闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及半导体集成电路技术领域，具体而言，涉及一种闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质。

背景技术：

2.闪存芯片的编程一般是通过发送page program（页编程）指令实现的，无论编程内容是否相同，对于闪存芯片中每一个分页地址均要生成对应于该分页地址的page program指令。
3.对闪存芯片的全片编程，一般是将闪存芯片编程为具有区域性重复特点的数据，若采用上述编程方式，则需要重复生成相同的page program指令，并循环发送给闪存芯片进行编程，该过程显得十分笨拙，严重制约了闪存芯片的编程效率。
4.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质，以提高闪存芯片的编程效率。
6.第一方面，本技术提供了一种闪存芯片编程方法，用于对闪存芯片进行编程，所述编程方法包括以下步骤：获取编程信息；根据所述编程信息配置单位编程信息；配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息；根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程。
7.本技术的一种闪存芯片编程方法，结合变化地址信息和单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
8.所述的一种闪存芯片编程方法，其中，所述变化地址信息为递增变化的分页地址或递减变化的分页地址。
9.在该示例的一种闪存芯片编程方法中，变化地址信息以小地址按一定间隔逐步递增为大地址能使闪存芯片遍历所有地址，或以大地址按一定间隔逐步递减为小地址能使闪存芯片遍历所有地址。
10.所述的一种闪存芯片编程方法，其中，所述根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程的步骤包括：根据所述编程信息设置所述变化地址信息的起始地址、最终地址和地址变化间隔；以所述起始地址为编程起点，根据地址变化间隔设置当前地址；
根据所述当前地址和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程；在完成最终地址编程时结束所述闪存芯片的编程。
11.在该示例的一种闪存芯片编程方法中，用同一套单位编程信息对闪存芯片进行编程，无需针对不同地址重复构建新的编程命令即可完成不同地址的编程，有效省去了编程命令的建立时间，从而提高编程效率。
12.所述的一种闪存芯片编程方法，其中，所述根据所述当前地址和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程的步骤包括：根据所述当前地址和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，并周期性地查询所述当前地址是否完成编程。
13.在该示例的一种闪存芯片编程方法中，设置合适的查询时间间隔查询编程状态能有效节省资源并减少功耗。
14.所述的一种闪存芯片编程方法，其中，所述单位编程信息包括用于编程全0、全1、55、aa、a5、5a、ckbd、ickbd中任意一种数据的一套编程指令。
15.所述的一种闪存芯片编程方法，其中，所述根据所述编程信息配置单位编程信息的步骤包括：根据所述编程信息调用包含对应编程指令的单位编程信息，或根据所述编程信息编写包含对应编程指令的单位编程信息。
16.第二方面，本技术还提供了一种闪存芯片编程装置，用于对闪存芯片进行编程，所述编程装置包括易失性控制寄存器，所述易失性控制寄存器包括：获取模块，用于获取编程信息；编程配置模块，用于根据所述编程信息配置单位编程信息；地址配置模块，用于配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息；编程模块，用于根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程。
17.本技术的一种闪存芯片编程装置，利用编程配置模块根据获取模块获取的编程信息配置单位编程信息，并利用地址配置模块配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息，然后通过编程模块结合变化地址信息和单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
