闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质与流程

1.本技术涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质。

背景技术：

2.nor flash作为一种非易失性存储器，其生产后需要经过多道测试程序，如以未减划硅片为对象的测试, 以封装片为对象的测试等，以筛选出性能合格的芯片。
3.芯片测试程序中涉及坏存储单元测试项的测试，该测试项测试流程包括：对芯片全片写入数据，然后用读数据的方式进行全片检查，以确认芯片中是否有坏的存储单元，若无坏存储单元则芯片通过该测试项；若存在坏存储单元，则在替换掉坏存储单元后，再次用读数据的方式进行全片检查，若仍存在坏存储单元则报废芯片。
4.若芯片中存在坏存储单元时，该测试项的测试方式涉及两次完整的全片检查且测试结果需基于整个检查流程进行判断，测试效率低。
5.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现要素：

6.本技术的目的在于提供一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，以提高坏存储单元测试项的测试效率。
7.第一方面，本技术提供了一种闪存的坏存储单元测试方法，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，所述方法包括以下步骤：对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。
8.本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法，对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，该方法还将二次查错处理的测试结果记录在校验位上，使得二次查错处理过程不作结果判定，而是基于校验位上记录的数据获取测试结果，简化了查错处理的逻辑，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
9.所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述对所述芯片进行全芯片数据查错处理的过程以8字节地址为查错单位。
10.所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，在执行所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤的过程中，若无能进行替换的所述备用的存储单元时，输出坏芯片结果。
11.所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述二次查错处理仅包括读取数据检测。
12.在该示例的闪存的坏存储单元测试方法中，全芯片数据查错处理中的写入过程对芯片进行了全片的数据写入，也包括了对备用的存储单元写入数据；因此，二次查错处理过程仅包括读取数据检测，免去了数据再次写入步骤，从而提高测试效率。
13.所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述将所述查错结果记录在校验位上的步骤包括：将所述查错结果转换为数据1或数据0，将所述数据1或所述数据0记录在所述校验位上。
14.所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述校验位为一个。
15.在该示例的闪存的坏存储单元测试方法中，由于测试结果只有好芯片结果和坏芯片结果两项，因此，设置一个校验位便能反映出对应的测试结果。
16.所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤包括：采用冗余区中的所述备用的存储单元替换所述坏存储单元。
17.第二方面，本技术还提供了一种闪存的坏存储单元测试装置，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，所述装置包括：第一查错模块，用于对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；替换模块，用于利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；第二查错模块，用于对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；记录模块，用于将所述查错结果记录在校验位上；结果模块，用于根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。
18.本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试装置，利用替换模块对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元采用第二查错模块进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，该装置还将二次查错处理的测试结果记录在校验位上，使得二次查错处理过程不作结果判定，而是基于校验位上记录的数据获取测试结果，简化了查错处理的逻辑，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
19.第三方面，本技术还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
20.第四方面，本技术还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
21.由上可知，本技术提供了一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，其中，该方法对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
附图说明
22.图1为本技术实施例提供的闪存的坏存储单元测试方法的流程图。
23.图2为本技术实施例提供的闪存的坏存储单元测试装置的结构示意图。
24.图3为本技术实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
25.下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
26.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
