以及对所述探测器主体进行烘箱焙烤处理，温度为80℃，时间为8小时。
12.在一个实施方式中，所述对点胶处理后的所述探测器主体远离所述框架的一端进行减薄处理，包括：对所述探测器主体中的红外芯片进行减薄处理。
13.在一个实施方式中，所述对所述探测器主体中的红外芯片进行减薄处理，包括：对所述探测器主体中的红外芯片进行腐蚀减薄处理。
14.采用上述技术方案，本发明至少具有下列优点：
15.本发明所述的红外探测器制备方法，采用对红外探测器主体先与框架相连接，再对探测器主体进行点胶处理的方式，可以有效地消除探测器主体与框架之间的应力，提升了红外探测器的可靠性。
附图说明
16.图1为根据本发明实施例的红外探测器制备方法流程图；
17.图2至图5为根据本发明实施例的红外探测器制备方法过程中的红外探测器结构示意图。
18.附图标记：
19.探测器主体1，框架2，粘接胶水3，点胶胶水4。
具体实施方式
20.为更进一步阐述本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明进行详细说明如后。
21.本发明中说明书中对方法流程的描述及本发明说明书附图中流程图的步骤并非必须按步骤标号严格执行，方法步骤是可以改变执行顺序的。而且，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，和/或将一个步骤分解为多个步骤执行。
22.本发明第一实施例，一种红外探测器的制备方法，如图1所示，包括以下具体步骤：
23.步骤s1，将探测器主体与框架相连接。
24.步骤s2，对探测器主体进行点胶处理。
25.步骤s3，对点胶处理后的探测器主体远离框架的一端进行减薄处理。
26.下面将根据该实施例的流程对每一步骤做出详细说明。
27.步骤s1，将探测器主体与框架相连接。
28.本实施例中，红外探测器可以是混成式红外探测器，具体地，混成式红外探测器可以包括探测器主体1以及框架2。进一步地，探测器主体1可以包括读出电路以及通过铟柱连接在读出电路一侧的红外芯片。
29.参考图2和图3，图2为探测器主体1与框架2连接之前的结构示意图，图3为探测器主体1与框架2通过粘接胶水3连接后的结构示意图。本实施例中，将探测器主体1与框架2相连接，可以是将探测器主体1中，读出电路的一侧与框架2相连接。具体地，可以采用粘接的方式，利用粘接胶水3将探测器主体1的可读电路与框架2粘接在一起。
30.本实施例中，在完成上述对探测器主体1与框架2的连接后，可以对当前红外探测器进行第一加热处理，以达到对探测器主体1进行点胶处理前的预热效果，能够有效缓解带框架红外探测器的热传导问题，有利于胶水在探测器主体1中的流动，使胶水能够有效填充进入探测器。
31.步骤s2，对探测器主体进行点胶处理。
32.图4为本实施例中对探测器主体1进行点胶处理后的结构示意图，可以参考图3以
及图4，在本实施例中，对探测器主体1的点胶处理可以是对探测器主体1中的读出电路以及红外芯片做点胶处理，具体地，可将点胶胶水4注入读出电路以及红外芯片之间。
33.本实施例中，在完成上述对探测器主体1的点胶处理后，可以对当前红外探测器进行第二加热处理，第二加热处理用于增强点胶胶水4在探测器主体1中的流动性，使点胶胶水4迅速均匀填充红外探测器。
34.本实施例中，在完成第二加热处理后，可对点胶胶水4进行固化处理，使点胶胶水4凝固，便于后续处理。
35.步骤s3，对点胶处理后的探测器主体远离框架的一端进行减薄处理。
36.图5为本实施例中对探测器主体1进行减薄处理后的结构示意图，可以参考图4以及图5，在本实施例中，对点胶处理后的探测器主体1远离框架2的一端进行减薄处理，具体是将探测器主体1中的红外芯片进行减薄处理。
37.由于与框架2粘接的探测器主体1难以采用常见的研磨抛光方式进行减薄处理，本实施例中，可以采用腐蚀减薄的方式来完成对上述红外芯片的减薄处理。
38.本发明第二实施例，提供了一种红外探测器，该红外探测器是由上述红外探测器的制备方法所制备而成的。
39.本发明第三实施例，提供了一种电子设备，该电子设备包括上述的红外探测器。
40.本发明第四实施例，本实施例是在上述实施例的基础上，结合附图2～5介绍一个本发明的应用实例。
41.步骤1，将探测器主体1通过粘接胶水3与框架2粘接。
42.步骤2，点胶处理前对带框架2的探测器主体1进行第一加热处理，示例性地，采用烘箱烘烤方式，烘箱温度设置100摄氏度，烘烤时间10分钟。
43.步骤3，对探测器主体1中的可读电路以及红外芯片通过点胶胶水4进行点胶处理，示例性地，所点胶水质量1.0mg。
44.步骤4，对带框架2的探测器主体1进行第二加热处理，示例性地，采用烘箱烘烤方式，烘箱温度设置150摄氏度，烘烤时间20分钟。
45.步骤5，对点胶胶水4进行胶水固化工艺，示例性地，采用烘箱烘烤方式，烘箱温度设置80摄氏度，烘烤时间8小时。
46.步骤6，对探测器主体1中的红外芯片进行减薄工艺，此处采用腐蚀减薄的方法。
47.本发明实施例对比现在已有的技术，至少有以下的技术优点：
48.1)采用先进行红外探测器与框架粘接，后进行点胶减薄工艺的方法，有效减小红外探测器与框架之间的应力，提升红外探测器的可靠性。
49.2)通过烘箱烘烤的方法进行探测器点胶前的预热，解决带框架红外探测器的热传导问题，有利于胶水在探测器中的流动。
50.3)通过烘箱高温烘烤的方法增强点胶后胶水在探测器中的流动性，使胶水迅速均匀填充红外探测器。
51.4)采用腐蚀减薄探测器的方法，解决带框架红外探测器无法通过研磨抛光减薄的问题，实现探测器的有效减薄，增强探测器可靠性。
52.通过具体实施方式的说明，应当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图示仅是提供参考与说明之用，并非用来对本
发明加以限制。