18.第三方面，本技术还提供了一种闪存芯片编程系统，用于对闪存芯片进行编程，所述编程系统包括：控制器，用于获取操作信息，并用于根据所述操作信息生成编程信息；易失性控制寄存器，与所述控制器电性连接，用于获取所述编程信息并根据所述编程信息配置单位编程信息，还用于配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息，并用于根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程；在所述控制器生成编程使能信号时，所述易失性控制寄存器对所述闪存芯片进行编程。
19.本技术的一种闪存芯片编程系统，利用易失性控制寄存器获取控制器生成的编程信息，并根据该编程信息配置单位编程信息、配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址
信息，结合变化地址信息和单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
20.第四方面，本技术还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
21.第五方面，本技术还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
22.由上可知，本技术提供了一种闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质，其中，编程方法根据编程信息配置单位编程信息，并配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息，结合变化地址信息和单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
附图说明
23.图1为本技术实施例提供的一种闪存芯片编程方法的流程图。
24.图2为本技术实施例提供的一种闪存芯片编程装置的结构示意图。
25.图3为本技术实施例提供的一种闪存芯片编程系统的结构示意图。
26.图4为本技术实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
29.闪存芯片的制造过程需要进行晶圆测试（chip probing，cp），晶圆测试过程中需要多次将闪存芯片全片内数据编程为同一种数据，因此需要对闪存芯片进行全片编程。
30.现有的对闪存芯片进行全片编程的编程方法，一般是通过循环生成并发送page program指令进行编程的，针对某一闪存芯片的指令发送过程如下：1、发送8位page program指令+24位地址（24’h0）+256byte数据+program时间（1-4ms）查询直到算法结束；2、发送8位page program指令+24位地址（24’h100）+256byte数据+program时间（1-4ms）查询直到算法结束；
3、发送8位page program指令+24位地址（24’h200）+256byte数据+program时间（1-4ms）查询直到算法结束；
……
n、发送8位page program指令+24位地址（最大地址）+256byte数据+program时间（1-4ms）查询直到算法结束；其中，n根据闪存芯片容量进行设定，如闪存芯片容量为1mb时，n=512，闪存芯片容量为8mb时，n=4096。
31.在上述编程过程中，针对每个地址均要生成相应的page program指令，严重制约了闪存芯片的编程效率。
32.第一方面，请参照图1，图1是本技术一些实施例中的一种闪存芯片编程方法，用于对闪存芯片进行编程，编程方法包括以下步骤：s1、获取编程信息；具体地，编程信息为对闪存芯片当前需要执行的整个编程任务，为根据上位机的操作命令产生，其包含闪存芯片中需要编程操作区域的位置信息和对应操作区域编程后数据表现结果的信息，如：根据测试需求，需要将整个闪存芯片编程为全1数据，则生成一个关于闪存芯片全片编程为1的编程任务。
33.更具体地，编程信息为一个全局任务，不包含施加在存储单元上的具体的电压脉冲调节指令。
34.更具体地，由于本技术实施例的编程方法主要用于cp测试中，而cp测试主要是进行电压、电流、时序和功能的验证，一般需要将闪存芯片中存储单元数据编程为相同或具有特定分布规律的形式，如全0、全1、55、aa、a5、5a、ckbd（棋盘格）数据、ickbd（反棋盘格）数据等，这些数据均具有区域性重复的特点，即以一定地址范围进行分割后，每个分割区域内的数据均相同；因此，编程信息为将闪存芯片特定连续地址的区域或全片区域内数据编程为上述具有区域性重复特点的数据的全局任务。
35.s2、根据编程信息配置单位编程信息；具体地，单位编程信息为根据编程信息的区域性重复特点进行配置的编程指令，其为可重复执行的编程指令，能将闪存芯片中每个分割区域编程为相同的数据。
36.更具体地，单位编程信息能包含具体的电压脉冲调节指令，用于将特定地址范围内的数据编程为cp测试需要的数据类型。
37.更具体地，编程信息需求获取的闪存芯片数据由单位编程信息编程所得的数据结构组成，即编程信息中不存在单位编程信息无法完成编程的任务。
38.具体地，在一些别的实施方式中，编程信息还可以是用于编译单位编程信息的编程指令。