27.第一方面，请参照图1，图1是本技术一些实施例中的一种闪存的坏存储单元测试方法，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，方法包括以下步骤：s1、对芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；具体地，坏存储单元为芯片内不能正常使用的存储单元，在本技术实施例中，主要指的是不能按照预期设置写入数据的存储单元。
28.具体地，全芯片数据查错处理包括写入过程和查错过程，其中，写入过程为对芯片进行全片的数据写入，可以是写入全0或全1或棋盘格数据等，目的是将芯片全片数据编程为预设数据；查错过程为读取过程，为以一定查错单位作为读取间隔读取芯片数据，然后检验读取的芯片数据是否与写入的预设数据一致；数据一致时，表明该查错单位内的存储单元能正常写入，属于好存储单元，数据不一致时，表明该查错单位内的存储单元不能正常写入，属于坏存储单元。
29.s2、利用备用的存储单元替换坏存储单元；具体地，nor flash芯片中设有一些用于替换的备用的存储单元，将这些备用的存储单元替换至坏存储单元上，使得芯片具有足够可用的存储单元以挽救该芯片。
30.具体地，替换方法通过映射手段实现，即在地址a和地址b之间设置映射逻辑，将原本对地址a的读写操作映射至地址b上，使得对应于地址b的备用的存储单元能替换至对应于地址a的坏存储单元进行使用。
31.s3、对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；具体地，查错结果为关于替换后的存储单元是否能正常使用的检验结果。
32.具体地，该步骤s3包括：针对替换后的存储单元，进行二次查错处理，检测替换后的存储单元是否能正常使用，若不能正常使用，则表明替换后的存储单元也属于坏存储单元，若能正常使用，则表明替换后的存储单元能正常使用。
33.具体地，二次查错处理是整个芯片中进行的第二级的查错处理，即针对替换后的存储单元进行再次查错操作，目的是检验替换后的存储单元是否能正常使用，可以是基于写入和读取的方式进行，还可以是基于读取的方式进行。
34.s4、将查错结果记录在校验位上；
具体地，步骤s3中，对每个替换后的存储单元均进行二次查错处理，校验位仅用于记录每次二次查处处理的查错结果。
35.s5、根据校验位记录的查错结果获取测试结果。
36.具体地，芯片的坏存储单元测试项一般进行两次测试；若第二次测试结果中仍存在坏存储单元，芯片便进行报废；而本技术实施例的校验位记录的数据为芯片进行全芯片数据查错处理、二次查处处理后生成的查错结果，故该查错结果可用于判断芯片是否需要进行报废处理。
37.本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法，对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，该方法还将二次查错处理的测试结果记录在校验位上，使得二次查错处理过程不作结果判定，而是基于校验位上记录的数据获取测试结果，简化了查错处理的逻辑，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
38.在一些优选的实施方式中，对芯片进行全芯片数据查错处理的过程以8字节地址为查错单位。
39.具体地，全芯片数据查错处理的查错过程以8字节地址为查错单位，即启动查错过程后，芯片将会从起始地址开始，每次以8字节为单位读取数据，然后校验该读取数据是否正确，即校验该读取数据是否与写入过程写入的预设数据一致，若读取数据正确，则将地址切换到下一个8字节数据，再次进行读取、校验，直至校验到整个芯片中最后的8字节数据。
40.更具体地，若读取数据不正确，即该读取数据与写入过程写入的预设数据不一致，则表明存储该8字节数据的存储单元为坏存储单元。
41.更具体地，计算机一般利用8字节作为单元存储一个字，故以8字节地址为查错单位，使得查错单位能匹配于计算机存储特性进行查错，即8字节地址对应的存储单元所对应的存储空间仅能用于存储计算机的一个计算机字，使得全芯片数据查错处理更合理、有序。
42.在一些优选的实施方式中，在全芯片数据查错处理的过程中校验出坏存储单元时，暂停全芯片数据查错处理操作，执行步骤s2-s4，再继续进行全芯片数据查错处理操作，即在全芯片数据查错处理过程中进行坏存储单元的替换、二次查错处理、查错结果记录操作，使得芯片的坏存储单元测试项测试在一次完整的全芯片数据查错处理中便完成全片的两次查错处理，可直接执行步骤s5获取测试结果。
43.这种在全芯片数据查错处理过程中进行坏存储单元的替换、二次查错处理、查错结果记录的操作方式，可实时对坏存储单元进行实时专项处理，实时获取替换后的存储单元的二次查错处理的查错结果，无需额外对坏存储单元进行标记，减少数据存储信息，使得整个芯片的坏存储单元测试项测试整合在一次全芯片数据查错处理过程中。
44.在一些优选的实施方式中，在全芯片数据查错处理的过程中校验出坏存储单元时，记录坏存储单元的地址，在全芯片数据查错处理结束后，执行步骤s2-s5，即在全芯片数据查错处理结束后，再进行坏存储单元的替换、二次查错处理、查错结果记录操作，使得芯片中的坏存储单元能进行集中化处理。
45.这种处理方式仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理操作，有效减少查错处理的需要校验的数据量，还可减少全芯片数据查错处理的暂停、启动操作引起的电压变化，
避免电流变化引起的数据检测错误的问题，从而保证测试结果的准确度。
46.在本技术实施例中，本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法优选采用在全芯片数据查错处理过程中进行坏存储单元的替换、二次查错处理、查错结果记录的操作方式。
47.在一些优选的实施方式中，在执行利用备用的存储单元替换坏存储单元的步骤的过程中，若无能进行替换的备用的存储单元时，输出坏芯片结果。
48.具体地，测试结果包括坏芯片结果和好芯片结果，坏芯片结果表示该芯片存储容量不达标，需要进行报废处理。
49.具体地，若无能进行替换的备用的存储单元，则表明坏存储单元数量大于备用的存储单元，使得该芯片的存储容量不能基于替换处理达到基础容量，因此，需要将该芯片进行报废处理，故输出坏芯片结果。
50.在一些优选的实施方式中，二次查错处理仅包括读取数据检测。
51.具体地，全芯片数据查错处理中的写入过程对芯片进行了全片的数据写入，也包括了对备用的存储单元写入数据；因此，二次查错处理过程仅包括读取数据检测，免去了数据再次写入步骤，从而提高测试效率。
52.具体地，读取数据检测步骤包括：读取替换后的存储单元中的数据，比较替换后的存储单元中的数据与全芯片数据查错处理过程中写入的预设数据是否一致，将该比较结果作为查错结果。