技术特征：

1.一种红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：将探测器主体与框架相连接；对所述探测器主体进行点胶处理；对点胶处理后的所述探测器主体远离所述框架的一端进行减薄处理。2.根据权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述探测器主体包括读出电路以及连接在所述读出电路一侧的红外芯片，所述将探测器主体与框架相连接，包括：将所述探测器主体的所述读出电路一端与所述框架相连接。3.根据权利要求2所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述将所述探测器主体的所述读出电路一端与所述框架相连接，包括：将所述探测器主体的所述读出电路一端与所述框架相粘接。4.根据权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述将探测器主体与框架相连接的步骤之后，所述红外探测器的制备方法还包括：对所述探测器主体进行第一加热处理。5.根据权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述对所述探测器主体进行第一加热处理包括：对所述探测器主体进行烘箱焙烤处理，温度为100℃，时间为10分钟。6.根据权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述对所述探测器主体进行点胶处理包括：在所述探测器主体中的读出电路与红外芯片之间进行点胶处理。7.根据权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述对所述探测器主体进行点胶处理的步骤之后，所述方法还包括：对所述探测器主体依次进行第二加热处理以及固化处理。8.根据权利要求7所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述对所述探测器主体依次进行第二加热处理以及固化处理，包括：对所述探测器主体进行烘箱焙烤处理，温度为150℃，时间为20分钟；以及对所述探测器主体进行烘箱焙烤处理，温度为80℃，时间为8小时。9.根据权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述对点胶处理后的所述探测器主体远离所述框架的一端进行减薄处理，包括：对所述探测器主体中的红外芯片进行减薄处理。10.根据权利要求9所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述对所述探测器主体中的红外芯片进行减薄处理，包括：对所述探测器主体中的红外芯片进行腐蚀减薄处理。

技术总结

本发明提出了一种红外探测器的制备方法，包括：将探测器主体与框架相连接；对所述探测器主体进行点胶处理；对点胶处理后的所述探测器主体远离所述框架的一端进行减薄处理。本发明的实施例采用对红外探测器主体先与框架相连接，再对探测器主体进行点胶处理的方式，可以有效地消除探测器主体与框架之间的应力，提升了红外探测器的可靠性。升了红外探测器的可靠性。升了红外探测器的可靠性。