39.s3、配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息；具体地，因cp测试为对闪存芯片存储区域进行测试，故对闪存芯片进行编程时一般需要进行全片编程，因此，设置的变化地址信息需要具备遍历所有地址的特性以作为全片编程的基础。
40.更具体地，变化地址信息能按一定变化规律、不重复地遍历整个闪存芯片的所有地址。
41.更具体地，变化地址信息的变化范围覆盖闪存芯片中的所有有效地址，其中，有效地址对应于闪存芯片中的连续地址和不连续地址，对于不连续地址能利用闪存芯片的ftl(flash translation layer)层进行映射使用，从而使得，变化地址信息根据特定逻辑遍历所有地址时能顺利到对应的有效地址而覆盖整个闪存芯片的所有有效地址。
42.s4、根据变化地址信息和单位编程信息对闪存芯片进行编程。
43.具体地，步骤s4利用具有遍历所有地址特点的变化地址信息与单位编程信息组合使用，从而实现利用单位编程信息对闪存芯片中不同地址进行编程，以使得闪存芯片中不同地址区域能根据同一个单位编程信息的编程指令进行编程而获得具有区域性重复特点的数据，从而实现闪存芯片特定连续地址的区域或全片区域的快速编程。
44.更具体地，步骤s4为根据单位编程信息的同一套编程指令对闪存芯片中的由变化地址信息指定的多个地址进行编程，以使闪存芯片具有区域性重复特点的数据。
45.更具体地，步骤s4优选为同一时间内仅利用单位编程信息对变化地址信息指定的一个对应规格大小的地址进行编程，以确保闪存芯片编程的有序性。
46.更具体地，由于cp测试为对闪存芯片存储区域进行测试，因此，在本技术实施例中，步骤s4优选为对闪存芯片进行全片编程，因此，在变化地址信息遍历所有地址结合单位编程信息对闪存芯片进行编程后，结束编程步骤。
47.在别的实施方式中，本技术实施例的编程方法还可用在cp测试以外的地方，此时，编程方法能通过限定变化地址信息的遍历范围而实现特定连续地址的区域的编程，以使闪存芯片的特定连续地址的区域具有区域性重复特点的数据。
48.本技术实施例的一种闪存芯片编程方法，根据编程信息配置单位编程信息，并配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息，结合变化地址信息和单位编程信息对闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
49.在一些优选的实施方式中，变化地址信息为递增变化的分页地址或递减变化的分页地址。
50.具体地，闪存芯片的编程一般采用page program（页编程）指令进行，即以一分页为单位进行编程，在cp测试中，完成编程后的闪存芯片的分页与分页之间的数据相同，因此，在本技术实施例中，优选为以分页地址作为单个编程单位，且在本实施例中，优选为一个分页地址。
51.更具体地，本技术实施例的编程方法以一个分页地址作为编程单位，使得单位编程信息的编程指令对应于一个页编程指令，用于对一个分页地址进行编程。
52.更具体地，单位编程信息的位数与分页地址位数可以相同，也可以不相同，单位编程信息包含的是编程指令，其最终目的是将对应的分页地址内数据编程为需求的数据，需确保的是单位编程信息包含的编程指令对应的操作内容能完成整个分页地址的数据编程。
53.更具体地，为确保变化地址信息能顺利遍历闪存芯片的所有地址，变化地址信息设为递增变化或递减变化，即变化地址信息以小地址按一定间隔逐步递增为大地址以使闪存芯片遍历所有地址，或以大地址按一定间隔逐步递减为小地址以使闪存芯片遍历所有地址，在本技术实施例中，递增或递减的间隔为一个分页地址。
54.在本技术实施例中，变化地址信息优选为从地址0开始进行递增。
55.在一些优选的实施方式中，根据变化地址信息和单位编程信息对闪存芯片进行编程的步骤包括：s41、根据编程信息设置变化地址信息的起始地址、最终地址和地址变化间隔；具体地，编程信息作为全局任务，包含了闪存芯片中需要编程操作区域的位置信息和对应操作区域编程后数据表现结果的信息，根据该需要编程操作区域的位置信息能确定变化地址信息的起始地址和最终地址，地址变化间隔为根据单位编程信息的编程指令对应的操作内容进行设定，在本技术实施例中，地址变化间隔为一个分页地址，使得变化地址信息能从起始地址信息开始，每次进行一个分页地址大小的变化，直至变化为最终地址，以遍历闪存芯片的所有地址。
56.s42、以起始地址为编程起点，根据地址变化间隔设置当前地址；具体地，变化地址信息用于确定需要进行编程操作的当前地址，故当前地址对应由起始地址开始变化，以供单位编程信息能对所有需要进行编程的分页地址进行编程。
57.s43、根据当前地址和单位编程信息对闪存芯片进行编程；具体地，当前地址的规格对应于单位编程信息的编程指令对应的操作内容，以确保单位编程信息能顺利完成当前地址的数据编程。