53.在一些优选的实施方式中，校验位用于记录查错结果中关于存储单元的好坏情况，而不记录存储单元的具体地址等信息；由于校验位记录的查错结果可用于判断芯片是否需要进行报废处理，即无论测试结果如何均无需再次进行存储单元的替换，故无需记录查错结果对应的存储单元的具体地址等信息。
54.在一些优选的实施方式中，将查错结果记录在校验位上的步骤包括：将查错结果转换为数据1或数据0，将数据1或数据0记录在校验位上。
55.具体地，校验位为一个字节位，能记录1或0，因此，将查错结果转换为数据1或数据0便能记录在校验位中。
56.更具体地，基于数据1或数据0记录查错结果也简化了步骤s5获取测试结果的过程，如校验位中数据0代表坏存储单元的查错结果，则步骤s5读取到校验位为0，则能获取并输出坏芯片结果。
57.在一些优选的实施方式中，校验位为一个。
58.具体地，由于测试结果只有好芯片结果和坏芯片结果两项，因此，设置一个校验位便能反映出对应的测试结果；假设以数据0代表二次查错处理中的坏存储单元的查错结果，校验位起始数据设为1，在整个坏存储单元测试项测试过程中，若二次查错处理未出现坏存储单元，则校验位数据一直保持为1，步骤s5根据该校验位的数据1获取并输出结论为好芯片结果；而若二次查错处理出现坏存储单元，校验位数据则由1改变为0，且不论后续其他的查错结果如何，校验位保持为数据0不变，步骤s5根据该校验位的数据0获取并输出结论为坏芯片结果；因此，在该实施方式，仅设置一个校验位便能记录测试结果，并能有效节省存储资源。
59.在一些优选的实施方式中，校验位与备用的存储单元数量一致。
60.具体地，校验位设置为与备用的存储单元数量一致，则能一对一地反映出替换后的存储单元的好坏情况；步骤s5通过读取所有校验位中的查错结果是否具有坏存储单元结果而获取并输出对应的测试结果。
61.在本技术实施例中，本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法优选采用一个校验位，以合理节省存储资源。
62.在一些优选的实施方式中，利用备用的存储单元替换坏存储单元的步骤包括：采用冗余区中的备用的存储单元替换坏存储单元。
63.具体地，nor flash芯片一般设有冗余区，步骤s2利用冗余区中的备用的存储单元替换坏存储单元以挽救具有坏存储单元的芯片。
64.在一些优选的实施方式中，当本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法采用在全芯片数据查错处理过程中进行坏存储单元的替换、二次查错处理、查错结果记录的操作方式时，步骤s5包括：在芯片完成全芯片数据查错处理后，再读取校验位记录的查错结果获取测试结果，即使得本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法仅进行一次测试结果判断便确认芯片好坏情况。
65.在一些优选的实施方式中，当本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法采用在全芯片数据查错处理过程中进行坏存储单元的替换、二次查错处理、查错结果记录的操作方式时，步骤s5包括：在芯片进行全芯片数据查错处理中，实时读取校验位记录的查错结果获取测试结果，即使得本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法能实时获取芯片已测试的区域的好坏情况。
66.更具体地，实时获取的测试结果为坏芯片结果时，终止全芯片数据查错处理操作，输出此时获取的坏芯片结果。
67.实施例1对一nor flash芯片启动坏存储单元测试项测试，先对芯片全片写入全0数据，同时设置一个校验位，校验位数据为0，然后以8字节数据为查错单位从起始地址开始读取芯片内数据。
68.校验读取的8字节数据是否全部为0，若是，则进行下一个8字节地址的数据读取、校验；若否，则表明该8字节地址对应的存储单元为坏存储单元，此时，从芯片冗余区中调用对应8字节地址的备用的存储单元以映射的方式替换该坏存储单元，然后再校验替换后的存储单元中的8字节数据是否全部为0，若是，则进行下一个8字节地址的数据读取、校验，若否，则表明替换后的存储单元仍为坏存储单元，此时输出一个校验错误信号，将校验位数据改变为1。
69.待芯片最后一个8字节地址完成数据读取、校验后，检测校验位数据，若校验位数据为1，则输出坏芯片结果以报废芯片，若校验位数据为0，则输出好芯片结果以进行下一阶段的芯片测试项检测。
70.此外，若在坏存储单元的替换过程中，发现备用的存储单元不足时，终止数据读取、校验过程，输出坏芯片结果以报废芯片。
71.实施例2对一nor flash芯片启动坏存储单元测试项测试，先对芯片全片写入全0数据，同时设置一个校验位，校验位数据为0，然后以8字节数据为查错单位从起始地址开始读取芯
片内数据。
72.校验读取的8字节数据是否全部为0，若是，则进行下一个8字节地址的数据读取、校验；若否，则表明该8字节地址对应的存储单元为坏存储单元，此时，从芯片冗余区中调用对应8字节地址的备用的存储单元以映射的方式替换该坏存储单元，然后再校验替换后的存储单元中的8字节数据是否全部为0，若是，则进行下一个8字节地址的数据读取、校验，若否，则表明替换后的存储单元仍为坏存储单元，此时输出一个校验错误信号，将校验位数据改变为1。
73.实时检测校验位的数据情况，当校验位数据为1时，终止数据读取、校验过程，输出坏芯片结果以报废芯片；若校验位数据在芯片最后一个8字节地址完成数据读取、校验后仍为0，则输出好芯片结果以进行下一阶段的芯片测试项检测。
74.此外，若在坏存储单元的替换过程中，发现备用的存储单元不足时，终止数据读取、校验过程，输出坏芯片结果以报废芯片。
75.实施例3对一nor flash芯片启动坏存储单元测试项测试，先对芯片全片写入全0数据，同时设置一个校验位，校验位数据为0，然后以8字节数据为查错单位从起始地址开始读取芯片内数据。
76.校验读取的8字节数据是否全部为0，若是，则进行下一个8字节地址的数据读取、校验；若否，则表明该8字节地址对应的存储单元为坏存储单元，记录该坏存储单元的地址，再进行下一个8字节地址的数据读取、校验；待芯片最后一个8字节地址完成数据读取、校验后，逐个地对记录了地址的坏存储单元进行如下操作：从芯片冗余区中调用对应8字节地址的备用的存储单元以映射的方式替换该坏存储单元，然后再校验替换后的存储单元中的8字节数据是否全部为0，若是，则对下一个存储单元进行操作，若否，则表明替换后的存储单元仍为坏存储单元，此时输出一个校验错误信号，将校验位数据改变为1。
77.待所有坏存储单元均完成替换、校验操作后，检测校验位数据，若校验位数据为1，则输出坏芯片结果以报废芯片，若校验位数据为0，则输出好芯片结果以进行下一阶段的芯片测试项检测。