58.更具体地，由于当前地址为逐步变化的地址，本技术实施例的编程方法能通过逐步改变当前地址的方式，用同一套单位编程信息对闪存芯片进行编程，无需针对不同地址重复构建新的编程命令即可完成不同地址的编程，有效省去了编程命令的建立时间，从而提高编程效率。
59.s44、在完成最终地址编程时结束闪存芯片的编程。
60.具体地，步骤s43每次编程完成时会判断当前地址是否为最终地址，若是则表明当前地址的整个变化过程中遍历了闪存芯片的所有地址，即已经利用单位编程信息完成了闪存芯片中所有地址的编程，故在完成最终地址编程时结束闪存芯片的编程。
61.在一些优选的实施方式中，根据当前地址和单位编程信息对闪存芯片进行编程包括：根据当前地址和单位编程信息对闪存芯片进行编程，并周期性地查询当前地址是否完成编程。
62.具体地，步骤s43设有查询时间间隔，该步骤根据查询时间间隔周期性地查询当前地址是否完成编程。
63.具体地，对闪存芯片进行持续监控或查询会耗费较大资源，因此，设置合适的查询时间间隔查询编程状态能有效节省资源并减少功耗。
64.更具体地，本技术实施例的编程方法，根据查询时间间隔查询到当前地址完成编程后，当前地址根据地址变化间隔进行变化，然后根据单位编程信息对该变化后的当前地址进行编程。
65.更具体地，该查询时间间隔根据单位编程信息对应编程地址的容量进行设定，以使得查询时间能契合于具体的编程耗时，能在减少功耗的同时避免查询时间间隔过大而导致编程时间增加。
66.更具体地，该步骤通过发送由包含编程指令的单位编程信息、包含当前地址的变化地址信息结合的数据给闪存芯片，以对闪存芯片中当前地址执行单位编程信息中的编程
指令以进行编程，并根据查询时间间隔周期性地检查该地址是否完成编程，该检测方式可以是检查编程使能单位编程信息的编程指令是否结束或检测当前地址中数据是否为需求数据类型。
67.在一些优选的实施方式中，单位编程信息包括用于编程全0、全1、55、aa、a5、5a、ckbd、ickbd中任意一种数据的一套编程指令。
68.具体地，cp测试一般需要将闪存芯片全片编程为全0、全1、55、aa、a5、5a、ckbd、ickbd数据，因此，对应的单位编程信息优选为用于编程全0、全1、55、aa、a5、5a、ckbd、ickbd中任意一种数据的一套编程指令，使得闪存芯片完成编程后，整个芯片中每个分页地址的数据均为对应相同的数据类型；其中，该一套编程指令优选为一套页编程指令。
69.更具体地，55、aa、a5、5a数据均为十六进制数据。
70.在一些优选的实施方式中，根据编程信息配置单位编程信息的步骤包括：根据编程信息调用包含对应编程指令的单位编程信息，或根据编程信息编写包含对应编程指令的单位编程信息。
71.具体地，单位编程信息可以采用编写或调用的方式进行设定。
72.更具体地，由于cp测试采用的编程数据较为固定，故可预先写入用于编程相应数据类型的单位编程信息，然后根据编程信息调用包含对应编程指令的单位编程信息即可对闪存芯片进行编程，从而省去了单位编程信息的编写过程，进一步提高了闪存芯片的编程效率。
73.更具体地，对于一些非常规或较少应用的编程数据，可分析编程信息获取数据的区域性重复的特点，然后根据该区域性重复特点编写包含相应编程指令的单位编程信息即可应用本技术实施例的编程方法对闪存芯片进行编程，实现闪存芯片的高效编程。
74.在一些优选的实施方式中，本技术实施例的编程方法为在编程使能信号生成时对闪存芯片进行编程的方法，该编程使能信号生成于步骤s1之前或步骤s4之前。
75.具体地，当编程使能信号为生成于步骤s1之前时，步骤s1包括：在检测到编程使能信号生效后，获取编程信息；此时，本技术实施例的编程方法在基于编程使能信号生效后开始对闪存芯片进行编程。
76.具体地，当编程使能信号为生成于步骤s4之前时，步骤s4包括：在检测到编程使能信号生效后，根据变化地址信息和单位编程信息对闪存芯片进行编程；此时，本技术实施例的编程方法能根据编程信息提前设定变化地址信息和单位编程信息，然后能根据任意设定生成时间的编程使能信号对闪存芯片进行编程。
77.第二方面，请参照图2，图2是本技术一些实施例中提供的一种闪存芯片编程装置，用于对闪存芯片进行编程，编程装置包括易失性控制寄存器，易失性控制寄存器包括：获取模块201，用于获取编程信息；编程配置模块202，用于根据编程信息配置单位编程信息；地址配置模块203，用于配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息；编程模块204，用于根据变化地址信息和单位编程信息对闪存芯片进行编程。
78.本技术实施例的一种闪存芯片编程装置，利用编程配置模块202根据获取模块201获取的编程信息配置单位编程信息，并利用地址配置模块203配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息，然后通过编程模块204结合变化地址信息和单位编程信息对闪存芯
片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
79.在一些优选的实施方式中，采用该闪存芯片编程装置执行上述第一方面的闪存芯片编程方法。
80.第三方面，请参照图3，图3为本技术实施例提供的一种闪存芯片编程系统，用于对闪存芯片400进行编程，编程系统包括：控制器100，用于获取操作信息，并用于根据操作信息生成编程信息；易失性控制寄存器200，与控制器100电性连接，用于获取编程信息并根据编程信息配置单位编程信息，还用于配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息，并用于根据变化地址信息和单位编程信息对闪存芯片400进行编程；在控制器100生成编程使能信号时，易失性控制寄存器200对闪存芯片400进行编程。
81.具体地，操作信息为来自上位机的操作信息，如用户通过上位机下达的将闪存芯片进行某一类测试或编程操作的操作信息。
82.具体地，在cp测试中，传统的闪存芯片400一般通过控制器100生成对应于闪存芯片400不同地址的页编程命令，并将页编程命令发送给闪存芯片400对应的地址进行编程，即控制器100与闪存芯片400具有直接的指派关系；本技术实施例的易失性控制寄存器200具有两种设置方式，第一种是将编程系统设定为控制器100-易失性控制寄存器200-闪存芯片400固定的连接关系，使得控制器100生成的所有编程信息必须由易失性控制寄存器200生成相应的单位编程信息而对闪存芯片400进行编程，这种设置方式适用于控制器100仅会生成将闪存芯片特定连续地址的区域或全片区域内数据编程为具有区域性重复特点的数据的编程信息的场合；另一种是在控制器100与闪存芯片400具有指派关系的情况下，增加一条控制器100-易失性控制寄存器200-闪存芯片400的连接通道，此时易失性控制寄存器200会持续获取控制器100生成的编程信息，并在编程信息为将闪存芯片特定连续地址的区域或全片区域内数据编程为具有区域性重复特点的数据的全局任务时，截取编程信息且暂时中断控制器100与闪存芯片400的指派关系，由易失性控制寄存器200生成相应的单位编程信息以对闪存芯片400进行编程。
83.由于本技术实施例的系统主要用于cp测试中，故易失性控制寄存器200优选采用第一种设置方式。
84.本技术实施例的一种闪存芯片编程系统，利用易失性控制寄存器200获取控制器100生成的编程信息，并根据该编程信息配置单位编程信息、配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息，结合变化地址信息和单位编程信息对闪存芯片400进行编程，从而将闪存芯片400的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
85.本技术实施例的一种闪存芯片编程系统在对闪存芯片进行编程时，由易失性控制寄存器200配制并存储用于对闪存芯片进行编程的单位编程信息（可以与一般编程方法中的page program指令对应），因此，本技术实施例的编程系统无需重复生成针对于不同分页
地址的page program指令，利用该易失性控制寄存器200寄存的单位编程信息循环地针对变化地址信息对应的地址进行编程，有效提高了闪存芯片的编程效率。
86.第四方面，请参照图4，图4为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本技术提供一种电子设备300，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。
87.第五方面，本技术实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（static random access memory, 简称sram），电可擦除可编程只读存储器（electrically erasable programmable read-only memory, 简称eeprom），可擦除可编程只读存储器（erasable programmable read only memory, 简称eprom），可编程只读存储器（programmable red-only memory, 简称prom），只读存储器（read-only memory, 简称rom），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
88.综上，本技术实施例提供了闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质，其中，编程方法根据编程信息配置单位编程信息，并配置能遍历闪存芯片中所有地址的变化地址信息，结合变化地址信息和单位编程信息对闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