78.此外，若在坏存储单元的替换过程中，发现备用的存储单元不足时，终止数据读取、校验过程，输出坏芯片结果以报废芯片。
79.第二方面，请参照图2，图2是本技术一些实施例中提供的一种闪存的坏存储单元测试装置，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，装置包括：第一查错模块201，用于对芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；替换模块202，用于利用备用的存储单元替换坏存储单元；第二查错模块203，用于对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；记录模块204，用于将查错结果记录在校验位上；结果模块205，用于根据校验位记录的查错结果获取测试结果。
80.本技术实施例的一种闪存的坏存储单元测试装置，利用替换模块202对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元采用第二查错模块203进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，该装置还将二次查错处理的测试结果记录在校验位上，使得二次查错处理过程不作结果判定，而
是基于校验位上记录的数据获取测试结果，简化了查错处理的逻辑，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
81.在优选的实施方式中，采用该闪存的坏存储单元测试装置执行上述第一方面记载的闪存的坏存储单元测试方法。
82.第三方面，请参照图3，图3为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本技术提供一种电子设备3，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。
83.第四方面，本技术实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（static random access memory, 简称sram），电可擦除可编程只读存储器（electrically erasable programmable read-only memory, 简称eeprom），可擦除可编程只读存储器（erasable programmable read only memory, 简称eprom），可编程只读存储器（programmable red-only memory, 简称prom），只读存储器（read-only memory, 简称rom），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
84.综上，本技术实施例提供了一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，其中，该方法对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。
85.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
86.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
87.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
88.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
89.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的
任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：

1.一种闪存的坏存储单元测试方法，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。2.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述对所述芯片进行全芯片数据查错处理的过程以8字节地址为查错单位。3.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，在执行所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤的过程中，若无能进行替换的所述备用的存储单元时，输出坏芯片结果。4.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述二次查错处理仅包括读取数据检测。5.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述将所述查错结果记录在校验位上的步骤包括：将所述查错结果转换为数据1或数据0，将所述数据1或所述数据0记录在所述校验位上。6.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述校验位为一个。7.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤包括：采用冗余区中的所述备用的存储单元替换所述坏存储单元。8.一种闪存的坏存储单元测试装置，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，其特征在于，所述装置包括：第一查错模块，用于对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；替换模块，用于利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；第二查错模块，用于对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；记录模块，用于将所述查错结果记录在校验位上；结果模块，用于根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。

技术总结

本发明涉及芯片技术领域，具体公开了一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括以下步骤：对芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果；该方法对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。结果的判断逻辑。结果的判断逻辑。