89.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
90.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
91.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
92.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
93.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：

1.一种闪存芯片编程方法，用于对闪存芯片进行编程，其特征在于，所述编程方法包括以下步骤：获取编程信息；根据所述编程信息配置单位编程信息；配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息；根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程。2.根据权利要求1所述的一种闪存芯片编程方法，其特征在于，所述变化地址信息为递增变化的分页地址或递减变化的分页地址。3.根据权利要求1所述的一种闪存芯片编程方法，其特征在于，所述根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程的步骤包括：根据所述编程信息设置所述变化地址信息的起始地址、最终地址和地址变化间隔；以所述起始地址为编程起点，根据地址变化间隔设置当前地址；根据所述当前地址和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程；在完成最终地址编程时结束所述闪存芯片的编程。4.根据权利要求3所述的一种闪存芯片编程方法，其特征在于，所述根据所述当前地址和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程的步骤包括：根据所述当前地址和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，并周期性地查询所述当前地址是否完成编程。5.根据权利要求1所述的一种闪存芯片编程方法，其特征在于，所述单位编程信息包括用于编程全0、全1、55、aa、a5、5a、ckbd、ickbd中任意一种数据的一套编程指令。6.根据权利要求1所述的一种闪存芯片编程方法，其特征在于，所述根据所述编程信息配置单位编程信息的步骤包括：根据所述编程信息调用包含对应编程指令的单位编程信息，或根据所述编程信息编写包含对应编程指令的单位编程信息。7.一种闪存芯片编程装置，用于对闪存芯片进行编程，其特征在于，所述编程装置包括易失性控制寄存器，所述易失性控制寄存器包括：获取模块，用于获取编程信息；编程配置模块，用于根据所述编程信息配置单位编程信息；地址配置模块，用于配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息；编程模块，用于根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程。8.一种闪存芯片编程系统，用于对闪存芯片进行编程，其特征在于，所述编程系统包括：控制器，用于获取操作信息，并用于根据所述操作信息生成编程信息；易失性控制寄存器，与所述控制器电性连接，用于获取所述编程信息并根据所述编程信息配置单位编程信息，还用于配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息，并用于根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程；在所述控制器生成编程使能信号时，所述易失性控制寄存器对所述闪存芯片进行编程。9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读
取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-6任一所述方法中的步骤。10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-6任一所述方法中的步骤。

技术总结

本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质，其中，编程方法包括以下步骤：获取编程信息；根据所述编程信息配置单位编程信息；配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息；根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程；该编程方法结合变化地址信息和单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。简化了整个编程过程。简化了整个编程过程。